找到 7 条结果 · IEEE Transactions on Power Electronics
基于陶瓷基板散热封装的SiC功率模块EMI抑制技术
EMI Mitigation for SiC Power Module With Chip-on-Ceramic Heatsink Packaging
Zhaobo Zhang · Wenzhi Zhou · Xibo Yuan · Elaheh Arjmand 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年8月
本文提出了一种芯片直接贴装于金属化氮化铝（AlN）陶瓷散热器的封装方案，旨在降低SiC功率模块的共模（CM）噪声并提升热性能。通过减少开关节点与地之间的共模电容耦合，该封装有效抑制了EMI噪声。实验验证了其在DC-DC变换器中的性能优势。
解读: 该技术对阳光电源的组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能系统具有重要价值。随着SiC器件在高性能逆变器和PCS中的广泛应用，高频开关带来的EMI问题和散热瓶颈日益突出。该封装方案通过优化寄生参数和散热路径，能够显著提升功率密度，并降低EMI滤波器设计难度，有助于减小产品体积与成...
裸DBA基板上银烧结连接在老化、热冲击及1200 W/cm²功率循环测试下的界面力学与热特性研究
Interface-Mechanical and Thermal Characteristics of Ag Sinter Joining on Bare DBA Substrate During Aging, Thermal Shock and 1200 W/cm2 Power Cycling Tests
Chuantong Chen · Dongjin Kim · Zheng Zhang · Naoki Wakasugi 等9人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年6月
本文研究了在250°C无压条件下，利用微米级银烧结技术将SiC芯片直接连接至裸DBA（Al/AlN/Al）基板的工艺。实验表明，银-铝界面具有33.6 MPa的稳固结合力。通过1000小时250°C高温存储、热冲击及1200 W/cm²功率循环测试，验证了该封装结构在极端工况下的热机械可靠性。
解读: 该研究直接关联阳光电源的核心功率模块封装技术。随着公司在光伏逆变器和PowerTitan系列储能PCS中大规模应用SiC器件，提升功率密度与可靠性至关重要。银烧结技术替代传统焊料是实现高功率密度设计的关键，而裸DBA基板的应用有助于降低成本并优化热传导路径。建议研发团队关注该界面在极端功率循环下的失...
利用声发射和数字图像相关法原位观测金属化氮化铝基板的退化
Observing In Situ Degradation of Metallized Aluminum Nitride Substrate by Acoustic Emission and Digital Image Correlation
作者未知 · IEEE Transactions on Power Electronics · 日期未知
本文研究了功率模块中常用的活性金属钎焊氮化铝（AMB-AlN）基板在剧烈温度变化下的退化机制。通过声发射和数字图像相关技术，实现了对AMB-AlN基板内部裂纹扩展及三维形变的实时原位观测，填补了该领域的研究空白，为提升功率模块的热循环可靠性提供了理论支撑。
解读: 功率模块是阳光电源组串式/集中式光伏逆变器、PowerTitan/PowerStack储能系统及风电变流器的核心组件。AMB-AlN基板的可靠性直接决定了功率器件在极端工况下的寿命。该研究提出的原位观测方法，可用于优化阳光电源功率模块的封装设计与热管理方案，提升产品在高温、高湿及剧烈温度波动环境下的...
一种采用双栅极的单片双向GaN-on-AlN/SiC功率晶体管的特性与运行
Characteristics and Operation of a Monolithic Bidirectional GaN-on-AlN/SiC Power Transistor Employing Dual-Gate
Xiaomeng Geng · Mihaela Wolf · Carsten Kuring · Nick Wieczorek 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年4月
本文展示了一种新型650 V/110 mΩ单片双向GaN-on-AlN/SiC开关，该器件采用双肖特基栅极结构，具备背栅抗扰性，可实现无性能损耗的片上集成。单片双向GaN开关（MBDS）在需要双向电压阻断能力的变换器拓扑中展现出巨大潜力。
解读: 该技术对阳光电源的户用光伏逆变器及微型逆变器产品线具有重要意义。GaN单片双向开关能显著简化双向DC-DC变换器拓扑，减少器件数量，从而提升功率密度并降低系统体积。对于追求极致轻量化和高效率的户用储能及充电桩应用，该器件可有效降低开关损耗。建议研发团队关注其在双向功率流控制中的可靠性表现，并评估其在...
关于单片集成GaN-on-AlN/SiC晶体管的实验研究
Experimental Investigation of GaN-on-AlN/SiC Transistors With Regard to Monolithic Integration
Xiaomeng Geng · Nick Wieczorek · Mihaela Wolf · Carsten Kuring 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年10月
本文介绍了新型GaN-on-AlN/SiC功率HEMT器件。相比传统的GaN-on-Si HEMT，该器件有效克服了公共衬底引起的背栅效应，显著提升了器件性能，为实现功率器件的单片集成提供了技术路径。
解读: 随着阳光电源在户用光伏逆变器及电动汽车充电桩领域对高功率密度和小型化的追求，GaN器件的应用至关重要。该研究提出的GaN-on-AlN/SiC技术通过抑制背栅效应，解决了单片集成中的关键瓶颈，有助于进一步减小逆变器及充电模块的体积，提升开关频率。建议研发团队关注该技术在下一代高频、高效率功率模块中的...
基于高压氮化铝陶瓷基板集成的氮化镓多芯片半桥功率模块
GaN-Based Multichip Half-Bridge Power Module Integrated on High-Voltage AlN Ceramic Substrate
Carsten Kuring · Mihaela Wolf · Xiaomeng Geng · Oliver Hilt 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年10月
本文提出了一种集成两个600V/170mΩ氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管的半桥功率模块。该设计通过集成栅极驱动级和部分直流母线电容，有效降低了寄生电路参数，并利用高压氮化铝（AlN）陶瓷基板实现了高效的散热方案，旨在提升电力电子系统的效率与功率密度。
解读: 该技术对阳光电源的户用光伏逆变器及小型化储能系统（如PowerStack）具有重要参考价值。随着功率密度要求的提升，GaN器件在小功率段的应用趋势明显。通过采用AlN基板和集成化设计，可显著降低寄生电感，提升开关频率，从而减小被动元件体积。建议研发团队关注该模块的散热集成方案，将其应用于下一代高频、...
硅基氮化铝环形微谐振器及其在串联谐振变换器中的应用可行性
Contour-Mode Ring-Shaped AlN Microresonator on Si and Feasibility of Its Application in Series-Resonant Converter
Abusaleh M. Imtiaz · Faisal H. Khan · Jeffrey S. Walling · IEEE Transactions on Power Electronics · 2015年8月
本文提出了一种基于硅基氮化铝（AlN）的压电微谐振器，旨在替代低功率谐振变换器中的分立无源元件（电感/电容）。该技术主要面向生物医学应用，通过MEMS工艺实现能量传输，为电力电子器件的小型化与集成化提供了新路径。
解读: 该技术属于MEMS与微型化电力电子领域，目前主要针对低功率、生物医学等极小尺寸场景，与阳光电源现有的光伏逆变器、PowerTitan储能系统等大功率工业级产品线存在较大技术跨度。虽然其提出的“无源元件集成化”思路具有前瞻性，但短期内难以应用于高功率密度、高可靠性要求的电力电子变换器。建议研发团队关注...