找到 74 条结果 · IEEE Transactions on Power Electronics
考虑寄生电容的三电平半桥DAB变换器开关过电压分析与抑制
Analysis and Suppression of Switch Overvoltage in Three-Level Half-Bridge DAB Converter Considering Parasitic Capacitance
Liuyu Zeng · Yu Zhao · Feng Wang · Zongxin Ye 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年4月
NPC三电平半桥拓扑因能降低功率开关电压应力，被广泛应用于高压DAB变换器中。然而，当内移相时间短于死区时间时，会出现严重的过电压问题，导致内管电压超过额定值。本文分析了该现象的机理，并提出了相应的抑制策略。
解读: 该研究直接关联阳光电源的储能系统（如PowerTitan、PowerStack）及大功率光伏逆变器中的DC-DC变换环节。三电平DAB拓扑是实现高压直流侧高效能量转换的核心，而开关过电压问题直接影响系统的可靠性与功率密度。通过优化死区控制与寄生参数匹配，可有效提升阳光电源PCS产品的耐压裕量与开关频...
中压SiC MOSFET功率模块米勒区持续振荡的建模与稳定性分析
Modeling and Stability Analysis of Sustained Oscillations During the Miller Region for Medium-Voltage SiC MOSFET Power Modules
Zhixing Yan · Gao Liu · Thore Stig Aunsborg · Benjamin Futtrup Kjærsgaard 等9人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年12月
本文针对10 kV SiC MOSFET功率模块在米勒区出现的持续振荡现象进行了研究。这种振荡会降低模块的鲁棒性甚至导致失效，且随栅极对底板寄生电容的增加而加剧。文章揭示了寄生电容参与振荡的内在机理，为高压功率模块的设计提供了理论支撑。
解读: 该研究对阳光电源的高压储能系统（如PowerTitan系列）及大功率组串式/集中式光伏逆变器至关重要。随着公司产品向更高电压等级（如1500V及以上）和SiC器件应用演进，栅极驱动电路的稳定性直接影响系统可靠性。文章提出的寄生电容振荡机理分析，可指导研发团队在功率模块选型、PCB布局设计及驱动电路优...
漏源电容对双向CLLC谐振变换器升压增益及谐振频率限制的影响
Boost-Gain Reduction and Resonant-Frequency Limitation on Bidirectional CLLC Resonant Converters Due to Drain-Source Capacitance
Yunfei Wang · Hongfei Wu · Hang Wang · Shaoliang An 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年10月
本文揭示了开关管漏源寄生电容对双向CLLC谐振变换器升压增益的限制作用。研究发现，与理想模型相比，即使极小的漏源电容也会导致变换器在谐振频率以下区域的电压增益显著下降，并对谐振频率产生限制。
解读: CLLC拓扑是阳光电源储能系统（如PowerTitan、PowerStack系列）及电动汽车充电桩中实现高效双向DC-DC变换的核心技术。该研究深入分析了寄生电容对增益的影响，对优化高频化、高功率密度变换器设计具有重要指导意义。在产品研发中，建议在设计谐振参数时充分考虑开关管（特别是SiC MOSF...
基于时域分析的LLC变换器ZVS实现分析与优化设计
ZVS Implementation Analysis and Optimization Design of LLC Converter Based on TDM-DC
Fangang Meng · Shengren Yong · Jinmeng Wu · Yuan Shu 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年10月
为提升LLC变换器效率并确保全工作范围内的零电压开关（ZVS），本文提出了一种基于时域分析的优化设计方法。针对现有方法忽略死区时间内电流下降及寄生电容影响导致ZVS估计过于乐观的问题，本文通过精确建模，为高效率功率变换提供了更可靠的设计依据。
解读: LLC谐振变换器是阳光电源户用光伏逆变器及储能系统（如PowerStack、PowerTitan系列中的DC-DC环节）的核心拓扑。该研究通过精确的时域分析优化ZVS实现，能够有效降低开关损耗，提升系统在宽电压范围下的转换效率。建议研发团队将此优化设计方法应用于新一代高功率密度逆变器及储能变流器（P...
一种用于并网光伏系统的共地型开关升降压电压源逆变器
Common-Ground Type Switching Step-Up/Step-Down VSI for Grid-Connected PV System
Hanlei Tian · Wei Han · Maolin Chen · Guozhuang Liang 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年8月
无变压器微型逆变器因低成本和高效率在光伏并网中广泛应用，但需解决共模电压引起的共模漏电流问题。本文提出一种新型无变压器双模电压源逆变器，通过共地结构短路寄生电容，有效抑制漏电流，并实现升降压功能。
解读: 该拓扑结构直接针对无变压器逆变器漏电流这一行业痛点，对阳光电源的户用及组串式逆变器产品线具有极高参考价值。通过共地设计消除漏电流，不仅能提升系统安全性，还可简化EMI滤波器设计，降低成本。建议研发团队评估该拓扑在小功率户用光伏逆变器中的应用潜力，特别是针对高压光伏组件输入场景，其升降压能力有助于提升...
一种具有优化系统接口和电场分布的10 kV SiC MOSFET功率模块
A 10 kV SiC MOSFET Power Module With Optimized System Interface and Electric Field Distribution
Xiaoling Li · Yuxiang Chen · Hao Chen · Riya Paul 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年8月
本文提出了一种针对10 kV碳化硅（SiC）MOSFET功率模块的系统化设计方法。通过多目标优化，实现了电场分布的增强、共模寄生电容的最小化以及系统级寄生电感的降低，为高压功率模块的设计提供了创新技术路径。
解读: 该研究聚焦于高压SiC功率模块的封装与电磁优化，对阳光电源的核心业务具有极高价值。10 kV SiC器件是实现中压直挂（MV-grid）光伏逆变器和储能PCS的关键，能显著减少变压器体积并提升系统效率。该模块的电场优化与寄生参数控制技术，可直接应用于PowerTitan等大功率储能系统及集中式光伏逆...
SiC半桥功率模块损耗不平衡的发现——分析与验证
Discovery of Loss Imbalance in SiC Half-Bridge Power Modules – Analysis and Validations
Benjamin Futtrup Kjærsgaard · Gao Liu · Thore Stig Aunsborg · Dipen Narendra Dalal 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年5月
本文揭示了半桥功率模块中高侧与低侧SiC MOSFET开关损耗不一致的现象。研究发现，由于高侧栅极寄生电容的影响，高侧器件的开关损耗比低侧高出40%以上。该发现对中压功率模块的设计与效率优化具有重要参考价值。
解读: 该研究对阳光电源的核心产品线（如组串式光伏逆变器、PowerTitan储能系统及风电变流器）具有重要指导意义。随着公司产品向高功率密度、高效率的SiC方案转型，高侧与低侧损耗不平衡问题直接影响模块的热设计与寿命评估。建议研发团队在设计阶段引入该寄生参数模型，优化驱动电路布局与驱动参数，以平衡热应力，...
混合封装SiC功率模块中寄生电容对传导EMI及开关损耗的综合分析与优化
Comprehensive Analysis and Optimization of Parasitic Capacitance on Conducted EMI and Switching Losses in Hybrid-Packaged SiC Power Modules
Yifan Zhang · Yue Xie · Cai Chen · Xinyue Guo 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年11月
宽禁带（WBG）器件的高开关速度为功率模块发展带来突破，但寄生参数在高频切换下加剧了功率损耗与电磁干扰（EMI）问题。本文提出了一种具有超低寄生参数的1200V/24A SiC半桥功率模块，旨在优化开关性能并抑制EMI。
解读: 该研究直接服务于阳光电源核心产品线的技术迭代。随着公司组串式逆变器和PowerTitan/PowerStack储能系统向更高功率密度和更高开关频率演进，SiC器件的应用已成必然。通过优化功率模块的寄生电容，不仅能显著降低开关损耗，提升整机效率，还能有效解决高频化带来的EMI合规性难题，降低滤波器设计...
光触发自适应零电压开关
Optically Triggered Self-Adaptive Zero Voltage Switching
Borong Hu · Yunlei Jiang · Luke Shillaber · Hengyu Wang 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年9月
零电压开关（ZVS）能提升电力电子效率，但受功率半导体非线性寄生电容及负载电流变化影响，实现难度较大。本文提出一种利用SiC MOSFET本征电致发光（EL）特性的自适应ZVS方法，通过在每个开关周期自动调节开关频率，实现最优ZVS控制。
解读: 该技术对阳光电源的核心产品线具有重要价值。在组串式光伏逆变器和PowerTitan/PowerStack储能变流器（PCS）中，SiC器件已成为提升功率密度和效率的关键。利用SiC本征电致发光实现自适应ZVS，可有效降低开关损耗，解决宽禁带器件在复杂工况下的软开关控制难题。建议研发团队关注该传感机制...
SiC功率模块中硅基RC缓冲器的异构集成以降低寄生振荡噪声
Heterogeneous Integration of Silicon-Based RC Snubber in SiC Power Module for Parasitic Oscillation Noise Reduction
Yu Zhou · Yuting Jin · He Xu · Haoze Luo 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年6月
由于SiC器件开关速度快且电容较小，寄生振荡已成为SiC变换器中高频EMI噪声的主要来源。直流母线缓冲器是经济有效的噪声抑制方案，但现有陶瓷电容存在温度限制和热降额问题。本文提出了一种在SiC功率模块内异构集成硅基RC缓冲器的方法，有效解决了噪声抑制与热稳定性之间的矛盾。
解读: 该技术对阳光电源的SiC组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能变流器（PCS）具有重要价值。随着公司产品向更高功率密度和更高开关频率演进，SiC器件带来的EMI和寄生振荡问题日益突出。将RC缓冲器异构集成至功率模块内部，不仅能显著提升电磁兼容性（EMC）表现，还能优化模块的热设...
电动汽车充电桩前端Vienna整流器的谐波谐振抑制策略
Harmonic Resonance Suppression Strategy of the Front-End Vienna Rectifier in EV Charging Piles
Min Zhang · Yuchao Yuan · Xiaofeng Sun · Yuliang Zhang 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年1月
由于电动汽车充电桩安装位置分散，常通过不同长度的电缆接入电网。电缆寄生电感与电容产生的谐振会放大背景谐波，导致前端Vienna整流器的并网电流严重畸变。本文提出了一种谐波谐振抑制策略，以提升充电桩在复杂电网环境下的电能质量与运行稳定性。
解读: 该研究直接服务于阳光电源的电动汽车充电桩业务。Vienna整流器是高功率充电桩前端的核心拓扑，其在弱电网或长电缆接入场景下的谐振问题是提升产品电能质量的关键。通过该策略，阳光电源可优化充电桩控制算法，有效抑制谐波畸变，提升产品在复杂电网环境下的适应性和可靠性，从而增强在公共充电站及工商业充电场景下的...
基于GaN的逆变器损耗建模的影响因素与考量
Factors and Considerations for Modeling Loss of a GaN-based Inverter
Zhe Yang · Paige Renne Williford · Edward A. Jones · Jianliang Chen 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年3月
本文研究了四个常被忽视的因素对GaN全桥逆变器损耗模型的影响：器件寄生电容、变功率下的结温动态特性、壳温估算以及无源元件的详细考量。文章提出了综合考虑上述因素的转换器损耗计算流程，旨在提升高频电力电子系统的建模精度。
解读: 随着阳光电源在户用及工商业光伏逆变器中对高功率密度和高效率的追求，GaN等宽禁带半导体技术的应用已成为提升产品竞争力的关键。本文提出的损耗建模方法论，能够精准指导阳光电源研发团队在设计阶段优化散热布局与磁性元件选型，特别是在高频化趋势下，对降低组串式逆变器及微型逆变器的热应力、延长功率模块寿命具有重...
电压相关电容储能的简易计算公式
A Simple Equation for the Energy Stored by Voltage-Dependent Capacitances
Utkarsh Jadli · Faisal Mohd-Yasin · Hamid Amini Moghadam · Jordan R. Nicholls 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年12月
功率半导体器件的寄生电容随电压变化，导致开关损耗计算困难。厂商提供的有效电容值常用于电路设计，但用于计算储能时会产生误差。本文提出了一种简易公式，用于准确计算电压相关电容的储能。
解读: 该研究直接关系到阳光电源核心产品（如组串式/集中式光伏逆变器、PowerTitan储能系统）中功率模块的效率优化。在设计高频化、高功率密度的SiC/GaN功率变换器时，准确评估开关损耗至关重要。该简易公式能帮助研发团队在选型阶段更精准地预估损耗，优化驱动电路设计，从而提升逆变器和PCS的整机效率，并...
宽禁带半导体器件开关振荡综述
A Review of Switching Oscillations of Wide Bandgap Semiconductor Devices
Jian Chen · Xiong Du · Quanming Luo · Xinyue Zhang 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年12月
宽禁带（WBG）器件凭借高频、高效及高功率密度优势，成为电力电子转换器的核心。然而，其极低的寄生电容与极快的开关速度导致开关振荡问题突出，易引发电压电流过冲、直通故障及电磁干扰，影响系统稳定性与可靠性。
解读: 随着阳光电源组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能系统向高功率密度与高频化演进，SiC等宽禁带器件的应用已成必然。开关振荡不仅影响电磁兼容性（EMC），还可能导致功率模块失效，降低系统可靠性。建议研发团队在设计阶段利用该文献的理论基础，优化PCB布局以降低寄生参数，并结合有源门...
现代电力电子封装中数字设计与有限元分析综述
Overview of Digital Design and Finite-Element Analysis in Modern Power Electronic Packaging
Asger Bjorn Jorgensen · Stig Munk-Nielsen · Christian Uhrenfeldt · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年10月
宽禁带（WBG）半导体要求封装具备更低的寄生电感与电容，这推动了高集成度封装技术的发展。由于高集成度增加了电压、电流及温度测量的难度，设计人员需更多依赖仿真手段来洞察原型机的运行状态。本文综述了现代电力电子封装中的数字设计方法与有限元分析技术。
解读: 该技术对于阳光电源的组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能系统至关重要。随着SiC等宽禁带器件在光储产品中的广泛应用，高功率密度设计成为核心竞争力，但也带来了严峻的散热与寄生参数挑战。通过引入先进的有限元仿真与数字设计流程，研发团队能更精准地优化功率模块布局，降低寄生参数对开关...
一种用于光伏应用的两级T型混合五电平无变压器逆变器
A Two-Stage T-Type Hybrid Five-Level Transformerless Inverter for PV Applications
Sateesh Kumar Kuncham · Kirubakaran Annamalai · Nallamothu Subrahmanyam · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年9月
本文提出了一种用于并网光伏系统的两级T型混合五电平无变压器逆变器。该拓扑结合电平移位脉宽调制（LS-PWM）技术，通过消除光伏寄生电容两端电压的高频波动及突变，有效抑制了漏电流，提升了系统安全性与效率。
解读: 该研究提出的五电平T型拓扑在提升逆变效率和减小输出谐波方面具有显著优势，高度契合阳光电源组串式逆变器（String Inverter）的技术演进方向。通过多电平技术，可以进一步优化逆变器的功率密度，降低磁性元件体积，从而提升户用及工商业光伏产品的竞争力。建议研发团队关注该拓扑在抑制漏电流方面的具体实...
一种具有分裂谐振槽和矩阵变压器的1-kV输入SiC LLC变换器
A 1-kV Input SiC LLC Converter With Split Resonant Tanks and Matrix Transformers
Xiaoyong Ren · Zhi-Wei Xu · Zhiliang Zhang · Haoran Li 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年11月
本文提出了一种采用矩阵平面变压器的1-kV输入SiC LLC变换器，旨在实现高效率与高功率密度。针对1-kV高压输入下SiC MOSFET快速开关（140 ns）产生的11.8 kV/μs高dv/dt，分析了其通过变压器寄生电容产生的位移电流问题，并提出了优化方案。
解读: 该技术对阳光电源的组串式逆变器及储能系统（如PowerTitan、PowerStack）具有重要参考价值。随着光伏系统向1500V直流侧电压演进，高压SiC器件的应用已成为提升功率密度和效率的关键。文中提到的矩阵变压器技术和对高dv/dt下寄生参数的抑制策略，可直接应用于阳光电源大功率DC-DC变换...
一种用于并网光伏系统的无变压器升压逆变器
An Integrated Step-Up Inverter Without Transformer and Leakage Current for Grid-Connected Photovoltaic System
Xuefeng Hu · Penghui Ma · Benbao Gao · Meng Zhang · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年10月
本文研究了一种用于光伏发电的集成式无变压器升压逆变器。该拓扑通过结合传统Boost变换器与单相全桥DC-AC逆变器实现。其核心优势在于有效抑制了由光伏阵列对地寄生电容引起的漏电流问题，同时具备升压能力，适用于高效率、小体积的光伏并网应用。
解读: 该拓扑结构对阳光电源的户用及组串式逆变器产品线具有重要参考价值。无变压器设计能显著提升逆变器功率密度并降低成本，而对漏电流的抑制是提升光伏系统安全性和电磁兼容性的关键。建议研发团队关注该集成升压方案在提升低压光伏组件输入电压适应性方面的潜力，特别是在户用光伏领域，通过优化Boost与逆变级的集成控制...
利用低介电常数材料降低共模电磁干扰的功率半导体模块
Power Semiconductor Module With Low-Permittivity Material to Reduce Common-Mode Electromagnetic Interference
Jong-Won Shin · Chi-Ming Wang · Ercan M. Dede · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年12月
本文提出了一种在功率半导体模块中布局低介电常数材料的设计方案，旨在降低寄生共模（CM）电容，从而抑制共模电流。在不牺牲半导体器件与散热器之间热性能的前提下，通过将直接键合铜（DBC）基板底部部分铜层替换为空气，有效降低了寄生电容，优化了模块的电磁兼容性（EMC）。
解读: 该技术对阳光电源的核心产品线（如组串式逆变器、PowerTitan储能系统及风电变流器）具有重要应用价值。随着功率密度不断提升，高频开关带来的EMI问题已成为系统设计的瓶颈。该方案通过优化DBC基板结构降低寄生电容，在不影响散热的前提下改善EMC性能，有助于减小滤波器体积，提升整机功率密度。建议研发...
功率器件寄生电容对电压源逆变器输出畸变的影响
Influences on Output Distortion in Voltage Source Inverter Caused by Power Devices’ Parasitic Capacitance
Dafang Wang · Peng Zhang · Yi Jin · Miaoran Wang 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年5月
本文研究了空间矢量脉宽调制（SVPWM）中死区时间引入导致的电压电流畸变及零电流钳位现象。重点分析了功率开关器件寄生电容对逆变器输出畸变的影响，旨在揭示其复杂机理并优化控制性能。
解读: 该研究直接关联阳光电源的核心产品线——光伏逆变器及储能变流器（PCS）。在追求高功率密度和高效率的过程中，功率器件（如IGBT/SiC）的寄生电容效应愈发显著。该分析有助于优化阳光电源组串式及集中式逆变器的SVPWM调制策略，特别是在低电流工况下，通过补偿死区效应和寄生电容影响，能显著提升输出电流质...
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