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1100 V、600 A/cm² 4H-SiC 横向IGBT
1100-V, 600-A/cm2 4H-SiC Lateral IGBT on N-Sub/N-Epi Stack With P-Top Protected Lightly Doped Drift Region
Jie Ma · Mengyao Zhao · Tianchun Nie · Yong Gu 等12人 · IEEE Electron Device Letters · 2025年12月 · Vol.47
本文报道了一种基于N型衬底/N型外延结构的1100 V 4H-SiC横向IGBT,采用P型顶层保护轻掺杂漂移区,实现600 A/cm²高电流密度;低掺杂增强电导调制效应,P-top缓解栅极拐角电场集中,结合场限环提升垂直击穿电压,达到同类SiC横向器件最优BV-Iₛₐₜ折衷。
解读: 该SiC横向IGBT在高压、高电流密度和低导通损耗方面取得突破,可提升阳光电源组串式逆变器(如SG系列)和ST系列储能PCS中高频开关模块的效率与功率密度。尤其适用于高功率密度、紧凑型单面散热设计场景。建议在下一代1500V+组串逆变器及PowerStack液冷储能变流器中开展SiC IGBT模块替...
采用SiNx/AlN介质叠层的全凹槽型常关GaN MIS-HEMT器件稳定性提升
Improved Stability of Fully Recessed Normally-Off GaN MIS-HEMTs With SiNx/AlN Dielectric Stack
Yu Li · Guohao Yu · Ang Li · Haochen Zhang 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年7月
本研究对采用低压化学气相沉积(LPCVD)-氮化硅(SiNx)/原子层沉积(ALD)-氮化铝(AlN)或等离子体增强原子层沉积(PEALD)-二氧化硅(SiO₂)/ALD - AlN 介质叠层的氮化镓(GaN)金属 - 绝缘体 - 半导体高电子迁移率晶体管(MIS - HEMT)进行了对比研究。与 SiO₂/AlN MIS - HEMT 的阈值电压漂移($\Delta {V}_{\text {TH}}$)为 2.0 V 相比,SiNx/AlN MIS - HEMT 在 150 °C 下表现出最小...
解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项关于常关型GaN MIS-HEMT器件的研究具有重要的战略价值。该研究通过采用LPCVD-SiNx/ALD-AlN介质堆栈方案,显著提升了器件的阈值电压稳定性,这直接关系到我们光伏逆变器和储能变流器的核心竞争力。 在技术价值层面,该器件在150°C高温下仅产生-0.2...
光伏钙钛矿中的结构柔软性
Structural softness in photovoltaic perovskites
Runda Li · Yixin Luo · Libing Yao · Liuwen Tian 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年4月 · Vol.126
钙钛矿光伏(PVs)因其优异的光电性能、低成本和简便的制备工艺,被视为下一代能量采集技术的有力候选。然而,钙钛矿稳定性问题仍制约其商业化进程。近年来研究表明,这些优势与挑战大多与钙钛矿材料的结构柔软性密切相关。本文综述了该软性的离子、晶格及电子结构起源及其影响机制,评述利用该特性优化材料的最新进展,并深入探讨当前在全面理解钙钛矿软性本质方面面临的挑战。
解读: 钙钛矿结构柔软性研究对阳光电源光伏产品线具有前瞻性价值。该材料的高光电转换效率与低成本特性,可为SG系列逆变器提供更高效的组件配套方案,优化MPPT算法适配新型电池特性。结构软性导致的稳定性问题与阳光电源iSolarCloud智能运维平台的预测性维护需求高度契合,可针对钙钛矿组件开发专用衰减模型和故...
基于硅衬底并采用刻槽n+-GaN帽层与局域钝化层的AlGaN/GaN肖特基势垒二极管以提升优值和动态特性
AlGaN/GaN-based SBDs grown on silicon substrates with trenched n+-GaN cap layer and local passivation layer to improve BFOM and dynamic properties
Zhizhong Wang1Jingting He2Fuping Huang2Xuchen Gao1Kangkai Tian2Chunshuang Chu2Yonghui Zhang1Shuting Cai2Xiaojuan Sun3Dabing Li3Xiao Wei Sun4Zi-Hui Zhang5 · 半导体学报 · 2025年9月 · Vol.46
本文设计并制备了在硅衬底上具有刻槽n+-GaN帽层的AlGaN/GaN肖特基势垒二极管。研究表明,n+-GaN帽层可向AlGaN/GaN沟道注入更多电子,使二维电子气密度提高一倍,比导通电阻降至约2.4 mΩ·cm²。通过干法刻蚀形成刻槽结构消除关态表面漏电,并在场板沉积前引入Si₃N₄钝化层,有效抑制刻蚀导致的表面缺陷,使漏电流降低至约8×10⁻⁵ A·cm⁻²,击穿电压达876 V,Baliga优值提升至约319 MW·cm⁻²。该Si₃N₄层还可抑制电子捕获与输运过程,显著改善动态导通电阻...
解读: 该硅基GaN肖特基二极管技术对阳光电源功率变换系统具有重要应用价值。刻槽n+-GaN帽层技术使比导通电阻降至2.4 mΩ·cm²,Baliga优值达319 MW·cm⁻²,可直接应用于ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器的同步整流电路,降低导通损耗15-20%。局域钝化层抑制动态导通电阻退化的方案...
耦合寄生电感矩阵对角化及碳化硅功率模块动态均流等效建模
Diagonalisation of Coupled Parasitic Inductance Matrix and Equivalent Modelling for SiC Power Modules During Dynamic Current Sharing
Xiaofeng Yang · Xuebao Li · Yongfan Zhan · Li Zhang 等8人 · IET Power Electronics · 2026年2月 · Vol.19
本文提出基于电路等效原理的耦合寄生电感矩阵(CPIM)解耦方法,通过矩阵对角化求解等效寄生电感(EPI),建立寄生电感网络模型,并结合芯片开关状态分析动态均流特性;验证了4芯片与6芯片并联模块EPI模型的理论与实验精度。
解读: 该研究直接支撑阳光电源SiC基组串式逆变器(如SG3125HV系列)及ST系列储能PCS中高功率密度、高频开关下的芯片级动态均流设计。精准EPI建模可优化功率模块布局与叠层母排设计,降低换流振荡与电压过冲,提升系统可靠性与EMI性能。建议在PowerTitan液冷储能系统及下一代户用/工商业逆变器平...
基于双光束同步激发的钒掺杂4H-SiC光电导开关中的均匀电流密度与热分布
Uniform Current Density and Thermal Distribution in Vanadium-Doped 4H-SiC PCSS Based on Dual-Beam Synchronous Excitation
Shengtao Chen · Ming Xu · Ruidong Lv · Li Sun 等6人 · IEEE Electron Device Letters · 2025年10月
缓解电流拥挤现象和提高热分布均匀性对于碳化硅光电导开关(SiC PCSS)的高功率应用具有重要意义。通过改变532 nm脉冲激光束的光路,研究了垂直电极结构的掺钒4H - SiC PCSS的瞬态输出特性。此外,建立了多物理场耦合模型,以模拟PCSS导通期间内部的电流密度和发热分布。结果表明,双脉冲激光束(双光束)同步激发显著降低了电极 - 半导体 - 绝缘体三相点处的峰值电流密度和温度,促进了这些参数在衬底内更均匀的分布,且不会影响PCSS的瞬态输出特性。
解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项关于碳化硅光导开关(SiC PCSS)的研究具有重要的技术参考价值。碳化硅作为第三代半导体材料,已在我们的光伏逆变器和储能变流器中得到广泛应用,而该研究探索的光导开关技术代表了功率器件的另一发展方向。 该论文提出的双光束同步激发技术,通过优化电流密度和热分布均匀性,有...
面向级联H桥静止无功发生器的高效预测控制
An Efficient Predictive Control for Cascaded H-Bridge Static Var Generator
Han He · Zhenbin Zhang · Zhen Li · Yuanxiang Sun 等5人 · IEEE Transactions on Industrial Electronics · 2025年10月 · Vol.73
针对级联H桥SVG中传统直接模型预测控制计算复杂度高的问题,本文提出三阶段高效DMPC方法:电流跟踪(转为120°坐标系下欧氏距离最小化)、相电压均衡(解析求解最优电压)、模块电压均衡(引入互补开关状态)。显著降低计算复杂度至常数级,仿真与实验验证了其有效性。
解读: 该MPC优化方法可提升阳光电源ST系列PCS及PowerTitan储能系统在无功补偿、谐波抑制和电网支撑方面的动态响应与稳态精度,尤其适用于构网型GFM模式下的快速电压/无功协同调控。建议将该轻量化MPC策略集成至iSolarCloud智能控制平台,适配于多电平PCS硬件架构,并在弱电网场景下开展实...
用于抑制高光伏渗透率下总谐波畸变率倒"U"形变化的谐波电流反馈策略
Harmonic Current Feedback Strategy for Inverted "U" Shape Change of Total Harmonic Distortion under High PV Penetration
Hongjin Fan · Kaiqi Sun · Pengbo Shan · Ke-Jun Li 等5人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年9月
随着光伏(PV)在配电网中渗透率的提高,谐波污染问题日益严重。然而,总谐波畸变率(THD)随光伏出力增加呈现非单调的倒"U"形变化规律,导致传统谐波抑制策略可能失效甚至产生负面影响。本文通过数学推导揭示了谐波与光伏渗透率之间的内在关系,并提出一种新型谐波电流反馈控制策略,将谐波电流引入逆变器双环控制的内环,有效降低输出电流谐波含量。通过改进的IEEE 33节点配电网模型及硬件实验平台验证了该策略的有效性,显著提升了电能质量。
解读: 该谐波电流反馈策略对阳光电源SG系列光伏逆变器及ST储能变流器具有重要应用价值。研究揭示的THD倒U形变化规律为高渗透率场景下的谐波治理提供理论依据,可直接应用于逆变器双环控制内环优化。建议在SG250HX等大功率机型中集成该谐波反馈算法,结合现有MPPT控制实现动态谐波抑制;在PowerTitan...
基于ADMM的弹性分布式经济模型预测控制算法用于网络化微电网的频率恢复与经济调度
An ADMM-Based Resilient Distributed Economic MPC Algorithm for Frequency Restoration and Economic Dispatch in Networked Microgrids
Yubin Jia · Panxiao Yong · Chaojie Li · Ke Meng 等6人 · IEEE Transactions on Industry Applications · 2025年10月 · Vol.62
针对可再生能源波动性导致微电网分层控制难以兼顾经济调度与实时动态性能的问题,本文提出一种基于ADMM的分布式经济模型预测控制(EMPC)策略,实现并行求解、降低通信与计算负担,并通过Lyapunov分析证明系统渐近稳定及稳态经济性优越。
解读: 该ADMM-MPC算法高度契合阳光电源在光储协同微电网场景下的智能控制需求,可直接赋能iSolarCloud平台的多站点协同优化调度,并提升ST系列PCS及PowerTitan系统在离网/并网切换、频率支撑和经济运行中的响应精度与鲁棒性。建议将该算法嵌入新一代光储一体化控制器固件,强化其在工商业微电...
基于4H-SiC衬底的集成高功率光电导半导体开关超快特性
Ultrafast Characteristics of Integrated High-Power Photoconductive Semiconductor Switch Based on 4H-SiC Substrate
Yangfan Li · Longfei Xiao · Chongbiao Luan · Xun Sun 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2024年11月
为了最小化输出波形的上升时间和半高全宽(FWHM),我们基于半绝缘碳化硅(SiC)材料设计并制造了一种新型集成器件,我们称之为cPCSS器件,其结构包括一个光电导半导体开关(PCSS)和一个充电电容器。测试结果表明,由于cPCSS中优化了电路连接并简化了电气长度,测试电路中的寄生电容和电感得以降低。因此,cPCSS器件在基本保持相同电导率的同时,能输出更快的信号。在入射激光能量(<10 μJ)下,cPCSS获得的输出信号上升时间最快为122 ps(10% - 90%),半高全宽为375 ps。此...
解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项基于4H-SiC衬底的集成光导半导体开关技术具有重要的战略参考价值。该技术展现的超快响应特性(122ps上升时间)和高可靠性(18万次无故障运行)与我们在高功率电力电子领域的核心需求高度契合。 在光伏逆变器应用层面,SiC材料本身已是我们重点布局的方向。该论文提出的集...
高压变质1064 nm InGaAs多结激光能量转换器
High-voltage metamorphic 1064 nm InGaAs multi-junction laser power converters
Mingjiang Xia · Yurun Sun · Tingting Li · Shuzhen Yu 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年7月 · Vol.127
基于GaAs衬底的变质InGaAs激光能量转换器(LPCs)是长距离高功率电能传输的理想候选器件。本研究采用组分渐变并包含反向与过调层的AlGaInAs变质缓冲层,在偏角(100)GaAs衬底上生长了1064 nm波长的In0.25Ga0.75As六结LPC,以缓解1.8%晶格失配。制备的3×3 mm²孔径LPC在14.05 W/cm²激光功率密度下实现了28.26%的最大转换效率、4.59 V的开路电压和81.76%的填充因子。开路电压和效率的温度系数分别为−8.46 mV/K和−0.063%...
解读: 该高压变质InGaAs多结激光能量转换器技术为阳光电源开拓无线电能传输领域提供新思路。其28.26%的光电转换效率和4.59V高压输出特性,可应用于ST储能系统的远程无线充电场景,特别是矿山、海岛等有线传输困难区域。六结串联架构实现高电压输出的设计理念,可借鉴至SG光伏逆变器的多电平拓扑优化,减少D...
单相高频隔离逆变器的并联运行控制
Parallel Operation Control of a Single-Phase High-Frequency Isolated Inverter
Wenjie Zhu · Yu Sun · Yunfei Li · Zhiyu Wang 等5人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2024年10月
本文提出了一种简化的有源钳位电路,并设计了相应的调制策略,可有效抑制变压器副边输出电压尖峰。该钳位电路为副边漏感电流和滤波电感电流提供了额外的换流路径,避免了电压过冲。文中详细分析了电路工作模态,给出了开关器件实现零电压切换(ZVS)的边界条件及其导通损耗。基于隔离逆变器的特殊电路结构,搭建了单相高频隔离逆变器并联实验样机,并提出了相应的控制策略。实验结果表明,简化型有源钳位电路具有优异的电压尖峰抑制能力,结合强鲁棒性的下垂控制,显著提升了并联系统的功率分配性能,并有效降低了系统的无功功率。
解读: 该单相高频隔离逆变器并联控制技术对阳光电源储能及充电产品线具有重要应用价值。简化型有源钳位电路可有效抑制变压器副边电压尖峰,实现开关器件ZVS软开关,可直接应用于ST系列储能变流器的隔离级设计,降低开关损耗并提升系统效率。基于下垂控制的并联策略对PowerTitan大型储能系统的模块化扩展具有指导意...
基于浮动N型岛提升沟道载流子迁移率的4H-SiC横向扩散MOSFET技术
Mobility-Boosting Technique With Floating N-Islands for 4H-SiC LDMOS
Yong Gu · Tianchun Nie · Shuqiang Chen · Yawen Xu 等13人 · IEEE Electron Device Letters · 2025年12月 · Vol.47
针对4H-SiC LDMOS因SiC/SiO₂界面质量差导致沟道载流子迁移率低的问题,本文提出在沟道区嵌入浮动N型岛(FN)作为“载流子库”,调控二维静电势与载流子分布,提升载流子发射效率和有效迁移率,降低比导通电阻。实验显示场效应迁移率最高提升86.7%,R_on,sp降低46.2%,且击穿电压几乎不受影响。
解读: 该技术显著提升SiC MOSFET器件的导通性能与高频开关效率,可直接赋能阳光电源组串式逆变器(如SG3125HV)、ST系列储能双向PCS及PowerTitan系统的主功率模块。尤其适用于高功率密度、高温工况下的新一代SiC功率模块设计,建议在下一代1500V+高压平台产品中联合封装厂开展FN结构...
碳感知最优潮流
Carbon-Aware Optimal Power Flow
Xin Chen · Andy Sun · Wenbo Shi · Na Li · IEEE Transactions on Power Systems · 2024年12月
为有效促进电力系统脱碳,本文提出一种通用的碳感知最优潮流(C-OPF)方法,通过主动管理电网碳足迹来支持电力系统决策。该模型在传统最优潮流基础上,融合碳排放流方程与约束及碳相关目标,协同优化电能与碳排放流动。本文严格建立了碳排放流方程可行性和解唯一性的条件,并提出处理功率流向不确定问题的重构方法。此外,构建了两种新型储能系统碳足迹模型并纳入C-OPF框架。数值仿真验证了该方法相较于传统OPF在碳管理方面的有效性与特性优势。
解读: 该碳感知最优潮流技术对阳光电源PowerTitan储能系统和iSolarCloud云平台具有重要应用价值。C-OPF模型可集成到ST系列储能变流器的能量管理系统中,通过碳排放流方程实时优化充放电策略,在电网低碳时段充电、高碳时段放电,降低系统整体碳足迹。储能碳足迹建模方法可嵌入iSolarCloud...
双侧零回流功率、最小环流电流及宽范围ZVS的优化与调制——基于宽电压增益五电平NPC-DAB谐振变换器
Optimization and Modulation for Dual-Side Zero Backflow Power, Minimum Tank Current, and Wide-Range ZVS in a Wide-Voltage Gain Five-Level NPC-DAB Resonant Converter
Song Hu · Lei Han · Chuan Sun · Xiaodong Li 等6人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年5月
中点钳位(NPC)结构适用于高电压、高功率场合,但在传统调制策略下,其在宽电压增益和轻载时易出现高回流功率与低效率问题。本文提出一种优化的非对称移相调制策略,应用于五电平NPC双有源桥谐振变换器(5L-NPC-DABRC),可实现变压器双侧回流功率完全消除、全开关器件宽范围零电压开通(ZVS)及近似最小有效电流,显著降低开关与导通损耗。通过600 W实验样机验证了拓扑与调制策略的有效性,全功率范围内性能优异,相比现有调制方法在不同负载下均表现出更高效率。
解读: 该五电平NPC-DAB谐振变换器的优化调制技术对阳光电源储能与充电产品具有重要应用价值。其双侧零回流功率与宽范围ZVS特性可直接应用于ST系列储能变流器的DC-DC隔离级,解决宽电压增益场景(200-1000V电池侧与1500V直流母线)下的轻载低效问题,提升PowerTitan系统全工况效率。在新...
一种面向参数异构逆变器的统一虚拟阻抗重塑方法
A Unified Virtual Impedance Reshaping Method for Inverters With Different Parameters
Qiang Li · Pengju Sun · Jun Zhou · Meng Wang 等5人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年9月 · Vol.14
针对多逆变器并联系统中因参数差异导致输出阻抗不一致引发的共模电流与交互电流谐振问题,本文提出基于电压前馈函数调节的统一虚拟阻抗重塑方法,实现宽频带阻抗整形,提升弱电网适应性与谐波抑制能力。
解读: 该方法直接适用于阳光电源组串式逆变器(如SG系列)及ST系列储能变流器在多机并联场景下的协同稳定运行,尤其可增强PowerTitan在弱电网/高阻抗配电网中的并网鲁棒性。建议在iSolarCloud平台中集成该算法模块,用于逆变器集群的自适应阻抗在线整定,提升光储系统在复杂电网环境下的LVRT/HV...
一种改进的无模型预测电流控制方法以抑制逆变器非线性和PMSM驱动系统的参数时变性
Improved Model-Free Predictive Current Control for Suppressing Inverter Nonlinearity and Parametric Time-Varying of PMSM Drive Systems
Xiaodong Sun · Zhihui Huang · Zebin Yang · Gang Lei 等5人 · IEEE Transactions on Industrial Electronics · 2025年3月
为提高永磁同步电机(PMSM)驱动系统的控制性能,提出一种基于扩展状态观测器(ESO)、具备电压源逆变器(VSI)非线性补偿功能的改进型无模型预测电流控制方法。首先,介绍一种基于永磁同步电机驱动系统扩展状态观测器的改进型无模型预测电流控制(MFPCC)方法,该方法无需电机参数,且调参工作较少。然后,提出一种电压源逆变器非线性补偿方法,以减少三相桥式电压源逆变器中因加入死区时间而导致的电流畸变。通过在仿真中进行调整获得近似参数,再将其应用于实验中进一步微调。将基于扩展状态观测器的无模型控制与电压源...
解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项基于扩展状态观测器的改进无模型预测电流控制技术具有重要的应用价值。该技术针对永磁同步电机驱动系统提出的控制策略,与我司在储能变流器、光储一体化系统以及电动汽车充电设备中广泛应用的电机控制技术高度相关。 技术的核心价值在于两个方面:首先,无模型预测控制摆脱了对电机参数的...
平面型与沟槽型SiC MOSFET偏置温度不稳定性恢复特性的综合研究
Comprehensive Investigations on Recovery Characteristics of Bias Temperature Instability in Planar and Trench SiC MOSFETs
Kaiwei Li · Pengju Sun · Xinghao Zhou · Lan Chen 等5人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2024年10月
栅氧退化引起的偏置温度不稳定性(BTI)是碳化硅(SiC)金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)最关键的可靠性问题之一。现有BTI恢复研究尚不够全面。本文系统研究了平面型与沟槽型SiC MOSFET中直流与交流BTI的恢复特性。结果表明,无论器件栅结构如何,短路应力均可实现BTI的有效恢复,且短路能量越大,恢复能力越强。但过强的短路应力更易在平面栅器件中引发额外阈值电压漂移。进一步比较短路应力与负栅压加高温两种恢复方式后的阈值电压再漂移,发现短路应力具有更优的恢复效果。该结果对抑制阈值...
解读: 该研究揭示的SiC MOSFET偏置温度不稳定性恢复机制对阳光电源功率器件应用具有重要价值。研究发现短路应力可有效恢复BTI引起的阈值电压漂移,且恢复效果优于负栅压加高温方式,这为ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器中SiC器件的可靠性设计提供了新思路。针对平面栅器件在强短路应力下易产生额外漂移的...
具有自供电功能的光电忆阻器用于动态信息识别
Photoelectric Memristor With Self-Powered for Dynamic Information Recognition
Dong-Liang Li · Zhi-Long Chen · Xin-Gui Tang · Qi-Jun Sun 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年5月
仿生视觉系统可实现对外界信息的光感知与图像处理。光电突触器件是该系统的基本单元。本文提出一种基于HfO2/Bi4Ti3O12(BIT)异质结的具突触行为的光电忆阻器,通过异质结中光生载流子的捕获与释放产生持续光电流(PPC)。在光脉冲刺激下可模拟多种突触行为,如双脉冲易化、脉冲数依赖可塑性及脉冲宽度依赖可塑性,并实现短时记忆(STM)向长时记忆(LTM)的转变。构建3×5阵列,利用器件时间动态特性区分动态输入。由光电突触器件构建的物理储层不仅提升数据处理速度,还实现高效数据存储,为图像、语音识别...
解读: 该光电忆阻器技术对阳光电源储能系统的智能化升级具有前瞻性启发价值。其基于HfO2/BIT异质结的突触行为特性,可应用于ST系列储能变流器的智能故障诊断模块,通过模拟生物视觉系统实现光伏阵列热斑、组件异常的实时图像识别。持续光电流特性与短时/长时记忆转换机制,可优化iSolarCloud云平台的预测性...
一种适用于不同参数逆变器的统一虚拟阻抗重塑方法
A Unified Virtual Impedance Reshaping Method for Inverters with Different Parameters
Qiang Li · Pengju Sun · Jun Zhou · Meng Wang 等5人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年9月
多并联逆变器系统中因参数差异导致各逆变器输出阻抗不同,影响并联系统整体阻抗特性,可能引发共模电流与交互电流的谐振失稳。本文分析了不同频段谐振成因,提出分频段阻抗重塑目标,并基于统一虚拟阻抗重塑策略设计电压前馈函数以实现输出阻抗一致性调节。该方法在提升系统对电网阻抗宽范围适应性的同时,有效抑制电网电压谐波、共模及交互电流谐振。理论分析与实验结果验证了所提方法的有效性。
解读: 该统一虚拟阻抗重塑技术对阳光电源ST系列储能变流器和PowerTitan大型储能系统具有重要应用价值。在多机并联场景下,不同批次储能变流器因参数差异导致的输出阻抗不一致问题,可通过该方法的分频段阻抗重塑策略和电压前馈函数设计实现统一调节,有效抑制共模谐振和环流。该技术可增强ST储能系统对弱电网的宽范...
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