找到 3 条结果 · IEEE Transactions on Power Electronics
一种用于相腿配置中具有快速开关瞬态的SiC MOSFET的改进型串扰抑制驱动拓扑
An Improved Crosstalk Suppression Driver Topology for SiC MOSFET With Fast Switching Transient in the Phase-Leg Configuration
Jiaxing Ye · Mingyi Wang · Sihang Cui · Chengming Zhang 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年6月
随着SiC MOSFET在高功率转换器中的广泛应用，其高速开关特性带来的栅源极串扰电压问题日益突出，易导致误导通及桥臂直通故障。本文提出了一种改进的驱动拓扑，旨在有效抑制串扰电压，提升高频开关下功率转换系统的可靠性与稳定性。
解读: 该技术对阳光电源的核心产品线具有极高价值。随着组串式逆变器和PowerTitan系列储能PCS向更高功率密度和更高开关频率演进，SiC MOSFET的应用已成为主流。该驱动拓扑能有效解决高频开关下的串扰问题，直接提升逆变器和PCS的功率密度与转换效率，同时降低因误导通导致的故障风险，显著增强产品的可...
考虑死区效应和开关损耗以降低共模电压的改进单边调制技术
Modified Single-Edge Modulation to Decrease Common-Mode Voltage With Considering Deadtime Effects and Switching Losses for Three-Phase VSIs
Jiaxing Ye · Mingyi Wang · Sihang Cui · Chengming Zhang 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年8月
随着功率半导体开关频率的提高，抑制电压源逆变器（VSI）产生的共模电压（CMV）至关重要，以减少电磁干扰（EMI）及电机轴电流等危害。本文提出了一种基于单边载波形式的改进调制技术，在考虑死区效应和开关损耗的前提下，有效降低了系统的共模电压。
解读: 该技术对阳光电源的组串式及集中式光伏逆变器产品线具有重要参考价值。随着逆变器功率密度提升，EMI问题日益突出，该调制策略在优化共模电压的同时兼顾了死区效应和损耗，有助于提升逆变器在高频化趋势下的电磁兼容性（EMC）表现。建议研发团队将其应用于新一代高频化逆变器平台的控制算法优化中，以降低滤波器体积，...
基于辅助换相谐振极的超低THD直流-交流变换器及其在平面驱动系统中的SiC器件应用
Auxiliary Commutated Resonant Pole-Based DC–AC Converter With Ultralow THD for Planar Actuation System With SiC Devices
Sihang Cui · Mingyi Wang · Jiaxing Ye · Mengcui Bi 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年6月
针对平面驱动系统对超低总谐波失真（THD）的需求，本文提出了一种基于辅助换相谐振极的DC-AC变换器。该拓扑解决了传统交错半桥变换器在零交叉失真和死区效应方面的局限性，克服了硬开关和开关频率变化带来的性能瓶颈，并利用SiC器件提升了系统效率与功率密度。
解读: 该文献探讨的辅助换相谐振极技术及SiC器件的高频应用，对阳光电源的逆变器技术演进具有参考价值。虽然其应用场景为平面驱动，但其核心的软开关技术可优化组串式逆变器或储能变流器（PCS）的功率模块设计，有助于进一步降低THD并提升转换效率。建议研发团队关注该拓扑在提升高功率密度逆变器性能方面的潜力，特别是...