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功率器件技术 SiC器件 功率模块 可靠性分析 ★ 5.0

用于SiC模块端子开关电流测量的毫米级200 MHz带宽磁场传感器

Millimetre-Scale 200 MHz Bandwidth Magnetic Field Sensor to Measure Switching Current in SiC Module Terminals With Minimal Insertion Inductance

Jiaqi Yan · Yushi Wang · Harry C. P. Dymond · Sebastian Neira 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年9月

本文提出了一种微型电流传感器设计方案,专门用于SiC功率模块端子。该传感器解决了传统罗氏线圈在空间受限或影响母排性能场景下的应用难题,通过在模块端子间插入低电感铜垫片实现电流传感,具有高带宽和低插入电感的特性。

解读: 随着阳光电源在组串式逆变器和PowerTitan储能系统中大规模应用SiC功率模块,高频开关下的电流精准监测对于提升系统效率和保护器件至关重要。该传感器技术能有效解决SiC高频开关带来的寄生参数干扰问题,有助于优化逆变器及PCS的驱动电路设计,提升功率密度。建议研发团队关注此传感技术的集成化方案,将...

功率器件技术 GaN器件 宽禁带半导体 功率模块 ★ 2.0

基于互补型GaN HEMT的高频脉冲激光驱动器

High-Frequency Pulsed Laser Driver Using Complementary GaN HEMTs

Ching-Yao Liu · Chun-Hsiung Lin · Hao-Chung Kuo · Li-Chuan Tang 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年2月

本文提出了一种用于高频激光雷达(LiDAR)的高效激光驱动器,旨在满足20MHz重复频率、10ns脉宽及50W瞬时功率的严苛要求。针对自动驾驶领域对高功率效率的需求,该驱动器通过互补型GaN HEMT技术优化了开关性能,显著提升了系统整体能效。

解读: 该文献探讨了GaN器件在高频脉冲应用中的性能优势。虽然阳光电源的核心业务集中在光伏逆变器和储能系统,但随着电力电子技术向高频化、高功率密度方向演进,GaN等宽禁带半导体在辅助电源、高频驱动电路及未来小型化储能控制模块中具有应用潜力。建议研发团队关注GaN器件在高频开关下的损耗特性与可靠性评估,这有助...

功率器件技术 GaN器件 宽禁带半导体 功率模块 ★ 4.0

1.2kV垂直结构氮化镓结型场效应晶体管的评估及兆赫兹变换器应用

Evaluation and MHz Converter Application of 1.2-kV Vertical GaN JFET

Xin Yang · Ruizhe Zhang · Qiuzhe Yang · Qihao Song 等11人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年12月

本文首次对1.2kV、75mΩ的垂直结构氮化镓(GaN)结型场效应晶体管(JFET)进行了全面评估。该器件具备低导通电阻、常关特性及雪崩能力。通过优化RC接口栅极驱动器,研究了其在兆赫兹高频变换器中的应用潜力。

解读: 随着阳光电源组串式逆变器和户用储能系统向高功率密度、小型化方向发展,对开关频率和效率的要求日益严苛。1.2kV垂直GaN JFET作为宽禁带半导体的前沿技术,其高频特性可显著减小磁性元件体积,提升系统功率密度。建议研发团队关注该器件在户用光伏逆变器及小型化DC-DC变换器中的应用潜力,特别是在提升转...

拓扑与电路 光伏逆变器 储能变流器PCS 功率模块 ★ 4.0

利用二维磁芯和折纸绕组将纳米晶共模电感的首谐振频率提升至10 MHz以上并改善性能

Using 2-D Core and Origami Winding to Push the First Resonant Frequency of Nanocrystalline Common-Mode Inductors Beyond 10 MHz With Improved Performance

Rongrong Zhang · Atif Iqbal · Shuo Wang · Chaoqiang Jiang 等9人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年10月

本文提出了一种利用二维磁芯和折纸绕组结构的新型电感设计,旨在不改变材料特性的前提下,显著提升纳米晶共模电感的首谐振频率(fR)。该方法有效突破了传统纳米晶电感仅限于数十千赫兹应用的限制,使其在更高频率下仍能保持优异的滤波性能,为高频电力电子变换器的电磁兼容设计提供了新思路。

解读: 随着阳光电源组串式逆变器及PowerTitan等储能系统向更高功率密度和更高开关频率演进,EMI滤波器的体积与性能优化成为关键。该研究提出的二维磁芯与折纸绕组技术,能够显著提升共模电感的高频阻抗特性,有助于减小逆变器及PCS内部EMI滤波器的体积,降低高频寄生参数带来的干扰。建议研发团队在下一代高频...

拓扑与电路 DC-DC变换器 功率模块 ★ 3.0

一种基于三比较器结构的低复杂度纯MOS滑动频率半数字Buck DC-DC变换器

A Low-Complexity Pure-MOS Sliding-Frequency Semi-Digital Buck DC-DC Converter Based on a Triple-Comparator Structure

Bo Zhou · Xinyuan Han · Yifan Li · Zhaoyuan Wang 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年5月

本文提出了一种基于三比较器及若干数字模块的半数字Buck DC-DC变换器,采用65nm CMOS工艺制造,适用于SoC电源管理。该变换器可根据负载条件自动将开关频率从几十kHz调节至亚MHz级别。实验结果表明,该变换器最高效率达93%,核心有源面积小于0.03 mm²。

解读: 该研究提出的低复杂度、高集成度DC-DC变换技术对阳光电源的iSolarCloud智能运维平台配套的边缘计算模块、通信网关以及户用光伏逆变器中的辅助电源设计具有参考价值。随着阳光电源产品向高功率密度和智能化方向发展,SoC电源管理的效率与面积优化至关重要。该方案中滑动频率控制策略有助于提升轻载下的转...

储能系统技术 储能系统 ★ 4.0

用于水下磁耦合无线电力与数据传输系统的时分传输方法

Time-Sharing Transmission Method for an Undersea Magnetically Coupled Wireless Power and Data Transfer System

Lei Yang · Zhixue Bu · Dengrui Xing · Liye Tian 等6人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年4月

海洋环境中的波浪、洋流和盐度梯度复杂多变,尤其在湍流和高导电条件下显著影响水下无线电力与数据传输性能。针对海水的导电特性带来的挑战,本文提出一种基于高频交变电磁场的磁耦合水下无线电力与数据传输系统,采用时分复用技术共享耦合线圈通道,实现电力与数据的无干扰传输。电力传输频率为86 kHz,数据采用1 MHz和2 MHz载波的频移键控调制,速率达200 kbps。实验结果表明,在4 cm距离下以200 W功率充电时,系统最高效率达91.3%,并可同步传输电池电压、电流和温度等状态信息。

解读: 该水下无线电力与数据传输技术对阳光电源新能源汽车产品线具有重要参考价值。其时分复用架构可应用于车载OBC充电机和充电桩的无线充电方案,实现电力传输与电池状态监测的同步通信。86kHz电力传输频率与FSK数据调制的分离设计,可借鉴到ST储能系统的无线BMS通信中,解决高压环境下有线连接的安全隐患。91...

拓扑与电路 GaN器件 DC-DC变换器 宽禁带半导体 ★ 4.0

一种用于车载应用、具有自生成开关信号的全集成电感式GaN升压转换器

A Fully Integrated Inductor-Based GaN Boost Converter With Self-Generated Switching Signal for Vehicular Applications

Pilsoon Choi · Ujwal Radhakrishna · Chirn-Chye Boon · Dimitri Antoniadis 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2016年8月

本文提出了一种基于电感的GaN直流升压转换器,通过自生成开关信号技术,省去了驱动大型晶体管开关所需的功率和面积消耗型栅极驱动器。该电路采用0.25μm GaN-on-SiC工艺,将所有有源和无源元件集成在3mm×3mm的芯片上。在680MHz开关频率下,输出电压为20V时,功率密度达到0.24 W/mm²,适用于车载应用。

解读: 该技术展示了GaN器件在极高频集成化设计中的潜力,对阳光电源的电动汽车充电桩及户用光伏逆变器产品线具有重要参考价值。通过省去栅极驱动器并实现高集成度,可显著提升功率密度并降低系统体积。建议研发团队关注其自激振荡控制策略在小型化辅助电源或车载充电模块(OBC)中的应用可行性,以进一步优化阳光电源充电桩...

功率器件技术 GaN器件 宽禁带半导体 DC-DC变换器 ★ 4.0

基于单片集成氮化镓蓝宝石二极管桥IC的1000V、10MHz倍压器

1000 V, 10 MHz Voltage Multiplier Based on Monolithically Integrated GaN-on-Sapphire Diode Bridge IC

Zineng Yang · Xin Yang · Hehe Gong · Hongchang Cui 等15人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年4月

本文展示了一种基于单片集成氮化镓(GaN-on-Sapphire)二极管桥IC的1000V、10MHz倍压器。研究填补了GaN器件在千伏级高频应用中的空白,验证了单片集成技术在实现高压、高频功率转换方面的潜力。

解读: 该研究展示了GaN器件在千伏级高压与超高频应用中的突破,对阳光电源的未来产品研发具有重要参考价值。在组串式逆变器和户用储能PCS领域,随着功率密度的不断提升,传统硅基器件已接近性能瓶颈,引入GaN-on-Sapphire等宽禁带半导体技术有助于进一步缩小磁性元件体积,提升整机效率。建议研发团队关注该...

拓扑与电路 DC-DC变换器 功率模块 ★ 2.0

用于1.5W 10MHz LTE功率放大器且无需交流耦合电容的包络调制器,峰值效率达86.5%

Envelope Modulator for 1.5-W 10-MHz LTE PA Without AC Coupling Capacitor Achieving 86.5% Peak Efficiency

SiDuk Sung · Sung-Wan Hong · Jun-Suk Bang · Ji-Seon Paek 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2016年1月

本文提出了一种用于提升射频功率放大器效率的包络调制器(EM)。通过引入单电感双输出(SIDO)变换器,该调制器无需额外的升压变换器即可实现高于输入电压的输出,并提供低频功率。该设计有效优化了电路拓扑,提升了整体转换效率。

解读: 该文献探讨的是射频(RF)领域的高频功率变换技术,与阳光电源的核心业务(光伏逆变器、储能PCS、充电桩等)在应用场景上差异较大。阳光电源的功率变换主要集中在电力电子变换(DC-AC/DC-DC),而非射频信号处理。然而,文中提到的SIDO(单电感双输出)拓扑思想在小型化控制电路或辅助电源设计中具有一...

光伏发电技术 储能系统 ★ 5.0

基于高频脉冲传播时差的光伏系统电弧故障定位检测方法

Arc fault location detection method for photovoltaic system via time difference in high-frequency pulse propagation

Chen Zhang · Yunfei Jia · Yuyao Nia · Shengchang Jia 等5人 · Solar Energy · 2025年11月 · Vol.301

摘要 串联电弧故障在光伏发电系统中具有显著的火灾风险,准确地在光伏阵列中定位此类故障已成为亟待解决的难题。现有的电弧故障定位方法主要基于电弧产生的电磁脉冲及其在空间中的传播特性。然而,这类方法需要高速采样设备和精确的时间同步,且定位精度易受干扰影响。事实上,多个光伏组件上的硅片阵列构成了一条蜿蜒的传输线,电弧产生的电压脉冲在光伏组件之间传播并发生衰减。本研究提出了一种基于光伏组件物理结构的宽频阻抗模型,并采用粒子群优化(PSO)算法对模型参数进行优化。通过仿真与理论分析,研究了高频脉冲电压在光伏...

解读: 该串联电弧故障定位技术对阳光电源SG系列光伏逆变器及iSolarCloud智能运维平台具有重要应用价值。通过在逆变器输入端集成高频交流耦合电压测量模块,利用脉冲电压极性峰值时差实现低成本精准定位,可显著提升系统安全性。该方法无需高速采样设备和时间同步,适合集成到现有逆变器MPPT优化控制系统中,结合...

储能系统技术 储能系统 ★ 4.0

基于轨迹优化与匹配网络集成的双模无线充电系统分析与设计

Analysis and Design of Dual-Mode Wireless Battery Charging System Based on Trajectory Optimization and Matching Network Integration

Zhan Sun · Yijie Wang · Yueshi Guan · Dianguo Xu · IEEE Transactions on Industrial Electronics · 2025年1月

摘要:高频兆赫兹(MHz)无线电能传输(WPT)系统因其小型化特性,在特殊应用领域具有巨大优势。然而,传统的单向阻抗压缩方法在一定程度上限制了系统的功能输出性能,例如电池充电。为此,本文提出了一种恒流(CC)/恒压(CV)双向阻抗轨迹设计方法。在此过程中,利用了双模压缩网络参数集成和器件复用机制,在不降低系统功率密度的情况下完成了CC/CV功能输出。搭建了一个40V/1A的实验样机,峰值效率达到90.4%。

解读: 从阳光电源储能系统和新能源集成解决方案的业务视角来看,这项基于轨迹优化的双模无线充电技术具有重要的战略参考价值。 该技术的核心创新在于通过双向阻抗轨迹设计实现恒流/恒压(CC/CV)充电模式的无缝切换,这与我司储能系统中电池管理的核心需求高度契合。传统单向阻抗压缩方法在功能输出上的局限性,恰恰是当...

功率器件技术 GaN器件 LLC谐振 DC-DC变换器 ★ 4.0

一种基于单片GaN的LLC-SRC,具有低于1 mA的静态电流和98.6%的峰值效率,符合能源之星和80 Plus钛金标准

A Monolithic GaN-Based LLC-SRC With Sub-1 mA Quiescent Current and 98.6% Peak Efficiency for Energy Star Standard and 80 Plus Titanium Standard

Chi-Yu Chen · Po-Jui Chiu · Xiao-Quan Wu · Yu-Ting Huang 等11人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年12月

本文提出了一种基于GaN的混合栅极驱动器,包含两种逆变器,在25 MHz高频下实现了23.2 μA的低静态电流。通过自动预充技术监测自举电容电压,将待机漏电流从毫安级降至62 μA,使系统峰值效率达到98.6%,满足高能效标准。

解读: 该技术在宽禁带半导体应用及高频高效拓扑方面具有重要参考价值。对于阳光电源的户用光伏逆变器及充电桩产品线,GaN器件的应用能显著提升功率密度并降低待机功耗,助力产品满足严苛的能效标准(如80 Plus钛金级)。建议研发团队关注该单片集成驱动技术,探索其在小功率DC-DC变换模块中的应用,以优化轻载效率...

拓扑与电路 ★ 5.0

一种基于叶片加载波导的宽带高功率微波模式转换器

A Wideband High-Power Microwave Mode Converter Using Vane-Loaded Waveguide

Neha Parmar · Runa Kumari · D. Ratan Sanjay · Harish V. Dixit · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年11月

摘要:高功率微波(HPM)源,如磁绝缘线振荡器(MILO)、返波振荡器(BWO)和同轴虚阴极振荡器,能在TM₀₁模式下产生数吉瓦级的功率。当这种模式通过天线辐射时,会在视轴方向形成零值。这是不理想的,因此需要使用模式转换器(MC)将TM₀₁模式转换为TE₁₁模式,TE₁₁模式辐射时会在视轴方向形成最大值。在这项工作中,作者报道了一种基于叶片加载圆形波导的TM₀₁ - TE₁₁模式转换器。叶片远离电场最大值区域,因此对场的扰动极小。因此,该模式转换器具有高带宽和高功率处理能力。本文提出了一种计算模...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这篇关于高功率微波模式转换器的论文所涉及的技术领域与公司核心业务存在较大差异。该研究聚焦于GW级高功率微波源的电磁模式转换,主要应用于雷达、电子对抗等国防军工领域,而阳光电源的技术重心在于功率电子变换、能量管理和新能源发电系统。 尽管应用领域不同,但该技术在电磁场理论和波...

储能系统技术 储能系统 ★ 4.0

宽带合并元件约瑟夫森参量放大器

Broadband merged-element Josephson parametric amplifier

Yuting Sun · Hefei National Laboratory · Xianke Li · Qingyu Wang 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年6月 · Vol.126

宽带量子极限放大器对量子信息处理至关重要,但其设计与制备仍面临挑战。本文提出一种宽带合并元件约瑟夫森参量放大器,将并联离散电容直接集成于约瑟夫森结中。该设计消除了分立电容的缺陷,简化了制备工艺,降低了对高精度光刻设备的需求,并兼容标准超导量子比特制备流程。实验结果显示,在500 MHz带宽内增益达15 dB,平均饱和功率为−116 dBm,噪声性能接近量子极限。该放大器结构鲁棒、易于实现,有望广泛应用于超导量子信息与量子计算领域。

解读: 该宽带约瑟夫森参量放大器技术虽属量子计算领域,但其核心设计理念对阳光电源功率器件与控制技术具有启发价值。其宽带低噪声放大特性可借鉴至ST储能变流器的微弱信号检测电路,提升电网谐波与故障信号的识别精度;合并元件设计简化制备工艺的思路,可应用于SiC/GaN功率模块的集成化设计,降低寄生参数影响,提高开...

系统并网技术 ★ 4.0

下一代RRAM和5G/6G电容器用Ag/Al/SiO2/Si/Ag MIS结构中的巨介电常数与缺陷调控导电性

Colossal permittivity and defect-engineered conduction in Ag/Al/SiO2/Si/Ag MIS structures for next-generation RRAM and 5G/6G capacitors

A.Asher · Solid-State Electronics · 2025年12月 · Vol.230

摘要 Ag/Al/SiO2/Si/Ag金属-绝缘体-半导体(MIS)结构展现出显著的介电与电学特性,使其成为下一代电子器件应用的有力候选者。本研究通过阻抗谱、介电分析以及宽频范围(1 kHz–20 MHz)、温度范围(80–400 K)和电压范围(±5 V)内的交流电导率测量,系统地探究了该双金属MIS结构的巨介电常数、缺陷介导的导电行为及弛豫动力学。关键结果表明,Ag/Al电极构型诱导出独特的界面极化效应,从而产生超高的介电常数(低频下ε′ > 10³)和低损耗正切值(tanδ < 0.1),...

解读: 该MIS结构的超高介电常数和低损耗特性对阳光电源储能系统具有重要价值。其巨介电常数(ε'>10³)和低损耗角(tanδ<0.1)可优化ST系列PCS的直流母线电容和EMI滤波器设计,提升功率密度。缺陷工程调控的导电机制为SiC/GaN功率器件的栅极介质优化提供思路。RRAM的低压切换特性(<3V)可...

功率器件技术 GaN器件 ★ 5.0

用于高温应用的增强型GaN单片双向开关及其集成栅极驱动器

Enhancement-Mode GaN Monolithic Bidirectional Switch with Integrated Gate Driver for High Temperature Application

Yunsong Xu · Ang Li · Fan Li · Guohao Yu 等6人 · IEEE Electron Device Letters · 2025年11月

双向开关在电力应用中得到了广泛应用,特别是在交 - 交矩阵变换器和固态断路器中。本研究展示了一种基于氮化镓(GaN)的单片集成双向开关,其特点是采用了双栅高电子迁移率晶体管(HEMT),并且驱动器也集成在同一芯片上。所提出的双向 GaN 开关的实验结果(包括静态和瞬态特性)表明,该开关在高达 250 °C 的温度下具有稳定性。在 10 V 电压下,其工作频率已提高到 1 MHz。据我们所知,首次报道了该开关在 1 kHz 频率下作为 ±311 V 交流功率斩波器可在高达 250 °C 的高温下运...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项GaN基单片集成双向开关技术具有重要的战略价值。该技术实现了增强型GaN双向开关与驱动电路的单片集成,并展现出250°C高温稳定运行能力,这对我们在光伏逆变器、储能变流器及矩阵变换器等核心产品的性能提升具有显著意义。 技术价值方面,该双向开关在1 MHz高频运行和±3...

功率器件技术 SiC器件 ★ 4.0

一种面向电路设计的β-Ga2O3肖特基势垒二极管

SBD)基于物理的SPICE紧凑模型:通过交流整流特性建模的验证

Shivendra Kumar Singh · Bich-Ngoc Chu · Ka Hou Lam · Ming-Yueh Huang 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年11月

本文提出了一种基于物理的全面紧凑模型,用于β - 氧化镓(Ga₂O₃)肖特基势垒二极管(SBD),该模型专为电路仿真而设计,并通过Verilog - A代码与基于SPICE的仿真器兼容。该模型在考虑高电平注入和电流相关串联电阻的同时,能够捕捉与温度相关的特性以及反向恢复效应。该模型已针对我们自行制作的直径为100μm和250μm的肖特基势垒二极管的直流特性进行了验证。该模型还能准确模拟直径为250μm的肖特基势垒二极管在100 Hz至1 MHz频率范围内、峰 - 峰值为10 V和20 V的正弦输...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项β-Ga₂O₃肖特基二极管(SBD)的SPICE紧凑模型研究具有重要的战略参考价值。氧化镓作为第四代超宽禁带半导体材料,其理论击穿场强达8 MV/cm,远超碳化硅和氮化镓,这为我们在高压大功率应用场景中实现更高功率密度和效率提供了新的技术路径。 在光伏逆变器和储能变流...

储能系统技术 储能系统 ★ 4.0

基于双动态自偏置方法的高效CMOS射频-直流整流器

An Efficient CMOS RF-DC Rectifier Based on a Dual Dynamic Self-Biasing Approach

Ahmed Reda Mohamed · Abdulaziz A. Al-Khulaifi · Munir A. Al-Absi · IEEE Access · 2025年5月

提出了一种具有双动态栅极/体偏置网络设计的高效CMOS整流器以提高功率转换效率PCE和灵敏度。采用180nm CMOS工艺设计,芯片面积102μm×78μm。在920MHz频率下,输入功率-18.9dBm时实现78.5%的高PCE,动态范围DR为26.1dB,灵敏度为-18.4dBm,在100kΩ负载上输出1V电压。与传统整流器相比,该整流器的DR提高29%,灵敏度提高27%,在PCE、灵敏度和动态范围方面均优于现有单级整流器。

解读: 该CMOS整流器研究对阳光电源无线充电和能量采集技术有重要参考价值。78.5%的高PCE和优异的低功耗性能与阳光新能源汽车OBC无线充电模块的效率优化需求一致。双动态偏置技术提升的灵敏度和动态范围为阳光iSolarCloud物联网平台的低功耗传感器节点供电提供了技术路径。该整流器在920MHz的工作...

拓扑与电路 ★ 4.0

微型化超表面启发的可调功分器与移相器

Miniaturized Metasurface-Inspired Tunable Power Divider and Phase Shifter

Nophadon Wiwatcharagoses · Sambit Kumar Ghosh · Premjeet Chahal · IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology · 2025年7月

结合超表面(MS)单元的复合左右手传输线(CRLH TL)概念被重新提出,以设计平面可调谐且小型化的功率分配器和移相器器件。其制作涉及单层金属图案化和变容二极管。通过改变直流偏置电压可以改变其电学特性。本文提出了一种具有等功率分配和不等功率分配特性的平面X波段功率分配器。实验结果证实,该功率分配器具有140 MHz的中心频率调谐能力。在性能无显著变化的情况下,两个输出端口之间的功率传输最大差值达到4.5 dB。另外,还提出了一种结合变容二极管、谐振频率分别为8.95 GHz和10.25 GHz的...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项基于超表面单元的可调谐功率分配器和移相器技术具有重要的潜在应用价值,特别是在光伏逆变器和储能系统的射频控制与通信模块方面。 该技术采用复合左右手传输线(CRLH TL)结合超表面概念,实现了器件的小型化和可调谐特性。在X波段140MHz的中心频率调谐能力和45°宽线性...

功率器件技术 SiC器件 功率模块 多物理场耦合 ★ 5.0

集成式液冷碳化硅功率模块多物理场建模研究

Comprehensive Multiphysics Modeling of Integrated Liquid-Cooled SiC Power Modules

Chenda Zhang · Weiyu Tang · Xiangbo Huang · Zan Wu 等5人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年12月 · Vol.14

本文建立了集成液冷SiC功率模块的多物理场耦合模型,并通过热实验验证(误差<4%),提升了电-热耦合、非等温流体及热膨胀模拟可靠性;揭示了2 MHz高频下DBC铜层涡流损耗达48.5 W,致芯片结温升高4.3°C,且涡流损耗随频率呈先增后减趋势。

解读: 该研究直接支撑阳光电源组串式逆变器(如SG225HX)、ST系列储能PCS及PowerTitan系统中高功率密度SiC功率模块的热设计与高频电磁优化。液冷+嵌入式散热结构可提升ST 3.0/PowerTitan在高过载工况下的可靠性;涡流与结温量化模型有助于优化PCB布局与DBC层设计,降低SiC器...

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