找到 2 条结果 · IEEE Transactions on Power Electronics

排序:
拓扑与电路 DAB DC-DC变换器 储能系统 ★ 5.0

一种基于三有源桥的多端口直流电力电子变压器

A Modular Multiport DC Power Electronic Transformer Based on Triple-Active-Bridge for Multiple Distributed DC Units

Xiaoquan Zhu · Jintao Hou · Lang Liu · Bo Zhang 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年11月

本文研究了一种基于三有源桥(TAB)的模块化输入独立输出串联(IIOS)多端口直流电力电子变压器。该拓扑结构支持光伏阵列、储能设备及直流负载直接接入中压直流(MVdc)母线,具备良好的电气隔离性能,并减少了直流单元间的功率变换级数。

解读: 该技术对阳光电源的PowerTitan和PowerStack储能系统及大型光伏电站解决方案具有重要参考价值。IIOS拓扑通过减少变换级数提升效率,契合阳光电源追求高功率密度和高效率的研发方向。其多端口特性可优化光储一体化系统的直流耦合架构,简化系统集成,降低中压直流母线接入成本。建议研发团队关注该拓...

功率器件技术 GaN器件 可靠性分析 宽禁带半导体 ★ 4.0

基于电流瞬态特征的p-GaN HEMT在重复ESD应力下的在线退化感知与机理分析

Online Degradation Sensing and Mechanism Analysis for p-GaN HEMTs Under Repetitive ESD Stresses Based on Current Transient Feature

Xiangxing Jiang · Yiqiang Chen · Bo Hou · Chuan Song 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 预计 2026年6月

针对p-GaN栅极增强型GaN HEMT的可靠性挑战,本文提出了一种基于电流瞬态特征的在线退化感知方法。通过追踪器件在重复静电放电(ESD)应力下的电流变化,实现了对器件退化状态的实时监测,并深入分析了其失效机理,为提升宽禁带半导体器件在电力电子系统中的可靠性提供了理论支撑。

解读: GaN作为宽禁带半导体,是阳光电源下一代高功率密度光伏逆变器和户用储能产品的关键技术储备。该研究提出的在线退化感知方法,对于提升阳光电源组串式逆变器及微型逆变器中功率模块的长期可靠性具有重要意义。建议研发团队关注该电流瞬态特征监测技术,将其集成至iSolarCloud智能运维平台或逆变器驱动电路中,...