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一种具有确定直流电压增益调节能力的串联谐振DC/DC变换器用于可再生能源中压直流汇集
A Series Resonant DC/DC Converter with Certain DC Voltage Gain Adjustment Capability for Renewable Energy MVDC Collection
Yingzong Jiao · Minghui Wang · Binbin Li · Zhiyuan Wang 等6人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年6月
中压直流(MVDC)汇集是大规模可再生能源集成的 promising 方案。本文提出一种具备一定直流电压增益调节能力的串联谐振DC/DC变换器。通过在传统结构基础上增加一个辅助半桥及低绝缘等级辅助变压器,实现灵活的电压增益调节。系统内所有半导体器件在全电压与功率范围内均可实现软开关,确保高效率运行。分析涵盖平面轨迹、器件应力、电压增益及谐振参数设计方法。仿真与降尺度实验验证了该方案的有效性。
解读: 该串联谐振DC/DC变换器技术对阳光电源中压直流产品线具有重要应用价值。在PowerTitan大型储能系统中,可实现多组电池簇的中压直流汇集,通过辅助半桥结构灵活调节电压增益,适配不同SOC状态的电池组并网。全范围软开关特性可显著提升ST系列储能变流器在宽电压工况下的效率,降低SiC器件开关损耗。该...
基于多功能MoOx/TiON层的高存储、低变异性、低功耗读写后读取超晶格HfO2/ZrO2铁电场效应晶体管存储器件
High-Storage, Low-Variability, and Low-Power Read-After-Write Superlattice HfO2/ZrO2 FeFET Memory Device by Using a Multifunctional MoOx/TiON Layer
Zheng-Kai Chen · Miau-Hua Hsiung · Zi-Rong Huang · Sheng-Min Wang 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年5月
在本研究中,我们提出了一种与现有商用半导体器件完全兼容的多功能栅极氧化物铁电晶体管技术。与单电极不同,该电极采用了 TiN/Mo(30 纳米)/TiN 阻挡层(BL - TiN)(2.5 纳米)结构,其绝缘体由埃级层叠的 HfO₂/ZrO₂ 结构组成,每层厚度为 6.5 埃。基于界面态密度($D_{\text {it}}$)和 X 射线光电子能谱(XPS)结果,MoOx/TiOxNy 层的引入极大地抑制了金属 - 铁电体 - 绝缘体 - 半导体(MFIS)铁电场效应晶体管(FeFET)的电荷俘获...
解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项基于HfO2/ZrO2超晶格结构的铁电场效应晶体管(FeFET)存储技术虽然属于半导体存储领域,但其核心性能突破对我司光伏逆变器和储能系统的智能控制芯片具有重要的潜在应用价值。 该技术通过引入MoOx/TiOxNy多功能层实现的三大技术突破与我司产品需求高度契合:首先...
基于多群体遗传算法的MMC多目标功率损耗优化控制
Multiobjective Power Losses Optimization of MMC Based on Multipopulation Genetic Algorithm for HVdc Transmission System
Jifeng Zhao · Jia Pei · Sitong Wu · Hong Fu 等6人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年2月
模块化多电平换流器(MMC)因效率高、易于扩展,已成为高压直流输电系统的核心部件。子模块及其内部半导体器件的功率损耗显著影响MMC的运行成本与使用寿命。基于环流控制的损耗优化方法因其硬件成本低、输出电流谐波小而备受关注。本文提出一种基于多群体遗传算法的多目标功率损耗优化控制策略(MOPLOC-MPGA),实现MMC运行成本与寿命的协同优化。通过仿真与实验验证了该方法在MMC应用中的有效性与适用性。
解读: 该MMC多目标功率损耗优化技术对阳光电源ST系列储能变流器和大型PowerTitan储能系统具有重要应用价值。文中基于多群体遗传算法的环流控制优化策略,可直接应用于阳光电源多电平拓扑产品中,通过协同优化运行成本与器件寿命,降低IGBT/SiC模块的热应力与开关损耗。该方法无需额外硬件成本且保持低谐波...
基于SiO2的倒相感测MOS电容性突触器件用于神经形态计算
Inversion-sensing SiO2-based MOS capacitive synapse for neuromorphic computing
作者未知 · Applied Physics Letters · 2025年5月 · Vol.126
本研究提出一种基于同心金属-氧化物-半导体结构中横向耦合效应的SiO2基电容性突触器件。该器件在低编程电压VPGM = -2.5 V下实现了24的CHCS/CLCS比。TCAD仿真表明,当氧化层有效正电荷密度超过2.8×10¹¹ cm⁻²时,仅5×10⁹ cm⁻²的微小变化即可显著影响反型区电容值,从而实现多态电容调控。通过调节脉冲数量和操作电压,可实现精细的电导调制。器件具备良好的可扩展性,且更换栅介质材料有望进一步提升开关比。横向耦合效应为电荷俘获型器件性能优化提供了新途径。
解读: 该SiO2基电容性突触器件的多态电容调控技术对阳光电源功率器件及控制系统具有前瞻性启发。其低电压(-2.5V)实现24倍电容比的横向耦合效应,可借鉴应用于ST储能变流器和SG逆变器的栅极驱动优化,降低SiC/GaN器件开关损耗。神经形态计算的多态调制特性为构网型GFM控制算法提供新思路,可增强Pow...
低频感应加热应用AC/AC MMC的变开关频率控制
Variable Switching Frequency Control of AC/AC MMC for Low Frequency Induction Heating Applications
Gelin Huang · Fujun Ma · Shanwei Fan · Cheng Yang 等6人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年8月
在特殊钢生产中,中间包感应加热电源在高温、密闭、高粉尘环境下运行,器件散热困难导致变换器内部元件损耗增加。针对应用于低频感应加热领域的AC/AC MMC变换器提出变开关频率主动热控制策略。通过建立热阻抗模型详细分析损耗特性和热摆动特性。针对双基频结构创新性提出三重傅里叶积分变换,推导电网电流的精确数学表达式。考虑并网电流THD、效率和结温,建立开关频率优化数学模型。仿真和实验结果证明所提控制策略降低结温摆动和系统损耗的有效性。
解读: 该变频主动热控制技术对阳光电源工业加热和特殊应用场景变换器有重要优化价值。变开关频率优化方法可应用于ST储能变流器的多工况运行模式,平衡效率和热管理。三重傅里叶变换谐波分析技术对复杂多频系统的电能质量优化有借鉴意义。该技术对PowerTitan大型储能系统的热管理策略和损耗优化有参考价值,可延长器件...
平面型与沟槽型SiC MOSFET偏置温度不稳定性恢复特性的综合研究
Comprehensive Investigations on Recovery Characteristics of Bias Temperature Instability in Planar and Trench SiC MOSFETs
Kaiwei Li · Pengju Sun · Xinghao Zhou · Lan Chen 等5人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2024年10月
栅氧退化引起的偏置温度不稳定性(BTI)是碳化硅(SiC)金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)最关键的可靠性问题之一。现有BTI恢复研究尚不够全面。本文系统研究了平面型与沟槽型SiC MOSFET中直流与交流BTI的恢复特性。结果表明,无论器件栅结构如何,短路应力均可实现BTI的有效恢复,且短路能量越大,恢复能力越强。但过强的短路应力更易在平面栅器件中引发额外阈值电压漂移。进一步比较短路应力与负栅压加高温两种恢复方式后的阈值电压再漂移,发现短路应力具有更优的恢复效果。该结果对抑制阈值...
解读: 该研究揭示的SiC MOSFET偏置温度不稳定性恢复机制对阳光电源功率器件应用具有重要价值。研究发现短路应力可有效恢复BTI引起的阈值电压漂移,且恢复效果优于负栅压加高温方式,这为ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器中SiC器件的可靠性设计提供了新思路。针对平面栅器件在强短路应力下易产生额外漂移的...
重离子辐照引起SiC功率MOSFET栅氧损伤的研究
Investigation on Gate-Oxide Damage of SiC Power MOSFETs Induced by Heavy Ion
Ziwen Chen · Yuxiao Yang · Ruize Sun · Yijun Shi 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年6月
近期研究表明,碳化硅(SiC)功率MOSFET在重离子辐照后,在极低的漏极应力水平下就会出现故障,且结构损伤主要集中在氧化层。然而,其损伤机制尚未得到精确分析。本研究考察了器件在不同漏极偏置条件下的栅极损伤机制。在200 V漏极偏置下,1200 V SiC功率MOSFET的栅极结构未出现损伤。漏极偏置高于200 V时,器件的损伤位置集中在沟道区上方的氧化层。在以往的研究中,栅极电介质内皮秒级的瞬态电场被认为是氧化层损伤的主要原因;然而,仅这一机制无法解释本文所报道的现象。因此,本文通过计算重离子...
解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项关于SiC功率MOSFET栅氧化层重离子损伤机制的研究具有重要的战略意义。SiC器件已成为我们新一代光伏逆变器和储能变流器的核心功率开关,其可靠性直接影响系统的长期稳定运行。 该研究揭示了一个关键发现:在200V以上漏极偏置条件下,重离子辐照会在沟道区域上方的氧化层造...
钙钛矿太阳能电池研究进展特刊序言
Preface to the Special Issue on Updated Progresses in Perovskite Solar Cells
Jingbi You · 半导体学报 · 2025年5月 · Vol.46
卤化物钙钛矿作为一种新型半导体光电子材料,兼具无机半导体优异的光电性能与有机半导体低成本、可印刷制备的优势,已成为半导体光电器件领域的研究前沿。近年来,钙钛矿太阳能电池在效率与稳定性方面取得显著突破:单结电池效率达27%,平方米级组件效率超18%,实验室稳定性达1万小时,外推寿命达数万小时,GW级产线初步建成。钙钛矿基叠层电池发展迅速,其中钙钛矿/晶硅叠层效率接近35%,大面积钙钛矿/硅叠层电池效率已超越单结晶硅电池,钙钛矿/钙钛矿、钙钛矿/有机及钙钛矿/铜铟镓硒(CIGS)叠层器件亦取得重要进...
解读: 钙钛矿太阳能电池技术对阳光电源光伏产品线具有战略意义。钙钛矿/晶硅叠层电池效率接近35%,已超越单结晶硅极限,可为SG系列逆变器提供更高功率密度的前端输入,推动1500V系统向更高电压等级演进。大面积组件效率超18%且具备低成本印刷制备优势,契合阳光电源分布式光伏解决方案的成本优化需求。钙钛矿材料的...
不同测试结构在超低比接触电阻提取中的比较评估:综述
A Comparative Evaluation of Different Test Structures for the Extraction of Ultralow Specific Contact Resistivity: A Review
Xianglie Sun · Xu Chen · Jun Luo · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年10月
接触电阻($R_{c}$)在先进的互补金属氧化物半导体(CMOS)晶体管的导通电阻中占很大比例。随着CMOS器件不断小型化,降低$R_{c}$成为一项关键挑战,这使得降低比接触电阻率($\rho _{c}$)变得愈发迫切。当$\rho _{c}$值已降至低于$10^{-9}~\Omega \cdot$cm²范围时,要准确可靠地提取如此超低的$\rho _{c}$,就需要开发先进的测试结构。在这篇综述中,详细研究了传统的传输线模型(TLM)和圆形传输线模型(CTLM)测试结构。此外,还讨论了基于C...
解读: 从阳光电源的业务视角来看,这篇关于超低接触电阻率测量技术的论文虽然聚焦于CMOS半导体领域,但其核心技术原理对我们的功率半导体器件开发具有重要借鉴意义。 在光伏逆变器和储能系统中,功率器件(如IGBT、SiC MOSFET)的接触电阻直接影响导通损耗和系统效率。随着我们向更高功率密度、更高转换效率...
电力电子变换器在电动交通感应式无线充电应用中的研究
Power Electronic Converters in Inductive Wireless Charging Applications for Electric Transportation
C. Bharatiraja · Aganti Mahesh · Bradley Lehman · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年1月
电动汽车无线充电系统有望革新传统插电式充电方式,其中谐振感应电能传输(R-IPT)因高效率和较低工作频率在电动汽车中备受关注。电力电子变换器在实现高频与谐振运行中起关键作用,开关器件与补偿网络对谐振变换器设计至关重要。本文强调了变换器的重要性,探讨其选型因素与分类,综述无线电力传输各阶段的变换器拓扑及其特性,并分析宽禁带器件与半导体开关在R-IPT系统中的优缺点。此外,还总结了各类补偿拓扑的特征与局限性,为新型拓扑设计提供参考,并讨论了未来挑战与发展前景。
解读: 该文章对阳光电源新能源汽车业务线具有重要参考价值。文中系统梳理的R-IPT变换器拓扑与补偿网络设计方法,可直接应用于阳光电源车载OBC充电机的无线化升级,推动从传统插电式向感应式充电技术演进。宽禁带器件(SiC/GaN)在高频谐振变换器中的应用分析,与阳光电源功率器件技术路线高度契合,可优化充电桩产...
多兆赫谐振感应式无线功率传输的设计考虑
Design Considerations for Multimegahertz Resonant Inductive Power Transfer
Lei Gu · Victor Gao · Aobo Yang · Tuofei Chen 等5人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年1月
兆赫频率下的感应式无线功率传输有望实现紧凑且低成本的电力传输。然而,由于高频电路对寄生参数敏感,此类系统在直流-直流效率上普遍低于传统低频系统。本文系统分析了串联-串联、串联-并联、并联-串联和并联-并联等补偿拓扑的权衡,并提出在多兆赫设计中考虑半导体器件寄生参数以提升传输效率的方法。通过构建三套300 W的系统验证所提方法,交流-交流效率均超96%。最终实现6.78 MHz、1.7 kW输出、直流-直流效率达95.7%的原型系统。
解读: 该多兆赫无线功率传输技术对阳光电源新能源汽车产品线具有重要应用价值。文中提出的6.78MHz高频谐振技术可直接应用于车载OBC充电机和无线充电桩开发,实现95.7%直流效率的紧凑型无线充电方案。四种补偿拓扑的系统分析及寄生参数优化方法,可指导阳光电源在SiC/GaN高频器件应用中降低开关损耗。该技术...
一种用于带主动门极驱动器的并联SiC功率模块中电流均流的在线统一延迟与压摆率调节方法
An Online Unified Delay and Slew Rate Regulation for Current Sharing in Paralleled SiC Power Modules With Active Gate Drivers
Yan Li · Xibo Yuan · Yonglei Zhang · Kai Wang 等6人 · IEEE Transactions on Industrial Electronics · 2024年9月
为确保并联功率模块之间的电流均衡分配,可采用有源栅极驱动器(AGD)动态调节电流。然而,在碳化硅(SiC)器件极快的开关速度(例如小于100纳秒)下,AGD要实现有效、灵活且精确的动态电流调节颇具挑战。因此,本文提出了一种用于并联碳化硅金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管(MOSFET)功率模块的AGD在线统一开通/关断延时及电流变化率调节方案。该方案的优势在于,它能对延时调节和电流变化率调节实现独立的闭环控制,即电流变化率的调节不会影响已调好的延时补偿。此外,所提出的基于仅含两个推挽驱动通...
解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项针对并联SiC功率模块的主动栅极驱动器(AGD)电流均衡技术具有重要的应用价值。在我们的大功率光伏逆变器和储能变流器产品中,多模块并联已成为提升系统容量和可靠性的核心架构,而SiC器件的广泛应用正在推动产品向更高功率密度和效率演进。 该技术的核心创新在于实现了延迟调节...
探索La掺杂CeNiO3钙钛矿的光学、介电和光伏特性
Exploring optical, dielectric, and photovoltaic properties of La-doped CeNiO3 perovskite
Zeeshan Zaheer · Journal of Materials Science: Materials in Electronics · 2025年2月 · Vol.36.0
热稳定性、毒性和对湿气的敏感性是影响钙钛矿基太阳能电池长期性能的主要挑战。CeNiO3是一种稳定、无铅且易于制备的钙钛矿材料,由于其稳定的结构和长循环稳定性,目前正被研究用于超级电容器负极和光催化应用。本研究发现,纯CeNiO3具有1.25 eV的带隙,能够有效吸收可见太阳光谱的大部分区域;而La掺杂可将窄带隙的CeNiO3转变为宽带隙半导体(带隙分别为4.77 eV和4.85 eV)。介电研究表明,La掺杂样品中的能量损耗降低,特别是10% La掺杂的CeNiO3在所有入射频率下均表现出最小的...
解读: 该钙钛矿材料研究对阳光电源光伏逆变器和储能系统具有前瞻价值。CeNiO3的8.1%光电转换效率及宽光谱吸收特性,为SG系列逆变器的MPPT算法优化提供新材料适配方向。La掺杂后的宽带隙特性(4.77eV)和低介电损耗,与公司SiC/GaN功率器件的高频低损耗需求高度契合,可启发ST系列PCS的功率模...
氮化硅钝化层在多晶硅表面织构化及其功能行为研究
Texturing of silicon nitride passivation layers on functional behaviour study of polycrystalline silicon (p-Si) made with plasma enhanced chemical vapour deposition
Springer Nature remains neutral with regard to jurisdictional claims in published maps · institutional affiliations. · Journal of Materials Science: Materials in Electronics · 2024年12月 · Vol.36.0
多晶硅(p-Si)因其成本效益高、在太阳能电池中的高效性以及在电子器件中的广泛应用,对半导体和光伏产业至关重要。本研究通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法制备了具有不同厚度氮化硅(SiNx)涂层的多晶硅(p-Si)层,并系统合成与评估了其功能性特征。该研究探讨了不同厚度的SiNx织构层对底层p-Si基底光学和电子特性的影响。结果证实,SiNx钝化层对于提升基于p-Si器件的效率具有关键作用,能够降低表面复合速率、提高太阳能转换效率并增强光捕获能力。本文还研究了SiNx涂层厚度对p-Si...
解读: 该p-Si/SiNx钝化层研究对阳光电源SG系列光伏逆变器及PowerTitan储能系统具有重要价值。30nm SiNx层实现86%量子效率和1.55eV带隙优化,可提升组件端转换效率,直接增强MPPT算法输入功率质量。降低表面复合速率技术可应用于1500V高压系统的组件选型标准,优化iSolarC...
基于高质量叠层栅介质的Si衬底高效率AlN/GaN HEMT及其在K波段和Ka波段的应用
High-Efficiency AlN/GaN HEMTs With High-Quality Stacked Gate Dielectrics on Si Substrate for K- and Ka-Band Applications
Lingjie Qin · Jiejie Zhu · Qing Zhu · Bowen Zhang 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年6月
在本文中,我们报道了采用优化的 Al₂O₃/原位 SiN 堆叠栅介质、在 6 英寸硅衬底上制备的用于 K 波段和 Ka 波段应用的高性能 AlN/GaN 金属 - 绝缘体 - 半导体高电子迁移率晶体管(MIS - HEMT)。这些 MIS - HEMT 的栅长小于 0.2 微米,漏源间距为 3 微米,经频率相关的电容 - 电压(C - V)测量验证,其展现出卓越的电学特性和优异的界面质量。此外,通过应力测试证实了器件的可靠性。在 18 GHz 的大信号射频(RF)工作条件下,当漏极电压为 8 V...
解读: 从阳光电源的业务视角来看,这篇论文展示的AlN/GaN MIS-HEMT技术虽然聚焦于K/Ka波段射频应用,但其核心技术突破对我们在功率电子领域具有重要的参考价值和潜在协同效应。 该研究在6英寸硅基底上实现的高性能氮化镓器件,与阳光电源在光伏逆变器和储能变流器中大量使用的功率半导体技术路线高度相关...
基于耦合电感和电流馈电倍压器的高升压软开关变换器
A High Step-Up Soft-Switched Converter Based on Coupled Inductor and Current-Fed Voltage Multiplier
Koosha Choobdari Omran · Reza Beiranvand · Pourya Shamsi · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年8月
提出一种结合耦合电感CI和倍压器VM技术的新型非隔离DC-DC变换器。CI的漏感能量被有效回收,所有开关和二极管实现软开关条件。CI漏感与VM电容间的谐振提供软开关条件,无需独立谐振槽。VM级不仅降低半导体元件电压应力,还允许使用低压额定器件,从而降低导通损耗、成本并提高效率。通过适当调节开关占空比、CI匝比和VM级数可实现高电压增益,提供三个设计自由度。详细介绍了工作原理、稳态分析、元件应力、设计指南和性能比较。在最坏情况条件下实施并测试了输入电压范围40-50V、输出电压1kV、200kHz...
解读: 该高升压软开关变换器研究对阳光电源DC-DC变换器技术创新有重要参考价值。耦合电感回收漏感能量和无需独立谐振槽实现软开关的设计可应用于阳光PowerTitan储能系统的双向DC-DC模块,提高效率和降低成本。三个设计自由度(占空比、匝比、VM级数)提供的灵活性符合阳光ST系列储能变流器和SG系列光伏...
一种具有更高精度和通用性的九桥臂模块化多电平变换器改进稳态分析模型
An Improved Steady-state Analysis Model for Nine-arm Modular Multilevel Converter with Higher Accuracy and Versatility
Futian Qin · Feng Gao · Jingyang Fang · Tao Xu 等6人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年7月
九桥臂模块化多电平变换器(9A-MMC)作为一种具有两组交流端口的新型高压大功率多电平拓扑,通过复用中间桥臂可有效减小系统体积、重量与成本。其稳态分析对电路参数设计、器件选型及性能评估至关重要,但现有模型过于简化,仅能实现定性分析。本文提出一种改进的稳态分析模型,采用更精确的调制参考信号并考虑桥臂电流中的环流分量。基于基尔霍夫定律建立基本电路方程,结合内部电气参量的循环耦合路径推导数学关系,并依据动态功率平衡构建求解调制信号与桥臂电流未知量的方程组,从而精确获取所有电气参数。仿真与实验结果验证了...
解读: 该九桥臂MMC稳态分析模型对阳光电源储能与充电桩产品具有重要应用价值。9A-MMC拓扑通过复用中间桥臂实现双端口AC输出,与阳光电源PowerTitan储能系统的双向变流需求高度契合,可优化PCS拓扑设计,降低系统体积与成本。改进模型考虑环流分量与动态功率平衡,可精确指导ST系列储能变流器的桥臂电流...
基于数字孪生的五电平ANPC多电平变换器开路故障诊断
Digital Twin Enabled Open-Circuit Fault Diagnosis for Five-Level ANPC Multilevel Converters
Majid T. Fard · Benjamin J. Luckett · JiangBiao He · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2024年9月
本文提出一种面向五电平有源中点钳位(5L-ANPC)功率变换器的创新性数字孪生(DT)健康监测策略,针对其在高功率、安全关键应用中因半导体器件数量多而导致可靠性下降的问题。该方法构建实时DT副本,利用直流母线电容与飞跨电容电压、负载电流及开关模式等现有信号,在无需额外传感器的前提下实现开关开路故障的快速在线诊断,检测时间小于一个输出基波周期。实验结果验证了该DT健康监测方法在多种工况下的鲁棒性与有效性,显著提升系统可靠性并降低维护成本。
解读: 该数字孪生故障诊断技术对阳光电源ST系列储能变流器和PowerTitan大型储能系统具有重要应用价值。五电平ANPC拓扑与阳光电源储能产品采用的多电平技术架构高度契合,其无需额外传感器、仅利用现有电压电流信号实现快速故障诊断的方案,可直接集成至iSolarCloud智能运维平台,增强预测性维护能力。...
碳化硅功率MOSFET在25°C至375°C线性模式下的电热相互作用机制:理论分析、实验验证与封装效应
Electrothermal Interaction Mechanism for SiC Power MOSFET in Linear-Mode Operation From 25°C to 375°C: Theoretical Analysis, Experimental Verification and Packaging Effect
Fengtao Yang · Laili Wang · Zizhen Cheng · Mengyu Zhu 等6人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年8月
功率器件的高温能力是提升变换器功率密度的有效途径之一。热失控是线性模式下硅基MOSFET高温运行中的常见问题,但在碳化硅(SiC)器件中的表现尚不明确。本文首次系统研究了SiC功率MOSFET在25°C至375°C结温范围内线性模式下的电热相互作用机制,建立了理论模型,并通过半导体物理仿真与实验验证了其有效性。同时分析了封装参数对高温转换性能的影响,提出一种热敏感度控制方法,有望实现高灵敏度结温检测,为高温及超高温SiC应用提供理论依据与设计指导。
解读: 该SiC MOSFET高温电热相互作用机制研究对阳光电源功率器件应用具有重要价值。在ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器中,SiC器件的高温运行能力直接影响系统功率密度和可靠性。研究提出的25-375°C全温域理论模型和热敏感度控制方法,可指导阳光电源优化功率模块设计,避免线性模式下的热失控风险。...
基于阵列换能器的水下抗失调超声功率传输系统
An Underwater Anti-Misalignment UPT System Based on Array Transducers
Sumin Han · Jingli Gao · Shangcong Tian · Jiaoxin Jia · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年8月
提出基于阵列换能器的水下超声功率传输UPT系统以改善失调容限。阵列换能器通过多单元协同工作扩大有效传输区域,提高水下移动设备充电鲁棒性。实验验证该系统在水下环境和失调条件下的优越性能,显著提升传输稳定性和效率。
解读: 该水下超声功率传输研究对阳光电源特种应用场景有前瞻价值。虽然超声传输与阳光主营业务差异较大,但抗失调阵列技术思路可借鉴用于阳光水下AUV无线充电方案设计。该研究对阳光拓展海洋新能源应用有启发意义。...
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