找到 1499 条结果
集成相变材料的空气源热泵蓄热单元实验与数值评估
Experimental and numerical assessment of thermal energy storage unit with PCM integrated to air source heat pump for enhancement of load shifting
Çağatay Yıldız · Müslüm Arıcı · Mustafa Seçilmiş · Dong Lidb · Energy Conversion and Management · 2025年12月 · Vol.345
摘要 本文开展了对集成于空气源热泵(ASHP)系统的蓄热(TES)单元的实验与数值评估。该蓄热单元由一个水箱及内部增设的若干管路构成,管路中填充有蓄热材料,即纯水或相变材料(PCM)。在实验研究中,采用月桂酸作为相变材料,并将其结果与使用水作为蓄热材料的情况进行对比。实验在四种不同的加热负荷条件下进行,范围从3.1 kW至12 kW。此外,基于实验数据建立了相应的数值模型。在数值模拟中,考虑了包括实验所用月桂酸在内的四种不同相变材料,并对其热性能进行了数值评估,同时与以水作为蓄热材料的情形进行了...
解读: 该相变储热技术对阳光电源ST系列储能系统具有重要参考价值。研究表明PCM材料可提升负荷转移指数达10.1%,与我司PowerTitan储能系统的削峰填谷功能高度契合。通过优化热导率可实现82.3%的LSI,为ST系列PCS在热电联供场景的应用提供技术启发。建议将相变储热与电化学储能耦合,结合iSol...
基于多梁结构的新型MEMS微波功率检测芯片
A Novel MEMS Microwave Power Detection Chip Based on Multibeam Structure
Haoyu Sun · Yuxiang Liang · Yuzhao Wu · Debo Wang · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年2月
为有效提高微机电系统(MEMS)微波功率检测芯片的灵敏度性能,本文提出了一种基于多梁结构的MEMS微波功率检测芯片。设计了四梁并联结构,增加了芯片的输出电容,从而提高了其灵敏度。同时,降低了单梁过长导致坍塌的风险,减少了粘连现象的发生。对该芯片的灵敏度和微波性能进行了理论研究,并完成了芯片的制备与测试。测试结果表明,在8 - 12 GHz频段内,$S_{11}$的测试结果介于 - 18.5 dB至 - 15.3 dB之间,而理论结果介于 - 26.8 dB至 - 25.2 dB之间,输入功率反射...
解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项基于多梁结构的MEMS微波功率检测芯片技术具有重要的战略参考价值。在光伏逆变器和储能系统中,精确的功率监测是保障系统效率和安全性的核心环节,该技术展现的高灵敏度特性为我们的功率管理系统升级提供了新思路。 该芯片采用四梁并联结构,灵敏度达到72.76 fF/W,较现有结...
Sn4+、Nb5+共掺BNT-SBT陶瓷的储能特性及其稳定性
Energy Storage Properties and Stability of Sn4+, Nb5+ Co-doped BNT-SBT Ceramics
肖齐龙 · 刘洋 · 黄椿 · 吴文娟 等5人 · 电子元件与材料 · 2025年4月 · Vol.44
针对下一代脉冲功率电容器,BNT基陶瓷因高储能密度和环境友好性成为理想介质,但其温频稳定性不足制约应用。采用固相法制备0.6(Na0.5Bi0.5)TiO3-0.4(Sr0.7Bi0.2)TiO3-x%SnNb2O7陶瓷,研究Sn4+/Nb5+共掺对结构与电性能的影响。结果表明,适量掺杂(x<0.6)使晶胞收缩,过量则析出Bi2Ti2O7杂相;异价离子引入局域随机场,形成弱耦合极性纳米微区,增强弛豫特性(1.89<γ<2.07)。当x=0.4时,材料在30–300 ℃介电稳定性优异(△εr/εr...
解读: 该BNT基无铅陶瓷电容器技术对阳光电源储能系统具有重要应用价值。研究实现的宽温频稳定性(30-180℃、1-50Hz范围内储能性能波动<15%)可直接应用于ST系列储能变流器的直流支撑电容和吸收电容,解决户外储能系统面临的极端温度工况挑战。0.8 J/cm³的储能密度和81%的效率指标可提升Powe...
通过Sr(Mg1/3Nb2/3)O3改性的NaNbO₃基反铁电陶瓷实现增强的电能存储性能
Enhanced electrical energy storage performance in NaNbO₃-based antiferroelectric ceramics modified with Sr(Mg1/3Nb2/3)O3
Zhilong Hu · Hongbo Liu · Journal of Materials Science: Materials in Electronics · 2025年9月 · Vol.36.0
NaNbO₃(NN)由于其反铁电性和环境友好特性,在能量存储器件中具有潜在应用价值,但其较低的介电击穿场强(Eb)和能量存储效率(ƞ)限制了实际应用。本研究通过引入Sr(Mg₁/₃Nb₂/₃)O₃(SMN)对NaNbO₃的结构和电学特性进行调控,以优化其能量存储性能。(1-x)NN-xSMN固溶体通过经典的固相反应法制备。根据X射线衍射分析结果,当x小于或等于0.15时,所制备的陶瓷呈现单一物相。随着x的增加,SMN破坏了长程极性有序,诱导出显著的弛豫型铁电相(RFE),使剩余极化(Pr)降低,...
解读: 该NaNbO₃基反铁电陶瓷储能材料研究对阳光电源ST系列PCS和PowerTitan储能系统具有前瞻价值。其1.28 J/cm³的能量密度和88%的高效率特性,为储能变流器中DC-link电容器、滤波电容等关键无源器件的小型化提供了材料学路径。通过提升介质击穿场强和降低剩余极化,可优化PCS功率密度...
基于矩形波导-人工表面等离激元结构的锐截止毫米波滤波功分器
Millimeter-Wave Filtering Power Divider With Sharp Roll-Off Skirt Using Rectangular Waveguide-Spoof Surface Plasmon Polariton Structure
Jianxing Li · Siyuan Lv · Weiyu He · Qinlong Li 等6人 · IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology · 2025年4月
本文提出了一种采用矩形波导(RW)类表面等离激元(SSPP)结构、具有陡峭滚降特性的全金属毫米波(mmWave)滤波功分器(FPD)。其上、下截止频率均取决于矩形波导 - 类表面等离激元单元的尺寸,可实现优异的滤波特性。在矩形波导中输入的 TE₁₀ 模电磁波,通过加载双面矩形波导 - 类表面等离激元结构,首先转换为 SSPP₁₂ 模,最后通过单面矩形波导 - 类表面等离激元结构转换为两个 SSPP₁₁ 模。为验证所提出的概念,制作并测试了一个原型。所提出的滤波功分器实现了从 22.1 GHz 到...
解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项毫米波滤波功分器技术虽然专注于射频器件领域,但其底层设计理念对我司在高频电力电子系统中具有一定的参考价值。 该技术采用矩形波导-人工表面等离激元(RW-SSPP)结构实现了22.1-27.5 GHz的宽带滤波与功率分配,其核心优势在于全金属结构带来的高可靠性、陡峭的滚...
环保型硝酸锂掺杂瓜尔胶聚合物电解质用于储能器件
Eco-friendly guar gum polymer electrolytes doped with lithium nitrate for energy storage devices
Madeswaran Saminathan · Journal of Materials Science: Materials in Electronics · 2025年1月 · Vol.36.0
通过溶液浇铸法将硝酸锂溶解于聚合物基质中,制备出一种基于天然瓜尔胶的固态聚合物电解质。获得了含不同浓度硝酸锂的自支撑瓜尔胶膜。X射线分析表明所制备的样品具有高度非晶态结构。傅里叶变换红外光谱(FTIR)分析证实了瓜尔胶与盐之间的络合作用。通过电化学阻抗谱测定离子电导率,其中含有1.2 g瓜尔胶和0.4 g硝酸锂的样品表现出最高的离子电导率,达1.07 × 10⁻³ S cm⁻¹。采用热重分析(TGA)研究聚合物电解质的热稳定性。介电谱用于测定介电常数和介电损耗,从而深入了解电解质的极化特性。最高...
解读: 该瓜尔胶基固态聚合物电解质技术对阳光电源储能系统具有前瞻价值。其1.07×10⁻³ S/cm的离子电导率、3.2V电化学稳定窗口及0.96的离子迁移数,可为PowerTitan储能系统和ST系列PCS的电池安全性提升提供新思路。天然高分子材料的环保特性契合ESS绿色制造方向,固态电解质技术可降低热失...
具有高梯度阶梯式碳掺杂缓冲层的GaN-on-GaN HEMT实现15.1 W/mm功率密度
15.1 W/mm Power Density GaN-on-GaN HEMT With High-Gradient Stepped-C Doped Buffer
作者未知 · IEEE Electron Device Letters · 2024年12月
在本研究中,我们首次提出了一种用于氮化镓(GaN)基氮化镓结构的高梯度(HG)阶梯式碳(阶梯式 - C)掺杂缓冲层设计,以提升器件的射频性能。该设计不仅避免了铁拖尾效应对二维电子气(2DEG)的影响,还能有效减轻再生长界面处硅杂质导致的界面传导损耗。最重要的是,HG 阶梯式 - C 缓冲层设计显著缓解了与高浓度碳相关的俘获效应。采用 HG 阶梯式 - C 缓冲层的 GaN 基氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)实现了 249 V 的击穿电压,319 mS/mm 的峰值跨导( ${g}_{\tex...
解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项GaN-on-GaN HEMT技术展现出显著的战略价值。该技术通过创新的高梯度阶梯式碳掺杂缓冲层设计,实现了15.1 W/mm的业界领先功率密度和57.2%的功率附加效率,这些性能指标直接契合我们在光伏逆变器和储能变流器领域对高功率密度、高效率功率器件的核心需求。 对...
基于引入欧拉算法的灰色预测理论的双绕组容错永磁电机驱动系统开路故障诊断策略研究
Research on Open Circuit Fault Diagnosis Strategy for DFPMM Drive System Based on Grey Prediction Theory With the Introduction of Euler Algorithm
Xuefeng Jiang · Shirui Yang · Xiaokang Weng · Zhijian Wei 等6人 · IEEE Transactions on Industrial Electronics · 2024年8月
双绕组容错永磁电机(DFPMM)具有功率密度高、效率高、运行稳定和容错能力强等特点,在军事和民用电力驱动系统中得到了有效应用。电气故障客观存在,任何单一电气故障都会影响电力驱动系统的可靠性。故障诊断和容错运行是电机驱动系统稳定运行的关键技术。针对传统开路故障(OCF)诊断方法速度不够快、智能化程度不足以及在负载突然变化时易误诊等问题,提出了一种基于引入欧拉算法的灰色预测理论的双绕组容错永磁电机驱动系统故障诊断策略。灰色预测理论可利用引入欧拉算法的灰色预测模型,用较少的数据对系统变化进行估计和预测...
解读: 从阳光电源的业务视角来看,这篇论文提出的基于改进灰色预测理论的开路故障诊断策略具有重要的应用价值。双绕组容错永磁电机(DFPMM)的高功率密度和强容错特性与我们在光伏逆变器、储能变流器及新能源汽车驱动系统中追求的技术方向高度契合。 该技术的核心价值在于通过引入欧拉算法优化灰色预测模型,实现了对功率...
在10⁷ ions/cm²注量和82.1 MeV⋅cm²/mg LET环境下抗辐照的1.4-kV β-Ga₂O₃异质结势垒肖特基二极管
1.4-kV Irradiation-Hardened β-Ga₂O₃ Heterojunction Barrier Schottky Diode Under 10⁷ ions/cm² Fluence and 82.1 MeV⋅cm²/mg LET Environments
Na Sun · Zhengliang Zhang · Feng Zhou · Tianqi Wang 等6人 · IEEE Electron Device Letters · 2025年5月
空间环境中重离子辐照引发的单粒子烧毁(SEB)对航空航天电力电子器件构成了重大威胁。本研究展示了具有卓越单粒子烧毁能力的抗辐照 $\beta $ -Ga₂O₃异质结势垒肖特基(HJBS)二极管。该器件设计采用了由 p 型氧化镍(NiO)填充的微米级深沟槽以及高介电常数钛酸钡(BaTiO₃)场板(FP)边缘终端结构。这种架构在单粒子辐照期间,通过具有低欧姆接触电阻的嵌入式沟槽 Ni/p - NiO 有效地提取辐射诱导的正电荷(空穴),通过精心设计的电荷泄放路径显著减轻了电荷聚集,同时最大限度地减少...
解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项1.4kV抗辐照β-Ga₂O₃异质结势垒肖特基二极管技术具有重要的战略参考价值,但其应用场景与公司当前主营业务存在显著差异。 该技术的核心突破在于解决航天环境下重离子辐照引发的单粒子烧毁问题,通过深沟槽p型NiO填充和高介电常数BaTiO3场板设计,实现了超过1.4k...
一种在软硬件系统不确定条件下的鲁棒功率硬件在环接口
A Robust Power Hardware-in-the-Loop Interface Under Uncertain Software and Hardware System
Soham Chakraborty · Mohammed Tuhin Rana · Murti V. Salapaka · IEEE Transactions on Industrial Electronics · 2024年11月
电力硬件在环(PHIL)框架为评估新架构以及变压器、变流器和电机等电力硬件提供了一个极具吸引力的平台。它允许在实验室规模下开展各种测试,所得到的结果与实际场景极为相似,同时还能避免在全规模电力系统上进行实验所带来的高昂成本和风险。然而,尽管PHIL框架具有诸多优势,但仍存在相当大的挑战,其性能往往不够稳健,且与实际场景的契合度需要量化和提升。本文通过在PHIL的硬件和软件组件之间构建一个接口来应对这些挑战,同时采用现代控制视角来处理内在的不确定性。本文提出了一种方法,用于量化由软件系统仿真电力网...
解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项基于μ综合的鲁棒性功率硬件在环(PHIL)接口技术具有重要的战略价值。作为全球领先的光伏逆变器和储能系统供应商,阳光电源在产品研发和测试环节面临着高昂的实验成本和系统风险,而PHIL技术恰好提供了一个低成本、高保真的测试平台解决方案。 该论文的核心创新在于通过现代控制...
通过插入Al₂O₃中间层实现多态与超低功耗铁电隧道结
Multistates and Ultralow-Power Ferroelectric Tunnel Junction by Inserting Al₂O₃ Interlayer
Yefan Zhang · Shihao Yu · Peng Yang · Xiaopeng Luo 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2024年12月
在本文中,我们设计了一种优化的铁电隧道结(FTJ)器件结构,即在 Hf₀.₅Zr₀.₅O₂(HZO)薄膜之间插入 3 纳米的 Al₂O₃。Al₂O₃ 中间层可以阻止 HZO 晶粒的纵向生长,并增加铁电畴的数量。因此,带有 Al₂O₃ 中间层的 FTJ 器件展现出惊人的多级状态(256 级)和超低的计算功耗(76.1 皮瓦/比特)。此外,所提出的 FTJ 器件具有高线性度( $\alpha _{\text {p}} = -1.262$ )、宽调制能力和良好的可重复性。研究结果表明,该器件在高能效类...
解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项铁电隧道结(FTJ)技术虽然当前主要面向类脑计算领域,但其核心特性与我们在新能源领域的技术需求存在潜在契合点。 该技术通过在HZO铁电薄膜中插入Al₂O₃中间层,实现了256级多态存储和76.1 pW/bit的超低功耗,这种极致的能效优化理念与阳光电源在光伏逆变器和储...
电解水制氢-储氢-输氢多环节联合规划
Integrated Planning of Electrolytic Hydrogen Production, Storage, and Transmission
作者未知 · 中国电机工程学报 · 2025年12月 · Vol.2025
To address spatial mismatch between hydrogen production and demand centers, this paper proposes an integrated planning model for electrolysis-based hydrogen production, high-pressure storage, and long-distance pipeline transmission, minimizing annual...
解读: 该研究与阳光电源氢能战略高度协同,尤其支撑其PEM电解槽配套PCS(如ST系列双向储能变流器)、PowerTitan储能系统在绿氢项目中的多能耦合应用。建议将ST-250K/500K等大功率双向PCS拓展为电解侧整流+储氢侧充放电一体化控制单元,并基于iSolarCloud平台开发氢电协同调度模块;...
关于“驱动具有复杂寄生参数负载的Buck调节器的设计与建模”的更正
Corrections to “Design and Modeling of Buck Regulators Driving Loads With Complex Parasitics” [Jan 22 162-169]
John Pillans · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年6月
本文针对IEEE Transactions on Power Electronics发表的关于Buck调节器驱动复杂寄生负载的设计与建模论文进行了勘误,修正了原文中描述方法时存在的误导性错误。
解读: 该文章涉及Buck变换器在复杂寄生参数下的建模与设计,属于电力电子基础拓扑研究。对于阳光电源而言,Buck电路是光伏组串式逆变器DC-DC升压级及储能变流器(PCS)双向DC-DC变换器的核心基础。在PowerTitan等储能系统及户用逆变器设计中,精确的寄生参数建模对于优化高频开关下的电磁兼容性(...
用于光伏太阳能电池的高效卤化物钙钛矿Rb2NaTlBr6的理论研究
Theoretical investigation of high-efficiency halide perovskite Rb2NaTlBr6 for photovoltaic solar cells
M.Agouri · H.Fatihi · H.Ouhenou · N.Khossossi 等7人 · Solar Energy · 2025年11月 · Vol.300
摘要 开发稳定、无毒且高效率的钙钛矿材料对于推动下一代光伏技术的发展至关重要。尽管已有大量卤化物双钙钛矿被研究,但许多材料存在间接带隙或光电性能可调性有限的问题。在本研究中,我们采用第一性原理计算方法系统研究了基于铷的双钙钛矿Rb2NaTlBr6的结构、电子和光学特性。结果表明,该化合物具有1.869 eV的直接带隙,并表现出强烈的动态和热力学稳定性。值得注意的是,通过施加拉伸应变工程可系统地将带隙降低至1.374 eV,使其落入太阳光吸收的最佳范围,显著增强了其光电响应性能。该材料还展现出高的...
解读: 该铷基双钙钛矿材料研究对阳光电源SG系列光伏逆变器具有前瞻价值。其直接带隙1.869eV及应变工程优化至1.374eV,理论光电转换效率达33%,为下一代高效无铅光伏组件提供材料基础。可启发阳光电源在MPPT算法中预留更宽带隙适配能力,优化1500V系统的电压匹配设计。该材料的高稳定性特征与阳光电源...
探索在不同溶剂中合成的非金属
磷)掺杂金属氧化物
Springer Nature remains neutral with regard to jurisdictional claims in published maps · institutional affiliations. · Journal of Materials Science: Materials in Electronics · 2025年7月 · Vol.36.0
超级电容器作为下一代清洁能源存储的关键解决方案正在兴起,然而提高其电容仍然是一个主要挑战。本研究通过水热法使用不同溶剂——蒸馏水、乙醇以及水-乙醇混合液,合成了磷掺杂的NiCo2O4纳米颗粒。采用XRD、场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)、能量色散X射线光谱(EDAX)、X射线光电子能谱(XPS)、透射电子显微镜(TEM)和BET分析等综合表征技术,对样品的结构、形貌和表面特性进行了评估。值得注意的是,在乙醇中合成的样品表现出高达81.36 m²/g的比表面积。在2 M KOH电解液中采用三电...
解读: 该磷掺杂NiCo2O4超级电容器技术对阳光电源储能系统具有重要参考价值。其545.45 Fg⁻¹的比电容和93.21%的循环稳定性,可为ST系列PCS的直流侧储能单元提供快速功率响应方案,特别适用于PowerTitan系统的调频调峰场景。该材料的高倍率性能可优化充电桩产品的峰值功率缓冲设计,配合GF...
氮掺杂双碳包覆Na4VMn1-xCrx(PO4)3/NC@CNTs的合成及其电化学性能研究
Study on the synthesis and electrochemical performance of nitrogen-doped double carbon-coated Na4VMn1- _x_Cr_x_(PO4)3/NC@CNTs
Cheng Xu · Ke Liu · Yong Lu · Journal of Materials Science: Materials in Electronics · 2025年8月 · Vol.36.0
钠离子电池(SIBs)作为一种新兴的储能技术,已被公认为锂离子电池(LIBs)最有前景的替代方案之一。在各类正极材料中,NASICON型Na4VMn(PO4)3(NVMP)复合材料因其独特的三维骨架结构、高氧化还原电位、稳定的晶体结构以及快速的Na+扩散速率而受到广泛关注。然而,NVMP正极材料的实际应用受限于若干固有缺陷,包括本征电子导电性低、Mn3+引起的姜-泰勒(Jahn-Teller)畸变以及结构退化机制,这些因素共同导致其倍率性能不佳和循环耐久性有限。为应对这一挑战,本文在NVMP材料...
解读: 该钠离子电池正极材料研究对阳光电源储能系统具有重要战略价值。NASICON型材料的高倍率性能(1C容量保持率91.2%)和低电荷转移阻抗(331.9Ω)特性,可为PowerTitan储能系统和ST系列PCS提供成本更优的电池方案。氮掺杂双碳包覆技术构建的三维导电网络,与阳光三电平拓扑和SiC器件的高...
基于机器学习的单面和双面光伏系统最佳倾角预测
Machine learning-based prediction of optimal tilt angles for monofacial and bifacial PV systems
Hanadi Harou · Jimmy S.Iss · Pierre Rahme · Solar Energy · 2025年11月 · Vol.301
摘要 本研究提出了一种新颖的基于机器学习的框架,用于预测单面和双面光伏系统在不同调整策略下的最佳倾角。该框架利用来自美国184个地点、为期六年的高分辨率(5分钟间隔)卫星辐照度数据。与以往研究不同,本研究结合了精细的时间分辨率数据、广泛的地理覆盖范围,并对十三种机器学习模型进行了比较评估,以优化三种调整策略(年度、季节性和月度)下的最佳倾角。倾斜表面上的辐照度采用各向同性天空模型进行估算,从而高效模拟了从0到1、以0.1为增量变化的不同反照率条件下组件正面与背面的受光情况。所得到的最佳倾角被用作...
解读: 该机器学习倾角优化技术对阳光电源SG系列光伏逆变器和iSolarCloud平台具有重要应用价值。研究针对单双面组件的精准倾角预测(误差<1.7°)可集成至智能运维系统,结合MPPT优化算法实现发电量最大化。双面组件在高反射率地面可增益超80%的发现,为PowerTitan储能系统的容量配置提供数据支...
通过镧掺杂在较低烧结温度下调控Pb(Zr, Sn, Ti)O3陶瓷的功能特性
Tailoring functional properties of Pb (Zr, Sn, Ti)O3 ceramics via lanthanum doping at lower sintering temperature
Muhammad Nasir Rafiq · Zhonghua Dai · Yuanyuan Zheng · Xujun Li 等5人 · Journal of Materials Science: Materials in Electronics · 2025年8月 · Vol.36.0
铅基陶瓷在储能应用中的性能通常受限于其低能量密度和不理想的相变特性。(Pb, La)(Zr, Sn, Ti)O3(PLZST)反铁电陶瓷作为储能材料已引起广泛关注。本研究采用固相法制备了组成为Pb1−1.5xLax(Zr0.93Sn0.05Ti0.02)O3(x = 0.015, 0.025, 0.035 和 0.045)的陶瓷样品,并系统研究了其介电性能与储能特性。结果表明,引入镧显著改善了钙钛矿结构,减小了晶粒尺寸,并增强了极化强度。在270 kV/cm的电场下,本研究实现了6.24 J/c...
解读: 该PLZST反铁电陶瓷材料研究对阳光电源储能系统具有重要参考价值。其6.24 J/cm³的储能密度和1.29μs快速放电特性,可为ST系列PCS的直流侧薄膜电容器选型提供新思路,特别适用于PowerTitan储能系统中需要高功率密度和快速响应的脉冲功率场景。低温烧结工艺降低制造成本,镧掺杂优化的介电...
基于氩中性束刻蚀的E模凹栅GaN MOSHEMT实现1.48 dB噪声系数用于低噪声放大器应用
1.48-dB-Noise Figure E-Mode Recessed-Gate GaN MOSHEMT by Argon-Based Neutral Beam Etching for LNA Applications
Wenbo Ye · Junmin Zhou · Han Gao · Haowen Guo 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年2月
本研究针对低噪声放大器(LNA)应用,对氮化镓(GaN)增强型(E 型)凹槽栅高电子迁移率晶体管(HEMT)的器件特性进行了全面表征和研究。通过低损伤的基于氩气的中性束蚀刻(Ar - NBE)技术,凹槽栅 HEMT 实现了 0.5 V 的正电压阈值( ${V} _{\text {TH}}$ )、148 mS/mm 的最大跨导(gm)以及 2.39 nA/mm 的导通态栅极漏电流( ${I} _{\text {G}}$ )。在 2 GHz 的工作频率下,该器件呈现出 1.48 dB 的最小噪声系数...
解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项基于氩离子中性束刻蚀技术的增强型GaN MOSHEMT器件研究具有重要的战略参考价值,但其直接应用价值相对有限。 该论文聚焦于低噪声放大器(LNA)应用的GaN器件优化,实现了1.48 dB的超低噪声系数和0.5V的正阈值电压。从技术角度看,增强型GaN器件的常开特性...
原位生长SiNx在AlN/GaN高电子迁移率晶体管欧姆接触形成中的作用
Role of in-situ SiNx in ohmic contact realization in AlN/GaN HEMTs
Manoj Saxena · Journal of Materials Science: Materials in Electronics · 2025年7月 · Vol.36.0
本研究探讨了在用于高频应用的AlN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs)上原位生长的氮化硅(SiNx)层中欧姆接触的形成与优化。采用标准的Ti/Al/Ni/Au金属体系,获得的接触电阻(RC)为0.14 Ω·mm,方块电阻(RSH)为629 Ω/□,比接触电阻为1.2 × 10−6 Ω·cm2。高温退火过程中,Ti金属与下方的SiNx层发生界面反应,生成钛硅化物(TixSiy)复合物和氮化钛(TiN)。接触退火在氮气氛围中通过快速热退火(RTP)工艺完成,实验发现800 °C下退火60秒可获得...
解读: 该AlN/GaN HEMT欧姆接触优化技术对阳光电源功率器件应用具有重要价值。研究实现的0.14Ω·mm接触电阻和340mS/mm峰值跨导,可显著降低SG系列光伏逆变器和ST储能变流器中GaN功率开关的导通损耗。原位SiNx层与Ti/Al金属化方案形成的低阻接触,适用于三电平拓扑和高频开关场景。80...
第 10 / 75 页