找到 2 条结果 · IEEE Transactions on Power Electronics

排序:
拓扑与电路 多电平 PWM控制 并网逆变器 ★ 5.0

多电平变换器的统一选择性谐波消除

Unified Selective Harmonic Elimination for Multilevel Converters

Kehu Yang · Qi Zhang · Jianjun Zhang · Ruyi Yuan 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2017年2月

针对多电平变换器中选择性谐波消除(SHE)方程与开关模式高度耦合的问题,本文提出了一种统一的SHE方法。该方法将不同开关模式下的SHE方程合并为一组统一方程,简化了复杂多电平拓扑的谐波控制逻辑,提升了系统输出电能质量。

解读: 该研究直接服务于阳光电源的核心产品线,特别是大功率集中式光伏逆变器和PowerTitan系列储能变流器(PCS)。随着光伏与储能系统向更高电压等级和多电平拓扑演进,谐波治理是提升并网性能的关键。该统一SHE方法可显著优化多电平逆变器的调制算法,降低输出电流谐波,减少对滤波器的体积要求,从而降低系统成...

功率器件技术 GaN器件 宽禁带半导体 可靠性分析 ★ 4.0

一种具有强抗噪能力的GaN HEMT短路保护电路

A Short-Circuit Protection Circuit With Strong Noise Immunity for GaN HEMTs

Jianping Wu · Wuji Meng · Fanghua Zhang · Guangdong Dong 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年2月

氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMTs)因其高频和高速开关特性备受关注。然而,其短路耐受能力较弱,因此快速短路保护至关重要。此外,GaN HEMT的高开关速度会给保护电路带来严重干扰。本文提出了一种具有强抗噪能力的短路保护电路,以解决上述挑战。

解读: 随着阳光电源在组串式光伏逆变器和户用储能产品中对功率密度要求的不断提升,GaN器件的应用潜力巨大。GaN的高开关速度虽能减小磁性元件体积,但其脆弱的短路耐受能力和高频下的EMI干扰是工程化应用的痛点。该研究提出的强抗噪短路保护方案,对于提升阳光电源下一代高频化逆变器及微型逆变器的可靠性具有重要参考价...