找到 5 条结果 · IEEE Transactions on Power Electronics
用于并联SiC MOSFET电流均衡的辅助支路有源门极驱动器
Active Gate Driver With Auxiliary Branch for Current Sharing of Paralleled SiC MOSFETs
Cen Chen · Ziqi Tao · Sibao Ding · Lianyu Su 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年11月
在高功率应用中，SiC MOSFET并联技术常用于提升电流容量。然而，开关过程中的动态电流不平衡会导致功率和热分布不均，影响系统稳定性。本文提出了一种带辅助支路的主动门极驱动电路（AGD），旨在解决并联SiC MOSFET的电流不平衡问题，提升系统整体可靠性。
解读: 该技术对阳光电源的组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能系统具有极高价值。随着大功率逆变器和PCS模块向更高功率密度演进，SiC器件的并联应用已成为主流。该主动门极驱动方案能有效解决并联器件间的动态电流不平衡，降低开关损耗并提升热管理水平，从而显著提高高功率密度产品的可靠性与寿...
小样本预测验证测试：电力电子变换器的不确定性感知设计与鲁棒维护策略
Small-Sample Prediction Validation Testing: Uncertainty-Aware Design and Robust Maintenance Strategy for Power Electronic Converters
Qisen Sun · Cen Chen · Xiao Cai · Junpeng Gao 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年11月
针对电力电子变换器（PECs）退化预测中数据稀缺与测试周期短的挑战，本文提出了一种不确定性感知的设计与维护策略。该方法旨在通过小样本验证提升预测准确性，从而优化维护决策，增强系统运行稳定性并降低故障风险。
解读: 该研究直接契合阳光电源在光伏逆变器及储能系统（如PowerTitan、PowerStack）全生命周期管理中的核心痛点。在实际应用中，由于现场运行环境复杂且故障数据稀缺，基于该文的不确定性感知预测模型，可显著提升iSolarCloud智能运维平台对功率模块及电容等关键部件的寿命预测精度。建议将此算法...
1700V平面栅SiC MOSFET在栅极开关不稳定性下的退化依赖性分析与建模
Degradation Dependency Analysis and Modeling of 1700 V Planar-Gate SiC MOSFETs Under Gate Switching Instability
Cen Chen · Zicheng Wang · Xuerong Ye · Yifan Hu 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年2月
碳化硅（SiC）MOSFET在电力电子领域应用日益广泛，但栅极氧化层可靠性问题限制了其大规模应用。本文针对栅极开关不稳定性（GSI）导致的阈值电压漂移现象进行了深入研究，分析了其退化机理并建立了相应的预测模型，为提升高压功率器件的长期运行可靠性提供了理论支撑。
解读: 1700V SiC MOSFET是阳光电源高压组串式逆变器及PowerTitan系列液冷储能PCS的核心功率器件。随着系统电压等级向1500V及以上提升，栅极驱动的长期可靠性直接决定了产品的全生命周期性能。本文提出的GSI退化模型可指导阳光电源在驱动电路设计中优化栅极电压偏置策略，降低阈值电压漂移风...
一种基于偏置温度不稳定性
BTI）的功率MOSFET退化路径依赖性识别方法
Xuerong Ye · Qisen Sun · Ruyue Zhang · Yifan Hu 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年10月
偏置温度不稳定性（BTI）是导致功率MOSFET关键运行参数退化的主要可靠性问题。准确识别退化的路径依赖性对于量化任务剖面下的累积退化至关重要，该研究旨在确定应力交互作用对器件退化的具体影响机制。
解读: 该研究直接关系到阳光电源核心产品（如组串式/集中式逆变器、PowerTitan/PowerStack储能系统）中功率模块的长期可靠性。随着产品向高功率密度和宽禁带半导体（SiC/GaN）应用演进，BTI效应导致的退化评估变得尤为关键。该方法可集成至iSolarCloud智能运维平台，通过对MOSFE...
基于米勒平台电压的功率MOSFET栅极氧化层退化在线状态监测
Online Condition Monitoring of Power MOSFET Gate Oxide Degradation Based on Miller Platform Voltage
Xuerong Ye · Cen Chen · Yixing Wang · Guofu Zhai 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2017年6月
功率器件的状态监测对开关电源系统的诊断与预测至关重要。针对功率MOSFET常见的栅极氧化层退化问题，本文提出了一种全新的在线监测前兆指标，通过监测米勒平台电压的变化，实现了对栅极氧化层退化程度的实时评估，填补了该领域在线监测方法的空白。
解读: 该研究对于提升阳光电源核心产品（如组串式逆变器、PowerTitan储能系统及电动汽车充电桩）的可靠性具有重要意义。功率MOSFET/IGBT作为电力电子变换器的核心，其栅极可靠性直接影响设备寿命。通过集成该在线监测算法至iSolarCloud智能运维平台，可实现对逆变器及PCS功率模块的早期故障预...