找到 34 条结果 · IEEE Transactions on Power Electronics
一种考虑工作温度的碳化硅(SiC) MOSFET模块短路保护新方案
A Novel Short-Circuit Protection Scheme for Silicon Carbide (SiC) MOSFET Module Considering Operation Temperature
Yang Wen · Yuan Yang · Yan Li · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年8月
碳化硅(SiC) MOSFET凭借高开关速度和低损耗优势，在电力电子领域应用广泛。然而，其有限且随温度变化的短路耐受能力是制约其大规模应用的关键瓶颈。本文提出了一种基于功率评估的短路保护(SCP)新方案，旨在有效提升SiC器件在不同温度下的运行可靠性。
解读: 该研究直接针对SiC MOSFET的短路保护瓶颈，对阳光电源的组串式逆变器、PowerTitan/PowerStack储能变流器及风电变流器等核心产品具有极高的应用价值。随着公司产品向更高功率密度和更高效率迭代，SiC器件的应用比例持续提升，但其短路耐受时间短、对温度敏感等特性对驱动电路设计提出了严...
一种最小化RMS电流的CLLC变换器全迭代优化设计方法
A Full-Iteration Optimal Design Methodology of CLLC Converter With Minimized RMS Current
Ting Luo · Quanming Luo · Jia Li · Xueyi Yuan 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年10月
随着CLLC变换器在双向电动汽车充电器中的广泛应用，通过参数优化提升性能至关重要。相比频域模型，时域模型能显著提高设计精度。本文提出了一种全迭代优化设计方法，旨在最小化CLLC变换器的RMS电流，从而提升系统效率并简化复杂的操作模式分析。
解读: 该研究直接服务于阳光电源的电动汽车充电桩业务。CLLC拓扑是实现双向充放电（V2G）的核心技术，通过该全迭代优化设计方法，公司可进一步提升充电模块的功率密度与转换效率，降低热损耗。建议研发团队将该时域建模方法集成至充电桩功率模块的仿真设计平台中，以优化变压器与谐振参数，从而在保持高可靠性的前提下，显...
针对中点电压不平衡的双输入三电平T型逆变器共模电压抑制的载波基不连续空间矢量脉宽调制
A Carrier-Based Discontinuous Space-Vector PWM for Common-Mode Voltage Reduction in Dual-Input Three-Level T-Type Inverters With Unbalanced Neutral-Point Voltages
Qingzeng Yan · Haoming Chen · Tianrun Zhao · Xibo Yuan 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年9月
针对双输入三电平T型逆变器在中点电压不平衡时共模电压（CMV）升高的问题，本文提出了一种新型不连续空间矢量脉宽调制（RCMV-DSVPWM）策略。通过分析不平衡中点电压下的矢量CMV特性，重构空间矢量图并优化开关序列，有效降低了系统的共模电压。
解读: 该技术直接应用于阳光电源的核心产品——三电平T型组串式逆变器及储能PCS。在光伏发电和储能系统中，中点电压平衡控制是提升电能质量和系统可靠性的关键。通过引入RCMV-DSVPWM策略，可有效降低漏电流，减少对电网的电磁干扰，并提升系统在复杂工况下的稳定性。建议研发团队在下一代高功率密度组串式逆变器及...
基于寄生参数影响补偿的SiC MOSFET芯片精确提取
Accurate SiC MOSFET Chip Extraction Based on Parasitic Parameter Impact Compensation
Yang Li · Yuan Gao · Yan Zhang · Jinjun Liu 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年3月
随着SiC MOSFET在电力电子设备中的广泛应用，获取精确的器件波形与特性对于制造、变换器设计及运行评估至关重要。本文针对现有测量技术中寄生参数干扰的问题，提出了一种基于寄生参数影响补偿的精确提取方案，旨在提升SiC器件在实际应用中的测量精度与模型准确性。
解读: 该研究直接服务于阳光电源的核心功率电子技术领域。随着公司组串式逆变器及PowerTitan系列储能PCS向更高功率密度和更高开关频率演进，SiC MOSFET的应用已成为提升效率的关键。该技术能显著提升公司在功率模块选型、驱动电路优化及热仿真模型建立中的精度，有助于缩短研发周期并提升产品可靠性。建议...
针对直流侧电压不平衡的三电平逆变器解析式不连续空间矢量PWM
An Analytical Discontinuous Space-Vector PWM for Three-Level Inverters With Unbalanced DC-Link Voltages
Qingzeng Yan · Langtao Xiao · Haoming Chen · Xibo Yuan 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年7月
针对三电平逆变器直流侧电压不平衡问题，传统PWM调制会导致谐波增加及线性调制范围缩小。本文提出一种解析式不连续空间矢量PWM（DSVPWM）策略，旨在抑制输出谐波、最大化线性调制范围，并有效降低开关损耗。
解读: 该技术对阳光电源的组串式及集中式光伏逆变器具有重要意义。在大型地面电站或工商业项目中，由于光伏组串遮挡、老化不一致或电容参数偏差，直流侧电压不平衡现象时有发生。该解析式DSVPWM策略能够直接优化逆变器在非理想工况下的输出质量，提升系统效率并降低开关损耗。建议研发团队将其集成至iSolarCloud...
具有共源电感和开尔文源极连接的SiC MOSFET开关特性分析与应用评估
Switching Characteristic Analysis and Application Assessment of SiC MOSFET With Common Source Inductance and Kelvin Source Connection
Yang Li · Yan Zhang · Yuan Gao · Sixing Du 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年7月
本文对比分析了TO-247-3（共源电感）和TO-247-4（开尔文连接）封装SiC MOSFET的开关特性。研究指出，由于封装差异，采用传统测试电路会导致评估偏差和设计误导。文章深入探讨了两种封装下的栅极特性差异，为电力电子变换器的精确设计提供了理论依据。
解读: 该研究对阳光电源的核心产品线（如组串式光伏逆变器、PowerTitan储能变流器及电动汽车充电桩）具有极高的参考价值。随着公司产品向高功率密度和高效率演进，SiC器件已成为主流选择。TO-247-4封装通过开尔文连接有效降低了共源电感对开关速度的限制，能显著提升逆变器效率并降低开关损耗。建议研发团队...
一种降低电流极性依赖性的三电平T型变换器死区效应消除双调制波PWM方法
A Double-Modulation-Wave PWM With Reduced Dependency on Current Polarities for Dead-Time-Effect Elimination in Three-Level T-Type Converters
Qingzeng Yan · Langtao Xiao · Xibo Yuan · Xincheng Zhang 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年7月
针对三相三电平T型变换器，现有的死区消除PWM技术高度依赖输出电流极性，限制了其应用范围。本文提出了一种双调制波PWM策略，通过优化脉冲分配，在无需死区的情况下有效消除死区效应，并降低了对电流极性检测的依赖，提升了系统的鲁棒性。
解读: 该技术直接应用于阳光电源的核心产品线——组串式及集中式光伏逆变器。T型三电平拓扑是公司中大功率逆变器的主流方案，死区效应是影响输出电流谐波畸变率（THD）和效率的关键因素。通过该双调制波PWM策略，可在不增加硬件成本的前提下，提升逆变器在低电流区间的波形质量，减少对电流传感器极性判断的依赖，从而增强...
一种用于三电平SVPWM的abc坐标系简化解析算法
A Simplified Analytical Algorithm in abc Coordinate for the Three-Level SVPWM
Qingzeng Yan · Zanrong Zhou · Mingbo Wu · Xibo Yuan 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年4月
针对传统三电平空间矢量脉宽调制（3L SVPWM）计算复杂度高的问题，本文提出了一种在abc坐标系下的简化解析算法。该方法显著降低了计算负担，特别适用于高开关频率、短计算周期的碳化硅（SiC）功率转换器应用场景。
解读: 该算法对阳光电源的核心产品线具有极高的应用价值。随着公司组串式逆变器及PowerTitan系列储能变流器（PCS）向高功率密度和高开关频率演进，SiC器件的应用日益普及。传统的3L SVPWM计算量大，限制了控制环路的带宽。该简化算法能有效降低DSP/FPGA的算力消耗，在提升开关频率的同时保证控制...
一种用于SiC器件高频变换器死区效应消除与同步整流的双调制波PWM方法
A Double-Modulation-Wave PWM for Dead-Time-Effect Elimination and Synchronous Rectification in SiC-Device-Based High-Switching-Frequency Converters
Qingzeng Yan · Xibo Yuan · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年12月
碳化硅（SiC）器件使功率变换器能实现100kHz以上的高频运行，但传统PWM死区会导致电压损失、低频谐波及线性调制范围缩减。本文提出一种双调制波PWM策略，通过消除死区效应并实现同步整流，有效提升了高频变换器的输出质量与效率。
解读: 该技术对阳光电源的高功率密度产品线至关重要。随着PowerTitan系列储能系统及组串式光伏逆变器向更高开关频率演进以减小磁性元件体积，死区效应带来的谐波和效率损失成为技术瓶颈。该双调制波PWM策略可直接应用于阳光电源的SiC基PCS及高频逆变器控制算法中，在提升转换效率的同时改善电能质量，有助于进...
一种基于DSOGI-FLL的消除死区PWM三相功率变换器
A DSOGI-FLL-Based Dead-Time Elimination PWM for Three-Phase Power Converters
Qingzeng Yan · Rende Zhao · Xibo Yuan · Wenzhong Ma 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年3月
本文提出了一种消除死区的PWM技术，通过根据电流极性切换上下开关管驱动脉冲，从根本上消除了死区效应。针对驱动脉冲切换引起的电流过零点畸变问题，文章引入DSOGI-FLL算法进行优化，提升了三相功率变换器的输出电流质量与控制精度。
解读: 该技术对阳光电源的核心产品线（组串式/集中式光伏逆变器、储能变流器PCS）具有显著的优化价值。死区效应是影响逆变器输出电流谐波畸变率（THD）和效率的关键因素，特别是在低电流区间。通过采用基于DSOGI-FLL的无死区PWM控制，阳光电源可进一步提升逆变器在弱电网环境下的电能质量，并降低功率模块的开...
一种基于单电流传感器的电压源逆变器开路故障诊断新方法
A Novel Open-Circuit Fault Diagnosis Method for Voltage Source Inverters With a Single Current Sensor
Hao Yan · Yongxiang Xu · Jibin Zou · Yuan Fang 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年10月
为降低成本、减小体积并提升恶劣环境下的可靠性，本文针对三相交流电机矢量控制系统，提出了一种基于单电流传感器重构相电流的电压源逆变器开路故障诊断新方法。该方法在实现电流重构的同时，有效识别了逆变器功率器件的开路故障。
解读: 该技术对阳光电源的组串式逆变器和储能变流器（PCS）产品线具有重要价值。通过单电流传感器实现故障诊断，不仅能显著降低硬件成本，还能在不增加额外传感器的情况下提升系统的可靠性与运维效率。建议研发团队评估该算法在PowerTitan及组串式逆变器中的集成可行性，特别是在空间受限或对成本敏感的户用及工商业...
采用SiC MOSFET和SiC肖特基二极管的分裂输出变换器性能评估
Performance Evaluation of Split Output Converters With SiC MOSFETs and SiC Schottky Diodes
Qingzeng Yan · Xibo Yuan · Yiwen Geng · Apollo Charalambous 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2017年1月
本文探讨了碳化硅（SiC）MOSFET和肖特基二极管在功率变换器中的应用。虽然SiC器件能显著提升功率密度和系统效率，但其超快开关特性引发了桥臂直通（串扰）、高开通损耗及电磁干扰（EMI）等挑战。文章针对分裂输出变换器进行了深入的性能评估与分析。
解读: 该研究对阳光电源的核心产品线具有重要指导意义。随着组串式光伏逆变器和PowerTitan系列储能PCS向更高功率密度和效率演进，SiC器件的应用已成为主流。针对文中提到的串扰和EMI问题，建议在研发中优化驱动电路设计及PCB布局，以充分发挥SiC的性能优势。该技术可直接应用于新一代高频化、小型化逆变...
一种基于简化重复预测器的高功率三相并网逆变器改进电网电压前馈策略
An Improved Grid-Voltage Feedforward Strategy for High-Power Three-Phase Grid-Connected Inverters Based on the Simplified Repetitive Predictor
Qingzeng Yan · Xiaojie Wu · Xibo Yuan · Yiwen Geng · IEEE Transactions on Power Electronics · 2016年5月
针对电网电压畸变导致并网逆变器输出电流谐波增加的问题，传统的电网电压前馈策略易受延时等误差影响。本文提出一种基于简化重复预测器的改进前馈策略，有效补偿了高功率逆变器在低开关频率下的延时效应，提升了并网电流质量。
解读: 该技术对阳光电源的组串式逆变器（如SG系列）和集中式逆变器（如1+X模块化逆变器）具有极高的应用价值。在高功率应用场景下，由于开关频率受限，电网电压前馈的延时补偿是提升电能质量的关键。该改进策略能显著增强逆变器在弱电网或复杂电网环境下的谐波抑制能力，提升iSolarCloud智能运维平台监测下的电网...
无变压器三相并网光伏逆变器中直流分量的最小化
Minimization of the DC Component in Transformerless Three-Phase Grid-Connected Photovoltaic Inverters
Qingzeng Yan · Xiaojie Wu · Xibo Yuan · Yiwen Geng 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2015年7月
直流分量是无变压器光伏并网系统中的关键问题，可能影响系统运行安全。IEEE 1547-2003标准规定并网电流中的直流分量应低于额定电流的0.5%。直流分量会导致工频功率纹波、直流母线电压纹波及二次谐波等问题。本文探讨了抑制该分量的技术方案，以提升系统并网性能与合规性。
解读: 直流分量抑制是阳光电源组串式和集中式光伏逆变器并网控制的核心技术之一。无变压器拓扑在提升效率和降低成本方面具有显著优势，但直流注入问题直接关系到电网合规性（如IEEE 1547标准）。建议将该研究成果应用于iSolarCloud智能运维平台的故障诊断算法中，通过实时监测逆变器输出电流的直流分量，预防...
一种用于四电平π型逆变器死区效应消除的双调制波准虚拟DPWM
A Double-Modulation-Wave Quasi-Virtual DPWM for Dead-Time-Effect Elimination in Four-Level π-Type Inverters
Qingzeng Yan · Yanyan Qin · Hailiang Xu · Xibo Yuan 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 预计 2026年6月
针对四电平π型逆变器中直流侧电压不平衡及死区效应问题，本文提出了一种新型双调制波准虚拟DPWM策略。该方法有效解决了现有死区补偿策略难以与直流侧电压平衡控制兼容的难题，提升了逆变器的输出波形质量与系统运行稳定性。
解读: 该研究针对四电平π型拓扑的控制优化，对阳光电源的高功率密度组串式逆变器及大型集中式逆变器具有重要参考价值。随着光伏系统向更高电压等级和更高效率演进，多电平拓扑的应用日益广泛。该文提出的死区补偿与电压平衡协同控制策略，有助于提升阳光电源逆变器在全功率范围内的谐波性能和转换效率。建议研发团队评估该调制策...
基于单片集成氮化镓蓝宝石二极管桥IC的1000V、10MHz倍压器
1000 V, 10 MHz Voltage Multiplier Based on Monolithically Integrated GaN-on-Sapphire Diode Bridge IC
Zineng Yang · Xin Yang · Hehe Gong · Hongchang Cui 等15人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年4月
本文展示了一种基于单片集成氮化镓（GaN-on-Sapphire）二极管桥IC的1000V、10MHz倍压器。研究填补了GaN器件在千伏级高频应用中的空白，验证了单片集成技术在实现高压、高频功率转换方面的潜力。
解读: 该研究展示了GaN器件在千伏级高压与超高频应用中的突破，对阳光电源的未来产品研发具有重要参考价值。在组串式逆变器和户用储能PCS领域，随着功率密度的不断提升，传统硅基器件已接近性能瓶颈，引入GaN-on-Sapphire等宽禁带半导体技术有助于进一步缩小磁性元件体积，提升整机效率。建议研发团队关注该...
一种基于dVDS/dt检测的具有自适应消隐时间生成的GaN HEMT短路保护电路
A GaN HEMT Short-Circuit Protection Circuit With Adaptive Blanking Time Generation Based on dVDS/dt Detection
Jiahui Lv · Yuan Yang · Yang Wen · Xingfeng Du 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年4月
氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）的短路保护对电力电子系统的可靠性至关重要。传统的去饱和检测法依赖于固定的消隐时间，若设置过长会导致短路期间功率损耗增加，引发热积累。本文提出了一种基于漏源电压变化率（dVDS/dt）检测的自适应消隐时间生成电路，旨在优化保护响应速度，提升GaN器件在短路故障下的可靠性。
解读: 随着阳光电源在户用光伏逆变器及小型化储能产品中对高功率密度要求的提升，GaN器件的应用潜力巨大。该研究提出的自适应短路保护技术，能够有效解决GaN器件在极端故障工况下的热应力问题，提升系统可靠性。建议研发团队关注该技术在下一代高频、高效率组串式逆变器及微型逆变器中的应用，通过优化驱动电路设计，在保证...
用于超高电流和热性能功率IGBT的压接式封装
The Press Pack Packaging for Power IGBTs With Extremely High Current and Thermal Performance
Erping Deng · Hongyu Sun · Yuan Sun · Lixin Wu 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年10月
本文提出了一种用于功率IGBT的压接式封装技术，旨在满足高压直流（HVDC）系统对功率密度和可靠性的严苛要求。文中设计了一种新型D型压接式IGBT结构，结合了P型和S型封装的优势，显著提升了电流承载能力与运行可靠性。
解读: 该技术对于阳光电源的大功率集中式光伏逆变器及大型储能系统（如PowerTitan系列）具有重要参考价值。HVDC级的高可靠性压接式IGBT封装技术，能够显著提升大功率变流模块的散热效率与抗热疲劳能力，从而延长设备在极端环境下的使用寿命。建议研发团队关注该D型结构在提升功率密度方面的潜力，将其作为未来...
通过瞬态热特性分析理解GaN HEMT在短路应力下的位错缺陷作用
Understanding the Role of Dislocation Defects of GaN HEMT under Short-Circuit Stress Through Transient Thermal Characterization
Xi Jiang · Yue Wu · Song Yuan · Xiangdong Li 等11人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年8月
氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）在高压短路应力下易发生快速失效。研究表明，衬底界面的位错缺陷在诱导器件退化和热击穿失效中起关键作用。本文探讨了短路应力下位错缺陷的形成机制及其对热性能的影响。
解读: 随着阳光电源在户用光伏逆变器及小型化储能系统中对高功率密度要求的不断提升，GaN器件的应用潜力巨大。本文揭示的位错缺陷与短路热失效机制，对公司研发团队在GaN功率模块的选型、驱动保护电路设计及热管理方案优化具有重要参考价值。建议在产品开发中引入该瞬态热特性分析方法，以提升高频化、小型化产品的可靠性设...
模块化多电平变换器
MMC）工况下压接式IGBT疲劳失效演化实验研究
Wei Lai · Yunjie Wu · Anbin Liu · Zhiyong Yuan 等9人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年8月
本文针对高压直流输电系统核心MMC拓扑中的压接式IGBT（PP IGBT）模块，开展了模拟实际MMC运行工况下的长期老化失效机理研究。通过实验分析，揭示了PP IGBT在复杂电热应力下的疲劳失效演化过程，对提升大功率电力电子设备的可靠性具有重要意义。
解读: 阳光电源在集中式光伏逆变器及大型储能系统（如PowerTitan系列）中，对高功率密度和高可靠性有着极高要求。虽然目前主流产品多采用模块化IGBT，但随着大功率电力电子技术向更高电压等级演进，压接式IGBT（PP IGBT）在极端工况下的失效机理研究对提升系统长寿命运行至关重要。该研究有助于优化阳光...
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