找到 194 条结果 · IEEE Transactions on Power Electronics
基于单片集成氮化镓蓝宝石二极管桥IC的1000V、10MHz倍压器
1000 V, 10 MHz Voltage Multiplier Based on Monolithically Integrated GaN-on-Sapphire Diode Bridge IC
Zineng Yang · Xin Yang · Hehe Gong · Hongchang Cui 等15人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年4月
本文展示了一种基于单片集成氮化镓（GaN-on-Sapphire）二极管桥IC的1000V、10MHz倍压器。研究填补了GaN器件在千伏级高频应用中的空白，验证了单片集成技术在实现高压、高频功率转换方面的潜力。
解读: 该研究展示了GaN器件在千伏级高压与超高频应用中的突破，对阳光电源的未来产品研发具有重要参考价值。在组串式逆变器和户用储能PCS领域，随着功率密度的不断提升，传统硅基器件已接近性能瓶颈，引入GaN-on-Sapphire等宽禁带半导体技术有助于进一步缩小磁性元件体积，提升整机效率。建议研发团队关注该...
一种具有可重构高压电荷共享路径的宽频率范围氮化镓半桥驱动器
A Wide-Frequency-Range GaN Half-Bridge Driver With Reconfigurable High-Voltage Charge Sharing Path
Qihuai Lu · Guojia Mu · Xihao Liu · Wenxing Cao 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年4月
针对氮化镓（GaN）半桥驱动器在高频下工作频率范围窄及高侧供电电压不足的问题，本文提出了一种工作频率覆盖1–10 MHz、高侧驱动电压达4.99 V的驱动器。通过引入可重构电荷共享路径（RCSP）等创新技术，有效提升了高频驱动性能。
解读: 随着阳光电源在户用光伏逆变器及小型化储能系统（如PowerStack）中对功率密度要求的不断提升，高频化成为必然趋势。GaN器件的应用能显著减小磁性元件体积，提升整机效率。该驱动器技术解决了高频下高侧驱动电压不稳的痛点，对阳光电源下一代高频化、高功率密度组串式逆变器及微型逆变器产品的研发具有重要参考...
考虑杂散电感的电动汽车永磁同步电机轴承电流传导路径拓扑研究
Research on the Conduction Path Topology of Bearing Current for PMSM in Electric Vehicles Considering Stray Inductance
Tianrui Fang · Xu Han · Feng Niu · Guangyu Zhang 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年2月
针对电动汽车永磁同步电机（PMSM）系统，现有轴承电流模型难以解释10 MHz以上的高频特性。本文提出了一种考虑从转子到轴承杂散电感的传导拓扑模型，该模型能准确反映轴承电容及杂散参数对高频轴承电流的影响，为电机驱动系统的电磁兼容性及轴承寿命评估提供了理论支撑。
解读: 该研究聚焦于电机驱动系统的高频电磁干扰与轴承可靠性，与阳光电源电动汽车充电桩及电机驱动控制技术密切相关。在充电桩及车载电力电子设备中，高频开关引起的共模电流是导致轴承电蚀和系统故障的关键因素。通过引入杂散电感拓扑模型，阳光电源可在电机驱动器及充电模块的硬件设计阶段，优化PCB布局与功率模块封装，有效...
一种具有混合自适应死区控制和峰值延迟控制的高效GaN驱动器
A High-Efficient GaN Driver With Hybrid Adaptive Dead-Time Control and Peak Delay Control for Synchronous Buck Converter
Yilun Cai · Dan Ye · Wenzhao Lv · Zhuojun Chen · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年1月
本文提出了一种适用于1-10 MHz开关频率的GaN驱动器，旨在实现高效可靠的功率转换。通过采用数字延迟粗调与模拟延迟微调相结合的混合自适应死区控制技术，有效解决了高频下死区时间与效率之间的权衡问题，显著提升了同步Buck变换器的性能。
解读: 该技术对阳光电源的户用光伏逆变器及小型化储能系统（如PowerStack）具有重要参考价值。随着功率密度要求的提升，高频化是逆变器小型化的关键，而GaN器件的驱动技术是实现高频高效的核心瓶颈。该混合死区控制方案能有效降低GaN器件在高频开关下的损耗，提升整机效率。建议研发团队关注该驱动架构在轻量化、...
一种基于单片GaN的LLC-SRC，具有低于1 mA的静态电流和98.6%的峰值效率，符合能源之星和80 Plus钛金标准
A Monolithic GaN-Based LLC-SRC With Sub-1 mA Quiescent Current and 98.6% Peak Efficiency for Energy Star Standard and 80 Plus Titanium Standard
Chi-Yu Chen · Po-Jui Chiu · Xiao-Quan Wu · Yu-Ting Huang 等11人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年12月
本文提出了一种基于GaN的混合栅极驱动器，包含两种逆变器，在25 MHz高频下实现了23.2 μA的低静态电流。通过自动预充技术监测自举电容电压，将待机漏电流从毫安级降至62 μA，使系统峰值效率达到98.6%，满足高能效标准。
解读: 该技术在宽禁带半导体应用及高频高效拓扑方面具有重要参考价值。对于阳光电源的户用光伏逆变器及充电桩产品线，GaN器件的应用能显著提升功率密度并降低待机功耗，助力产品满足严苛的能效标准（如80 Plus钛金级）。建议研发团队关注该单片集成驱动技术，探索其在小功率DC-DC变换模块中的应用，以优化轻载效率...
基于数字控制的兆赫兹谐振变换器同步整流器
Synchronous Bridge Rectifier for MHz Resonant Converter Based on Digital Control
Xinlin Wang · Siyi Yao · Xufeng Kou · Haoyu Wang 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年11月
本文开发了一种适用于谐振变换器的通用兆赫兹同步整流器（SR）。文章详细分析了非理想SR的损耗构成，包括驱动损耗、导通损耗、开关损耗及体二极管损耗。针对利用漏源电压进行同步控制的方案，研究了检测器、驱动器及相关电路引入的信号延迟与失配问题。
解读: 该技术对阳光电源的户用光伏逆变器及小型储能系统（如PowerStack）具有重要参考价值。随着功率密度提升，MHz级高频变换技术是实现设备小型化、轻量化的关键。文章提出的高频同步整流优化策略，可有效降低DC-DC环节损耗，提升整机效率。建议研发团队关注该数字控制方案在宽禁带半导体（GaN/SiC）应...
实现6.78 MHz多千瓦级H桥DC-AC逆变器中高压SiC与GaN开关器件的挑战与对比
Challenges and Comparison in Achieving 6.78 MHz Multi-kW H-Bridge DC–AC Inverters Using High-Voltage SiC and GaN Switching Devices
Yao Wang · Zhen Sun · Yun Yang · Cheng Zhang 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年11月
本文探讨了设计6.78 MHz多千瓦级H桥逆变器时，使用高压碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）器件面临的挑战，并对比了其性能。文章提出了一种MHz开关频率逆变器的设计方法，重点解决了开关选型、栅极驱动设计、寄生电感最小化等关键问题。
解读: 该研究聚焦于MHz级高频功率变换，对阳光电源的下一代高功率密度逆变器及充电桩技术具有重要参考价值。随着宽禁带半导体（SiC/GaN）在高频领域的应用深入，该设计方法有助于减小磁性元件体积，提升组串式逆变器和电动汽车充电桩的功率密度。建议研发团队关注该文在寄生电感抑制和高频驱动设计方面的结论，这对于优...
图腾柱PFC中零电流检测的无硬件多变量协同功率定位方法
Hardware-Free Multivariable Collaborative Power Positioning Method for ZCD in Totem-Pole PFC
Keliang Chen · Xu Yang · Wenjie Chen · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年10月
本文提出了一种多变量协同功率定位方法（MVCPPM），旨在解决准兆赫兹开关频率下，因多周期电流误差累积导致的零电流检测（ZCD）失效及系统不稳定性问题。该方法摒弃了传统的单变量定位或硬件辅助方案，通过实时识别构建动态功率定位模型，有效提升了高频图腾柱PFC的控制精度与可靠性。
解读: 该技术对阳光电源的户用光伏逆变器及电动汽车充电桩业务具有重要参考价值。随着功率密度提升，高频化是必然趋势，图腾柱PFC作为高效拓扑被广泛应用。该研究提出的无硬件多变量协同控制策略，能够有效降低高频开关下的电流检测误差，提升系统在准兆赫兹频率下的稳定性。建议研发团队在下一代高功率密度充电桩及小型化户用...
一种具有低成本无缝切换方案的高效率双模DC-DC变换器
A High-Efficiency Dual-Mode DC–DC Converter With a Low-Cost Seamless Transition Scheme
Yun Hao · Xukun Wang · Zhigang Han · Chunli Huang 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年9月
本文提出了一种低复杂度的PWM/PSM双模Buck DC-DC变换器。该变换器在重载下采用1.5MHz频率的PWM模式，在轻载下切换至变频PSM模式，从而在全负载范围内保持高效率。基于峰值电流模式控制，仅需简单的电路即可实现模式间的无缝切换。
解读: 该技术在提升DC-DC变换效率方面具有显著价值，特别适用于阳光电源的户用光伏逆变器及储能系统（如PowerStack）中的辅助电源模块或低功率DC-DC环节。通过PWM/PSM双模控制，可有效提升系统在待机或轻载工况下的整机能效，符合当前户用产品对高能效等级的严苛要求。建议研发团队评估该无缝切换方案...
一种用于多千瓦级和数十兆赫兹开关功率放大器的基于有源钳位源的SiC谐振栅极驱动技术
A High Frequency Active Clamping Source Based SiC Resonant Gate Driving Technology for Multi-kW and Tens of MHz Switched Mode Power Amplifier
Wei Liu · Yongzhi Zhu · Ming Liu · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年6月
谐振栅极驱动（RGD）是降低高频驱动损耗和抑制噪声的有效方法。传统RGD多采用双开关桥式结构，在数十兆赫兹频率下死区控制困难。本文提出一种基于有源钳位源的单开关RGD技术，解决了传统方案在实现固定占空比驱动电压时的局限性，适用于高频SiC功率器件驱动。
解读: 该技术对于阳光电源提升光伏逆变器和储能PCS的功率密度具有重要参考价值。随着行业向更高开关频率发展，SiC器件的应用已成为提升效率的关键。该研究提出的高频谐振驱动技术能有效降低SiC器件在高频开关下的驱动损耗，并抑制电磁干扰。建议研发团队关注该驱动架构在下一代高频组串式逆变器及小型化储能模块中的应用...
一种用于快速开关功率半导体模块的紧凑型直流至200 MHz混合电流测量方法
A Compact DC–200 MHz Hybrid Current Measurement Approach for Fast Switching Power Semiconductor Modules
Shiqi Ji · Wenhao Xie · Yikang Xiao · Ran Lu 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年1月
随着功率半导体开关速度的提升，现有电流探头带宽受限，难以实现有效测量。本文提出了一种紧凑型混合电流测量方法，旨在实现对功率半导体模块在实际功率转换器运行条件下的高精度、宽带宽电流表征，解决了高速开关过程中的测量难题。
解读: 随着阳光电源在组串式逆变器及PowerTitan储能系统中大规模应用SiC等宽禁带半导体器件，开关频率和dv/dt显著提升，传统的电流测量手段已成为研发瓶颈。该技术能够精确捕捉高速开关瞬态电流，对于优化逆变器及PCS功率模块的驱动电路设计、降低开关损耗以及提升电磁兼容性（EMC）设计水平具有重要价值...
1.2kV垂直结构氮化镓结型场效应晶体管的评估及兆赫兹变换器应用
Evaluation and MHz Converter Application of 1.2-kV Vertical GaN JFET
Xin Yang · Ruizhe Zhang · Qiuzhe Yang · Qihao Song 等11人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年12月
本文首次对1.2kV、75mΩ的垂直结构氮化镓（GaN）结型场效应晶体管（JFET）进行了全面评估。该器件具备低导通电阻、常关特性及雪崩能力。通过优化RC接口栅极驱动器，研究了其在兆赫兹高频变换器中的应用潜力。
解读: 随着阳光电源组串式逆变器和户用储能系统向高功率密度、小型化方向发展，对开关频率和效率的要求日益严苛。1.2kV垂直GaN JFET作为宽禁带半导体的前沿技术，其高频特性可显著减小磁性元件体积，提升系统功率密度。建议研发团队关注该器件在户用光伏逆变器及小型化DC-DC变换器中的应用潜力，特别是在提升转...
一种具有600mA输出能力、1MHz下-40dB电源抑制比且静态电流为27.5μA的无电容多反馈回路低压差线性稳压器
A 600-mA Multifeedback Loop Capacitorless Low-Dropout Regulator With a –40-dB Power Supply Rejection at 1 MHz With 27.5-μA Quiescent Current Consumption
Young-Jun Jeon · Hyun-Woo Jeong · Hyeonho Park · Jeeyoung Shin 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年10月
本文提出了一种n型输出无电容低压差线性稳压器（LDO），旨在实现高电源抑制比（PSR）和快速瞬态响应。通过采用多反馈回路结构，该LDO在100mA和600mA负载电流下，在1MHz频率处分别实现了-40dB和-25dB的PSR。当负载在1mA至600mA之间切换时，其电压下冲仅为116mV。
解读: 该技术在电源管理芯片（PMIC）设计中具有重要价值，直接赋能阳光电源的功率电子产品。在组串式逆变器和PowerTitan储能系统的控制板设计中，高PSR的LDO能有效抑制高频开关噪声对敏感模拟电路和MCU的干扰，提升系统稳定性。此外，该方案在低静态电流下的高性能表现，非常契合充电桩及户用储能系统对低...
利用二维磁芯和折纸绕组将纳米晶共模电感的首谐振频率提升至10 MHz以上并改善性能
Using 2-D Core and Origami Winding to Push the First Resonant Frequency of Nanocrystalline Common-Mode Inductors Beyond 10 MHz With Improved Performance
Rongrong Zhang · Atif Iqbal · Shuo Wang · Chaoqiang Jiang 等9人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年10月
本文提出了一种利用二维磁芯和折纸绕组结构的新型电感设计，旨在不改变材料特性的前提下，显著提升纳米晶共模电感的首谐振频率（fR）。该方法有效突破了传统纳米晶电感仅限于数十千赫兹应用的限制，使其在更高频率下仍能保持优异的滤波性能，为高频电力电子变换器的电磁兼容设计提供了新思路。
解读: 随着阳光电源组串式逆变器及PowerTitan等储能系统向更高功率密度和更高开关频率演进，EMI滤波器的体积与性能优化成为关键。该研究提出的二维磁芯与折纸绕组技术，能够显著提升共模电感的高频阻抗特性，有助于减小逆变器及PCS内部EMI滤波器的体积，降低高频寄生参数带来的干扰。建议研发团队在下一代高频...
高达100 MHz的磁环磁芯三维有限元全波仿真建模方法
Modeling Methodology of Magnetic Toroidal Cores for 3-D FEM Full-Wave Simulation up to 100 MHz
Rafael Suárez · María Tijero · Roberto Moreno · Jose Manuel González · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年8月
本文提出了一种针对磁环磁芯在高达100 MHz频率下的三维有限元（FEM）全波仿真建模方法。近年来，磁性元件的三维FEM仿真日益重要，但磁性材料在仿真中的应用存在挑战。通常仅使用复磁导率进行模拟，本文旨在解决高频下磁性材料建模的复杂性问题。
解读: 随着阳光电源组串式逆变器及PowerTitan储能系统向高功率密度和高开关频率发展，磁性元件（如电感、变压器）的高频损耗与EMI特性成为设计的核心瓶颈。该研究提出的高频三维有限元建模方法，能有效提升对磁芯在高频工况下损耗及寄生参数的预测精度。建议研发团队将其应用于高频磁性元件的优化设计中，特别是针对...
兆赫兹驱动无缓冲软开关电流型多谐振DC-DC变换器
MHz-Driven Snubberless Soft-Switching Current-Fed Multiresonant DC–DC Converter
Tomokazu Mishima · Shiqiang Liu · Ryotaro Taguchi · Ching-Ming Lai · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年7月
本文提出了一种新型多谐振升压DC-DC变换器，旨在以最少的有源和无源元件实现高电压增益。该变换器采用基于氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管的兆赫兹（MHz）高频驱动，实现了无缓冲零电流软开关（ZCS）换流，有效提升了功率密度与转换效率。
解读: 该技术在提升功率密度和转换效率方面具有显著优势，对阳光电源的户用光伏逆变器及小型化储能系统（如PowerStack）具有重要参考价值。随着GaN器件在MHz高频领域的成熟，该拓扑可助力阳光电源进一步缩小逆变器体积，降低被动元件成本。建议研发团队关注其在高频下的电磁兼容（EMC）挑战，并评估其在微型逆...
用于高密度功率变换器的堆叠式变压器设计与晶圆级制造
Design and Wafer-Level Fabrication of Stacked-Type Transformers for High-Density Power Converters
Changnan Chen · Pichao Pan · Jiebin Gu · Min Liu 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年4月
针对功率变换系统小型化与集成化的需求，本文开发了适用于亚兆赫兹（sub-MHz）应用的高效率堆叠式变压器芯片。该芯片采用硅嵌入式高密度多层螺旋绕组结构，并利用锌铝合金微加工技术实现全金属化，显著提升了功率密度与转换效率。
解读: 该技术在功率密度提升和系统集成方面具有重要价值，直接契合阳光电源在组串式逆变器和户用储能系统（如PowerStack）中对小型化、高效率的需求。随着功率器件向高频化发展，该堆叠式变压器技术可优化磁性元件体积，助力下一代高功率密度逆变器及PCS模块的研发。建议研发团队关注其在亚兆赫兹高频变换中的损耗特...
用于GaN HEMT桥式电路串扰抑制的高频三电平栅极驱动器
High-Frequency Three-Level Gate Driver for GaN HEMT Bridge Crosstalk Suppression
Xiaonan Wang · Ming Tao · Jing Xiao · Deng Luo 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年1月
为抑制氮化镓（GaN）桥式电路中的串扰问题，本文提出了一种新型高频三电平栅极驱动器（HFTGD），实现了高达5MHz开关频率下的串扰抑制。该驱动器通过电容-二极管电路产生负压，有效防止了正向串扰引起的器件误导通。
解读: 随着阳光电源在户用光伏逆变器及小型化储能产品中对功率密度要求的不断提升，GaN器件的应用成为提升效率和减小体积的关键。该文章提出的高频三电平栅极驱动技术，能够有效解决GaN在高频开关下的串扰误导通问题，对提升公司新一代高频化、小型化逆变器及充电桩产品的可靠性具有重要参考价值。建议研发团队关注该驱动架...
一种用于MHz DC-DC功率变换的具有增材电沉积层压NiFe磁芯的PCB集成电感
A PCB-Integrated Inductor With an Additively Electrodeposited Laminated NiFe Core for MHz DC–DC Power Conversion
Yixiao Ding · Xuan Wang · Mark G. Allen · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年12月
本文提出了一种用于MHz级DC-DC功率变换的PCB集成电感，该电感采用聚吡咯层压镍铁（NiFe）磁芯，通过增材电沉积工艺制造。电感绕组采用标准PCB工艺制成跑道型结构，磁芯通过多层NiFe与聚吡咯交替沉积包裹而成，旨在提升高频下的电感性能与功率密度。
解读: 该技术在提升功率密度和高频化方面具有显著潜力，直接契合阳光电源在户用光伏逆变器及微型逆变器领域对小型化、高效率的需求。随着功率器件向GaN等宽禁带半导体演进，MHz级开关频率成为趋势，该PCB集成电感技术有助于减小磁性元件体积，降低整机重量。建议研发团队关注该电沉积工艺的量产可行性，评估其在阳光电源...
面向兆赫兹与大电流应用的分数匝平面变压器集成技术
Integrated Fractional-Turn Planar Transformer for MHz and High-Current Applications
Kangping Wang · Qingyuan Gao · Gaohao Wei · Xu Yang · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年6月
针对兆赫兹高频与大电流应用中平面变压器绕组损耗大、载流能力受限的问题，本文提出了一种分数匝平面变压器结构，并将关键功率器件嵌入变压器内部。该方法有效提升了变换器的效率与功率密度。
解读: 该技术对阳光电源的户用光伏逆变器及小型化储能PCS产品具有重要参考价值。随着功率密度要求的不断提升，MHz高频化是未来趋势，但高频下的磁性元件损耗是瓶颈。该研究提出的分数匝结构与器件集成方案，有助于优化阳光电源下一代高频DC-DC变换器的体积与效率。建议研发团队关注该结构在小功率高频模块中的应用潜力...
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