找到 1 条结果 · IEEE Transactions on Power Electronics

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功率器件技术 SiC器件 宽禁带半导体 可靠性分析 ★ 5.0

基于动态阈值电压提取的SiC MOSFET在线结温测量

Online Junction Temperature Measurement for SiC MOSFET Based on Dynamic Threshold Voltage Extraction

Xi Jiang · Jun Wang · Hengyu Yu · Jianjun Chen 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年4月

本文提出了一种基于动态阈值电压的SiC MOSFET在线结温监测方法。该方法不依赖于负载电流变化,消除了复杂校准过程,为关键电力电子变换器的可靠运行提供了有效的结温估计方案。

解读: 该技术对阳光电源的核心产品线具有极高价值。随着公司在组串式逆变器、PowerTitan储能系统及电动汽车充电桩中大规模应用SiC MOSFET以提升功率密度和效率,结温的精准在线监测是提升系统可靠性、实现预测性维护的关键。该方法无需负载电流校准,易于集成至iSolarCloud平台或嵌入式控制系统中...