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风电变流技术 ★ 5.0

浮动电容电压对开绕组同步磁阻电机驱动转矩-速度特性的影响

Effects of the Floating Capacitor Voltage on the Torque-Speed Characteristic of an Open-End Winding Synchronous Reluctance Motor Drive

Jacopo Riccio · Filippo Gemma · Luca Rovere · Giulia Tresca 等6人 · IEEE Transactions on Industry Applications · 2025年1月

本论文研究了采用开口绕组(OEW)结构的同步磁阻电机驱动系统的转矩 - 转速特性。该电机由标准的两电平电压源逆变器(VSI)供电,其中一个逆变器由直流电源供电,另一个则连接到一个浮动电容(FC)。分析过程考虑了通过实验确定的同步磁阻电机的磁链图,以考虑自饱和和交叉饱和现象的影响。研究表明,采用浮动电容的双逆变器(DI)结构能够显著扩展恒转矩转速范围并实现单位功率因数。此外,分析显示,与标准的单逆变器(SI)结构相比,在恒功率转速范围内,转矩能够显著提高。借助开口绕组驱动装置的完整模型,可以有目的...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,该论文提出的开放式绕组同步磁阻电机双逆变器驱动技术具有显著的应用价值。该技术通过浮动电容器与双逆变器配置,有效拓展了恒转矩速度范围并实现单位功率因数运行,这与我司在光伏逆变器和储能系统领域积累的多电平拓扑控制经验高度契合。 从产品创新角度,该技术可直接应用于我司新能源汽车...

电动汽车驱动 单相逆变器 PWM控制 空间矢量调制SVPWM ★ 5.0

一种采用分数频率半周期调制策略的新型五电平混合NPC-ANPC H桥单相逆变器

A Novel Five-Level Hybrid NPC-ANPC H-Bridge Single-Phase Inverter With Fractional Frequency Half-Cycle Modulation Strategy

Xinyuan Zhang · Zhijian Feng · Shuzhe Zhao · Zixiang Sun 等6人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年1月

本文提出了一种新型五电平混合中点钳位(NPC)-有源NPC(ANPC)H桥单相逆变器,通过结合使用硅(Si)器件的NPC臂与碳化硅(SiC)器件的ANPC臂,有效控制SiC器件成本。提出分数频率半周期(FFHC)空间矢量脉宽调制(SVPWM)策略,使NPC臂开关器件工作于基频,ANPC臂器件仅在半个周期内高频开关,从而提升效率、功率密度与热稳定性。详细阐述了逆变器的工作原理,并建立损耗与热模型以分析器件损耗分布、温度分布及最大结温。实验样机验证了该拓扑在效率、功率密度和热性能方面的优势。

解读: 该混合NPC-ANPC五电平拓扑及FFHC调制策略对阳光电源多条产品线具有重要应用价值。在车载OBC充电机领域,通过Si/SiC混合方案可有效控制成本,同时ANPC臂半周期高频开关策略显著降低开关损耗,提升功率密度,契合车载轻量化需求。在ST储能变流器单相模块设计中,该拓扑的基频开关特性可降低NPC...

拓扑与电路 ★ 4.0

采用准自对准着陆垫实现100 Ω寄生电阻和965 μA/μm导通电流的高性能GAA晶体管

High-Performance GAA FETs With 100 Ω Parasitic Resistance and 965 μA/μm On-State Current Using Quasi-Self-Aligned Landing Pads

R. J. Jiang · P. Wang · J. X. Yao · X. X. Zhang 等6人 · IEEE Electron Device Letters · 2024年11月

为克服环绕栅场效应晶体管(GAA FETs)中严重的外延缺陷所导致的高寄生电阻和驱动性能不佳的挑战,本文提出了一种准自对准着陆垫(QSA LPs)技术,并展示了在 GAA FETs 中多层堆叠沟道与单晶硅锗/硅超晶格源/漏(SD)结构之间的无缺陷连接。与采用宽间距着陆垫的器件相比,使用 QSA LPs 技术时,N 型场效应晶体管(NFET)和 P 型场效应晶体管(PFET)的寄生源/漏电阻($R_{SD}$)分别降低了 98.8% 和 96.3%。因此,对于栅长为 180 nm 的 N/PFET...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项GAA FET准自对准着陆焊盘技术展现出显著的战略价值。该技术通过创新的工艺方案,将寄生电阻降低超过96%,并实现965 μA/μm的高导通电流,这对我们的核心产品具有重要意义。 在光伏逆变器领域,功率半导体器件的性能直接决定了系统的转换效率和功率密度。GAA FET...

电动汽车驱动 SiC器件 工商业光伏 ★ 5.0

碳化硅功率MOSFET在25°C至375°C线性模式下的电热相互作用机制:理论分析、实验验证与封装效应

Electrothermal Interaction Mechanism for SiC Power MOSFET in Linear-Mode Operation From 25°C to 375°C: Theoretical Analysis, Experimental Verification and Packaging Effect

Fengtao Yang · Laili Wang · Zizhen Cheng · Mengyu Zhu 等6人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年8月

功率器件的高温能力是提升变换器功率密度的有效途径之一。热失控是线性模式下硅基MOSFET高温运行中的常见问题,但在碳化硅(SiC)器件中的表现尚不明确。本文首次系统研究了SiC功率MOSFET在25°C至375°C结温范围内线性模式下的电热相互作用机制,建立了理论模型,并通过半导体物理仿真与实验验证了其有效性。同时分析了封装参数对高温转换性能的影响,提出一种热敏感度控制方法,有望实现高灵敏度结温检测,为高温及超高温SiC应用提供理论依据与设计指导。

解读: 该SiC MOSFET高温电热相互作用机制研究对阳光电源功率器件应用具有重要价值。在ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器中,SiC器件的高温运行能力直接影响系统功率密度和可靠性。研究提出的25-375°C全温域理论模型和热敏感度控制方法,可指导阳光电源优化功率模块设计,避免线性模式下的热失控风险。...

电动汽车驱动 GaN器件 ★ 4.0

原位生长SiNx在AlN/GaN高电子迁移率晶体管欧姆接触形成中的作用

Role of in-situ SiNx in ohmic contact realization in AlN/GaN HEMTs

Manoj Saxena · Journal of Materials Science: Materials in Electronics · 2025年7月 · Vol.36.0

本研究探讨了在用于高频应用的AlN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs)上原位生长的氮化硅(SiNx)层中欧姆接触的形成与优化。采用标准的Ti/Al/Ni/Au金属体系,获得的接触电阻(RC)为0.14 Ω·mm,方块电阻(RSH)为629 Ω/□,比接触电阻为1.2 × 10−6 Ω·cm2。高温退火过程中,Ti金属与下方的SiNx层发生界面反应,生成钛硅化物(TixSiy)复合物和氮化钛(TiN)。接触退火在氮气氛围中通过快速热退火(RTP)工艺完成,实验发现800 °C下退火60秒可获得...

解读: 该AlN/GaN HEMT欧姆接触优化技术对阳光电源功率器件应用具有重要价值。研究实现的0.14Ω·mm接触电阻和340mS/mm峰值跨导,可显著降低SG系列光伏逆变器和ST储能变流器中GaN功率开关的导通损耗。原位SiNx层与Ti/Al金属化方案形成的低阻接触,适用于三电平拓扑和高频开关场景。80...

光伏发电技术 ★ 5.0

面向电网互联串联型低压隔离光伏微逆变器的自主控制方案

Autonomous Control Scheme for Grid-Interfaced Series-Connected Low-Voltage Isolated PV Microinverter

Subhrasish Pal · Souvik Chattopadhyay · IEEE Transactions on Industry Applications · 2025年1月

本文提出并分析了一种用于串联低压微逆变器(LVM)运行的自主分散控制方案。由于无需高压增益级,串联的低压微逆变器可使用具有更优特性的低压且经济高效的硅金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管(Si MOSFET)。然而,由于低压微逆变器的输出是串联的,在所有模块中实施电流控制会违反电路定律。为此,本研究旨在开发一种控制方案,该方案能动态确定串列中的哪个模块需要作为电流控制器运行,从而实现所有模块的最大功率点跟踪(MPPT)。如果串列中的某个模块因自身故障而失效,该方案仍然有效,因为串列中电流控制...

解读: 该串联型微逆变器自主控制技术对阳光电源SG系列组串式逆变器和分布式光伏系统具有重要参考价值。其去中心化控制架构与阳光电源多MPPT独立控制理念契合,可应用于复杂遮挡场景的功率优化。文中电压均衡与功率调节策略可借鉴至SG110CX等高功率密度逆变器的组串失配管理,提升发电效率。自主控制无需通信的特性对...

系统并网技术 并网逆变器 弱电网并网 构网型GFM ★ 4.0

基于同步相量的次/超同步振荡参数辨识方法:自适应经验傅里叶分解

Synchrophasor-Based Parameter Identification of Sub/Super-Synchronous Oscillations Using Adaptive Empirical Fourier Decomposition

Lixin Wang · Zihan Zhang · Zhenglong Sun · Han Gao 等7人 · IEEE Transactions on Power Delivery · 2025年12月 · Vol.41

针对同步相量测量噪声导致次同步振荡(SSO)参数辨识精度低的问题,本文提出融合自适应经验傅里叶分解(AEFD)与Prony法的联合辨识方案,可准确分离并提取次/超同步模态,提升抗噪性与模态解耦能力。

解读: 该研究对阳光电源ST系列PCS、PowerTitan储能系统及组串式逆变器在弱电网/新能源高渗透场景下的并网稳定性监测具有重要价值。其高精度振荡模态辨识能力可增强iSolarCloud平台对次/超同步振荡的早期预警与故障归因分析能力,建议将AEFD-Prony算法嵌入PCS嵌入式DSP或iSolar...

储能系统技术 储能系统 GaN器件 ★ 5.0

基于硅衬底的E模AlN/GaN HEMT在3.6 GHz下实现80.4%功率附加效率用于低电源电压射频功率应用

E-Mode AlN/GaN HEMTs on Si With 80.4% PAE at 3.6 GHz for Low-Supply-Voltage RF Power Applications

Guangjie Gao · Zhihong Liu · Lu Hao · Fang Zhang 等6人 · IEEE Electron Device Letters · 2024年11月

在硅衬底上制备了具有 160 纳米 T 形凹槽栅的增强型(E 型)AlN/GaN 高电子迁移率晶体管(HEMT)。所制备的器件阈值电压(${V}_{\text {TH}}$)为 +0.35 V,最大漏极电流(${I}_{\text {DMAX}}$)为 1.58 A/mm,导通电阻(${R}_{\text {ON}}$)低至 1.8 Ω·mm,峰值跨导(${G}_{\text {MMAX}}$)超过 580 mS/mm。截止频率(${f}_{\text {T}}$)达到 85 GHz,最大振荡频...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项增强型AlN/GaN HEMT技术展现出显著的战略价值。该器件在低供电电压(6V)下实现80.4%的功率附加效率(PAE),这一突破性指标直接契合我们光伏逆变器和储能变流器对高效功率转换的核心需求。 技术优势方面,该器件的正阈值电压(+0.35V)实现了常关特性,这对...

电动汽车驱动 GaN器件 ★ 4.0

高功率器件中端电容的建模与分析:以p-GaN栅极HEMT为例

Modeling and Analysis of Terminal Capacitances in High-Power Devices: Application to p-GaN Gate HEMTs

Mojtaba Alaei · Herbert De Pauw · Elena Fabris · Stefaan Decoutere 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年8月

来自硅基氮化镓(GaN)p - GaN 栅极高电子迁移率晶体管(HEMT)的实验数据表明,终端电容(尤其是 \(C_{\mathrm{BS}}\)、\(C_{\mathrm{BG}}\) 和 \(C_{\mathrm{BD}}\))与漏源电压(\(V_{\mathrm{DS}}\))密切相关,这表明通过体接触存在显著的耦合。这种与场板下二维电子气(2DEG)逐渐耗尽相关的行为,现有紧凑模型无法充分描述。本文详细分析了场板下与 \(V_{\text {DS }}\) 相关的耗尽动态,并开发了一种增...

解读: 从阳光电源的业务角度来看,这项关于p-GaN栅极HEMT器件终端电容建模的研究具有重要的战略价值。作为全球领先的光伏逆变器和储能系统供应商,阳光电源在高功率密度、高效率的功率转换系统开发中,GaN功率器件正逐步成为替代传统硅基器件的关键技术路径。 该研究针对p-GaN栅极HEMT器件中体电容(CB...

储能系统技术 储能系统 PWM控制 宽禁带半导体 ★ 5.0

一种用于H7电流源逆变器的最小化开关损耗PWM新方案

A New PWM Scheme for H7 Current Source Inverter with Minimal Switching

Ashish Kumar · Apurv Kumar Yadav · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年4月

传统电流源逆变器(CSI)采用硅基反向阻断(RB)开关,存在导通损耗高、开关频率受限等问题。基于宽禁带材料(如GaN和SiC)的四象限(FQ)开关具有低导通损耗和反向耐压能力,适用于高效CSI。本文针对H7拓扑CSI,通过新增开关S7为直流链电流提供旁路,实现S1a-S6a的零电流关断。传统调制策略将零状态分为四段,导致频繁切换与高开关损耗。本文提出一种优化矢量排列的新调制方案,减少开关动作次数,降低损耗。通过PLECS仿真对比分析不同CSI拓扑(3ϕ, 400 V, 8 kW)下的损耗与效率,...

解读: 该H7电流源逆变器最小化开关损耗PWM方案对阳光电源储能与光伏产品线具有重要应用价值。针对ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器,该技术通过优化矢量排列减少开关动作次数,可显著降低SiC/GaN宽禁带器件的开关损耗,提升系统效率。零电流关断技术可减轻功率模块热应力,延长器件寿命。该方案在直流侧旁路开...

光伏发电技术 储能系统 ★ 4.0

从二元到四元铜族硫属化合物在太阳能电池技术中的应用:最新进展与展望

From binary to quaternary copper chalcogenide compounds in solar cells technology: Recent progress and perspectives

Tahta Amrillaha · Intan Nurul Rizki · Vani Novita Alviani · Solar Energy · 2025年10月 · Vol.299

摘要 铜族硫属化合物(Cu Ch,其中Ch = O, S, Se, Te)是一类在多种电子器件应用中具有前景的半导体材料,包括太阳能电池。在这些化合物中,CuInGaSe2(CIGS)是实现高功率转换效率(PCE)的优异候选材料。基于铜族硫属化合物的薄膜太阳能电池相比传统硅基太阳能电池,在效率相当的同时提供了更具成本效益和稳定性的替代方案。由于其优异的半导体和光电性能,某些铜族硫属化合物已被应用于钙钛矿太阳能电池和染料敏化太阳能电池(DSSC)中。然而,仍有许多其他具备优异潜力的铜族硫属化合物在...

解读: 该铜基硫族化合物薄膜太阳能电池技术对阳光电源SG系列光伏逆变器产品具有重要应用价值。CIGS等新型光伏材料的高转换效率特性可优化我司MPPT算法适配性,拓展1500V系统在新材料电池阵列的应用场景。其成本效益优势与我司PowerTitan储能系统形成互补,推动光储一体化解决方案降本增效。建议iSol...

电动汽车驱动 SiC器件 IGBT ★ 5.0

基于准方波调制的中压级固态变压器公共直流母线电压闭环控制

Closed-Loop Control of Common DC-Link Voltage of Solid-State Transformer from Medium Voltage Stage Using Quasi-Square-Wave Modulation

Shekhar Bhawal · Himanshu Patel · Kamalesh Hatua · Subhashish Bhattacharya · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年4月

提出一种用于两级式固态变压器(SST)的闭环控制架构与准方波调制方法,通过反馈公共直流母线电压实现闭环调节,无需DC-DC级串联谐振变换器的频率控制。该控制可从低压侧实现,降低隔离要求。输入串联输出并联模块化结构结合谐振运行特性,自然平衡各AC-DC单元的直流链电压。AC-DC级主要采用Si-IGBT,仅电压源变换器(VSC)使用SiC-MOSFET,降低器件成本。调制策略利用自然均压条件,使IGBT单元在工频开关,减小损耗;VSC以40 kHz高频切换,等效高开关频率,支持低频谐波抑制与瞬态功...

解读: 该准方波调制的SST闭环控制技术对阳光电源储能与充电产品线具有重要应用价值。其输入串联输出并联的模块化架构与ST系列储能变流器的中高压直挂方案高度契合,可简化隔离设计降低成本。Si-IGBT与SiC-MOSFET混合应用策略为PowerTitan大型储能系统的功率模块设计提供优化思路:工频级采用低成...

电动汽车驱动 GaN器件 ★ 5.0

一种用于氮化镓电机驱动器的新型自适应死区时间控制方法

A Novel Adaptive Dead-Time Control Method for GaN-Based Motor Drives

Haihong Qin · Xiaoxue Zheng · Wenlu Wang · Qian Xun · IEEE Transactions on Energy Conversion · 2024年7月

与硅器件相比,氮化镓(GaN)器件更适合在电机驱动应用中实现高开关频率,从而提高功率密度。然而,提高开关频率也会导致额外的开关损耗和较差的总谐波失真(THD)。较小的死区时间可以缓解这些问题,但传统的恒定死区时间设计方法难以在所有负载范围内确保最佳性能。本文针对相臂中的氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)提出了一种新颖的自适应死区时间控制方法,以同时提高电机驱动的效率和总谐波失真性能。为此,对双脉冲测试电路中氮化镓高电子迁移率晶体管的详细开关过程进行了建模和分析。揭示了死区时间设置的优化原理,考...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项基于GaN器件的自适应死区时间控制技术具有重要的战略价值。GaN功率器件相比传统Si器件能够实现更高的开关频率,这与我们在光伏逆变器和储能变流器领域追求高功率密度、小型化设计的目标高度契合。 该技术的核心创新在于通过动态调整死区时间来平衡开关损耗与总谐波畸变率(THD...

控制与算法 SiC器件 模型预测控制MPC 深度学习 ★ 5.0

基于长时域FCS-MPC训练的一维卷积神经网络用于FPGA平台电力电子变换器控制——以Si/SiC混合变换器为例

Long-Horizon FCS-MPC Trained 1-D Convolution Neural Networks for FPGA-Based Power-Electronic Converter Control With a Si/SiC Hybrid Converter Case Study

Ning Li · Hao Yu · Stephen Finney · Paul D. Judge · IEEE Transactions on Industrial Electronics · 2025年2月

传统的电力电子长时域有限控制集模型预测控制(FCS - MPC)在实时实现方面存在两个主要问题:1)计算负担和延迟;2)对现场可编程门阵列(FPGA)等实时平台的硬件资源要求较高。为解决这些问题,研究人员提出利用模型预测控制结果作为离线训练数据来训练人工神经网络(ANN),并将其应用于实时控制器中,以替代原有的模型预测控制模型。通过这种方式,人工神经网络减轻了在线计算负担和对硬件资源的需求。本文提出了一种基于FPGA的用于长时域FCS - MPC的一维卷积神经网络(CNN)。为进一步简化网络模型...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项基于FPGA的一维卷积神经网络(CNN)控制技术对我们的核心产品线具有重要战略价值。该技术通过机器学习方法解决了长时域有限控制集模型预测控制(FCS-MPC)在功率电子变换器中的实时实现难题,这与我们在光伏逆变器、储能变流器等产品中面临的控制性能优化需求高度契合。 技...

系统并网技术 DC-DC变换器 ★ 5.0

金属填料改性对封装嵌入式集成电压调节器中环形电感的影响

Effect of metal filler modification on toroidal inductors for package embedded integrated voltage regulators

Prahalad Murali · Pragna Bhaskar · C. Charlotte Buchanan · Dustin A. Gilbert 等6人 · IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology · 2025年10月

随着人工智能和数据中心应用对电力需求的不断增加,直流 - 直流转换器必须靠近小芯片放置,以实现高效供电。这些转换器电路中使用的电感器有着严格的要求,仅通过修改电感器设计无法满足这些要求。需要在磁性材料方面取得进展,以确保转换器电路达到高效率。本研究探讨了由铁 - 6.5 重量百分比硅和双苯并环丁烯(BCB)组成的金属 - 聚合物复合材料(MPC)系统中金属填料的形状、晶体结构和退火处理对磁导率、饱和特性、小信号损耗( $r_{acx}$ )和大信号损耗( $R_{acx}$ )的影响。在 5 兆...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项关于封装嵌入式集成稳压器环形电感器的金属填料改性研究具有重要的战略意义。该技术针对AI和数据中心应用中DC-DC转换器的高功率密度需求,通过优化Fe-6.5wt%Si与BCB聚合物复合材料的金属填料特性,实现了15.4-18.67的磁导率和0.016-0.032的低损耗...

光伏发电技术 三电平 ★ 5.0

具有改进功率因数范围和有源电容电压平衡的八开关三相三电平逆变器混合虚拟矢量调制

Hybrid Virtual Vector Modulation With Improved Power Factor Range and Active Capacitor Voltage Balancing for Eight-Switch Three-Phase Three-Level Inverter

Xiaojun Deng · Xiumei Yue · Hongliang Wang · Yang Jiang 等6人 · IEEE Transactions on Industrial Electronics · 2024年6月

随着光伏(PV)应用对低成本的需求,一种八开关三相三电平逆变器(TP - TLI)被提出。然而,采用先前提出的调制策略时,该逆变器只能在高功率因数(PF)条件下运行。本文提出了一种具有改进功率因数范围的混合虚拟空间矢量调制(HVSVM)方法,该方法包含三种具有不同功率因数范围和输出性能的基本虚拟空间矢量调制(VSVM)方法。这三种基本VSVM方法的功率因数范围的并集可以覆盖逆变运行的全范围。所提出的HVSVM方法不仅可以通过检测每个扇区内的三相电流极性自适应地切换这三种VSVM方法,还能尽可能保...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项八开关三相三电平逆变器的混合虚拟空间矢量调制技术具有显著的战略价值。该技术通过减少开关器件数量实现成本优化,直接契合光伏应用对经济性的核心需求,这对阳光电源在竞争激烈的分布式光伏和户用储能市场尤为重要。 技术突破主要体现在两个维度:首先,功率因数运行范围从±30°扩展...

储能系统技术 储能系统 工商业光伏 ★ 4.0

超)宽禁带异质结超级结:设计、性能极限与实验验证

作者未知 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2024年11月

超结(SJ)通过多维静电工程打破了传统功率器件的性能极限。继在硅材料中取得商业成功后,最近在包括碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)和氧化镓(Ga₂O₃)等宽带隙(WBG)和超宽带隙(UWBG)半导体中也实现了超结结构。与基于本征 p - n 结的传统超结设计不同,在氮化镓和氧化镓中报道的垂直超结器件是基于包含异质 p 型材料的异质结构建的。这种异质超结对于难以实现双极掺杂的超宽带隙材料尤为有前景。在此,我们全面探讨了新兴异质超结器件的性能极限、设计和特性。在进行通用的性能极限分析之后,我们以超宽...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项异质超级结(Hetero-SJ)技术代表了功率半导体器件的重要突破方向,对我们的核心产品线具有战略意义。 在光伏逆变器和储能变流器领域,功率器件的性能直接决定系统效率、功率密度和成本竞争力。该论文展示的Ga2O3/NiO超级结二极管实现了2kV耐压和0.7 mΩ·cm...

光伏发电技术 空间矢量调制SVPWM 三电平 ★ 5.0

虚拟矢量调制与电容电压控制实现全滞后无功功率流动能力的耦合八开关三相三电平逆变器

Virtual Vector Modulation and Capacitor Voltage Control for Coupled Eight-Switch Three-Phase Three-Level Inverter With Full Lagging Reactive Power Flow Capability

Xiaojun Deng · Hongliang Wang · Yang Jiang · Xi Gui 等6人 · IEEE Transactions on Industrial Electronics · 2024年7月

针对光伏应用对低成本的需求,已提出八开关三相三电平逆变器及其调制策略,但该策略仅适用于高功率因数工况。本文分析了该拓扑下各电压矢量的无功功率流通能力,提出一种新型虚拟空间矢量调制方法,在每个扇区内定义一个虚拟小矢量,并选用可在全滞后功率因数范围内工作的矢量,从而实现完整的滞后无功调节能力。同时提出一种主动中点电压控制策略,仅需计算一个系数,计算简便,并综合考虑虚拟小矢量引入的中点电压波动与中点电流,可提供正、负及零中点电流,实现全功率因数和调制比下的精确中点电位平衡控制,且无明显直流偏移与交流纹...

解读: 该八开关三电平拓扑及虚拟矢量调制技术对阳光电源SG系列光伏逆变器和ST储能变流器具有重要应用价值。相比传统十二开关方案,可降低33%功率器件成本,契合分布式光伏降本需求。所提全滞后无功调节能力可增强电网支撑功能,满足新版并网标准对无功补偿的要求。主动中点电压控制策略计算简便、精度高,可直接应用于SG...

电动汽车驱动 宽禁带半导体 ★ 4.0

宽禁带半导体器件级热管理技术研究进展

Recent Advances in Device-Level Thermal Management Technologies for Wide Bandgap Semiconductor: A Review

作者未知 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年4月

与硅基器件相比,宽禁带(WBG)和超宽禁带(UWBG)半导体器件具有更高的击穿电压和更低的导通电阻,性能优越,使其在电能转换和通信领域极具竞争力。特别是,作为宽禁带半导体代表性材料之一的氮化镓(GaN)已发展到产业化阶段,而诸如氧化镓(Ga₂O₃)等新一代超宽禁带半导体在过去十年中成为电力电子应用领域的热门研究焦点。然而,这些先进半导体器件面临的主要挑战是热管理,尤其是在高功率应用中,热管理问题会导致器件电气性能严重下降和长期可靠性降低。因此,迫切需要有效的热管理技术。本文全面总结了宽禁带和超宽...

解读: 作为光伏逆变器和储能系统的核心供应商,阳光电源产品的功率密度提升与可靠性保障高度依赖于宽禁带半导体器件的热管理技术突破。该综述系统梳理的GaN、Ga2O3等宽禁带及超宽禁带半导体热管理技术,对我司新一代高功率密度逆变器和储能变流器的研发具有重要指导意义。 从业务价值看,这些器件级热管理技术直接关系...

电动汽车驱动 充电桩 模型预测控制MPC 用户侧储能 ★ 4.0

通过用户侧数据篡改对耦合电-交通网络的网络攻击

Cyberattack on Coupled Power-Transportation Networks via User-side Data Falsifications

Si Lv · Sheng Chen · Qiuwei Wu · Zhinong Wei 等6人 · IEEE Transactions on Power Systems · 2025年9月

先进信息通信技术的应用使电力与交通系统面临网络攻击风险。现有研究多关注网络设备层面的脆弱性,而忽视了用户侧的潜在威胁。本文揭示了一种通过篡改用户侧数据来破坏电-交通耦合系统运行的攻击策略。攻击者可入侵导航应用,伪造路径与充电站推荐,诱导交通与充电流分布,引发系统不安全运行。本文将攻击决策建模为二元变量,并通过互补约束松弛为连续变量,将原混合整数问题转化为带互补约束的数学规划(MPCC),进而设计带有反馈机制的增强迭代松弛算法,有效识别并修正非光滑松弛,提升收敛质量。数值实验验证了用户侧网络漏洞对...

解读: 该研究揭示的用户侧数据篡改攻击对阳光电源充电桩业务具有重要安全警示价值。攻击者可通过伪造导航推荐诱导充电流分布失衡,直接威胁充电站运营安全。建议在充电桩产品中集成多维度异常检测机制:1)在充电桩控制器中部署实时负荷预测模型,识别异常充电请求聚集;2)结合iSolarCloud云平台构建区域充电流监控...

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