找到 2 条结果 · IEEE Transactions on Power Electronics
1700V平面栅SiC MOSFET在栅极开关不稳定性下的退化依赖性分析与建模
Degradation Dependency Analysis and Modeling of 1700 V Planar-Gate SiC MOSFETs Under Gate Switching Instability
Cen Chen · Zicheng Wang · Xuerong Ye · Yifan Hu 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年2月
碳化硅（SiC）MOSFET在电力电子领域应用日益广泛，但栅极氧化层可靠性问题限制了其大规模应用。本文针对栅极开关不稳定性（GSI）导致的阈值电压漂移现象进行了深入研究，分析了其退化机理并建立了相应的预测模型，为提升高压功率器件的长期运行可靠性提供了理论支撑。
解读: 1700V SiC MOSFET是阳光电源高压组串式逆变器及PowerTitan系列液冷储能PCS的核心功率器件。随着系统电压等级向1500V及以上提升，栅极驱动的长期可靠性直接决定了产品的全生命周期性能。本文提出的GSI退化模型可指导阳光电源在驱动电路设计中优化栅极电压偏置策略，降低阈值电压漂移风...
功率变换器分析与设计的阻抗增强与削弱网络
Impedance Strengthening and Weakening Networks for Power Converter Analysis and Design
Guidong Zhang · Haodong Chen · Samson S. Yu · Chi K. Tse · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年9月
本文提出了阻抗增强与削弱（ISW）网络概念，用于描述功率变换器的工作机制，并推导出一套广义的阻抗设计原则。阻抗增强指负载阻抗高于输入等效阻抗，从而实现电压增益；反之则为阻抗削弱。该方法为变换器建模与稳定性分析提供了新视角。
解读: 该研究提出的ISW网络概念对阳光电源的核心业务具有重要指导意义。在光伏逆变器（如SG系列组串式逆变器）和储能变流器（如PowerTitan/PowerStack）的开发中，面对日益复杂的弱电网环境，基于阻抗的稳定性分析是防止并网振荡的关键。通过应用ISW设计原则，研发团队可以更直观地优化变换器输出阻...