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基于关断延迟时间的SiC MOSFET老化在线结温监测
Turn-OFF Delay Time Based Online Junction Temperature Monitoring for SiC MOSFETs Over Aging
Bolun Zhang · Zheng Wang · Zhixiang Zou · Guanghui Shi 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年2月
结温（Tj）是监测功率变换器中半导体工作状态的关键指标。本文研究了利用热敏电参数（TSEPs）实现在线结温测量的方法，重点探讨了关断延迟时间（td_off）作为TSEP在SiC MOSFET老化过程中的适用性，为功率器件的健康状态监测提供了有效手段。
解读: 该技术对阳光电源的核心业务具有极高价值。随着SiC MOSFET在组串式光伏逆变器和PowerTitan系列储能变流器中的广泛应用，实现高精度的在线结温监测对于提升系统可靠性至关重要。该方法通过监测关断延迟时间，无需额外传感器即可实时感知器件热应力，有助于优化逆变器在极端工况下的热管理策略，延长产品...
用于SiC基VHF功率转换的波形整形Class Φ谐振栅极驱动器
Class Φ Resonant Gate Driver With Waveform Shaping for SiC-Based VHF Power Conversion
Prateek Wagle · Ioannis Nikiforidis · Paul D. Mitcheson · IEEE Transactions on Power Electronics · 预计 2026年5月
针对SiC MOSFET在高频应用中因输入电容大及电压摆幅要求高而面临的驱动挑战，本文提出了一种Class Φ谐振栅极驱动拓扑。通过在6.78 MHz Class E逆变器功率级中应用该设计，并利用状态空间分析进行性能优化，有效提升了高频功率转换效率。
解读: 该技术对阳光电源的下一代高功率密度逆变器研发具有重要参考价值。随着光伏逆变器和储能PCS向更高开关频率（VHF）演进以减小磁性元件体积，SiC器件的驱动损耗成为瓶颈。Class Φ谐振驱动技术能有效降低栅极驱动损耗，提升系统整体效率。建议研发团队关注该拓扑在组串式逆变器及PowerTitan系列储能...
基于Si IGBT、SiC MOSFET和GaN HEMT的单相T型逆变器性能基准测试
Single-Phase T-Type Inverter Performance Benchmark Using Si IGBTs, SiC MOSFETs, and GaN HEMTs
Emre Gurpinar · Alberto Castellazzi · IEEE Transactions on Power Electronics · 2015年1月
本文对600V等级的Si IGBT、SiC MOSFET和GaN HEMT功率开关在单相T型逆变器中的性能进行了基准测试。评估了各技术的驱动要求、开关性能、逆变器效率、散热器体积、输出滤波器体积及死区效应。研究表明，GaN器件在驱动损耗方面表现最优。
解读: 该研究直接关联阳光电源的核心业务——光伏逆变器及储能变流器（PCS）的功率密度提升。T型三电平拓扑是阳光电源组串式逆变器和储能PCS的主流技术路线。通过对比Si、SiC和GaN在600V等级下的性能，为公司下一代高功率密度产品（如户用光伏及小型工商业储能）的选型提供了关键参考。建议研发团队重点关注G...
一种实现宽输入电压范围钛金级效率的电源
A Power Supply Achieving Titanium Level Efficiency for a Wide Range of Input Voltages
Werner Konrad · Gerald Deboy · Annette Muetze · IEEE Transactions on Power Electronics · 2017年1月
本文研究了一种新型电源拓扑，证明了通过利用具有优异品质因数的低压MOSFET，即使在低压输入条件下，传统硅基器件也能达到钛金级能效标准，为服务器及计算机电源的高效化提供了新方案。
解读: 该研究探讨的钛金级能效拓扑及低压MOSFET应用技术，对阳光电源的户用光伏逆变器及充电桩产品线具有参考价值。随着户用储能与充电桩对功率密度和转换效率要求的不断提升，该拓扑优化思路可用于提升AC/DC变换级的效率。建议研发团队关注该拓扑在宽输入电压范围下的热管理与损耗平衡，以优化阳光电源iSolarC...
SiC MOSFET在并网T型逆变器中的优势
The Benefits of SiC mosfets in a T-Type Inverter for Grid-Tie Applications
Alexander Anthon · Zhe Zhang · Michael A. E. Andersen · Donald Grahame Holmes 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2017年4月
本文探讨了多电平变换器在谐波性能和开关损耗方面的优势。针对低压应用，分析了中点钳位（NPC）逆变器因电流流经两个开关器件而导致的导通损耗问题，并重点研究了SiC MOSFET在T型逆变器中的应用，旨在通过宽禁带半导体技术提升并网逆变器的效率与功率密度。
解读: 该研究直接契合阳光电源组串式逆变器及户用逆变器的技术演进方向。T型三电平拓扑是阳光电源实现高效率、小体积设计的核心技术之一。引入SiC MOSFET可显著降低开关损耗，提升整机效率，对于优化阳光电源SG系列组串式逆变器的散热设计及功率密度至关重要。建议研发团队在下一代高频化、小型化逆变器产品中，重点...
SiC MOSFET栅极驱动器多自由度瞬态行为调节对比研究
Comparative Study on Multiple Degrees of Freedom of Gate Drivers for Transient Behavior Regulation of SiC MOSFET
Zheng Zeng · Xiaoling Li · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年10月
针对SiC MOSFET因开关速度快及杂散参数导致的电压电流振荡与过冲问题，本文建立了栅极驱动调节下的开关行为模型，深入分析了利用栅极驱动抑制振荡与过冲的机制，为提升功率变换器的效率、安全性和稳定性提供了理论支撑。
解读: 该研究直接服务于阳光电源的核心产品线，如组串式光伏逆变器、PowerTitan/PowerStack储能系统及风电变流器。随着公司产品向高功率密度和高效率演进，SiC器件的应用已成主流。通过优化栅极驱动的多自由度调节，可有效抑制高频开关带来的电压过冲与电磁干扰，从而提升系统可靠性并降低滤波器设计难度...
集成耦合电感与开关电容的交错式高升压变换器
Interleaved High Step-Up Converter Integrating Coupled Inductor and Switched Capacitor for Distributed Generation Systems
Yifei Zheng · Keyue Ma Smedley · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年8月
本文提出了一种用于分布式发电系统的新型交错式高升压DC-DC变换器。通过集成耦合电感和开关电容技术，该变换器在无需极端占空比或高匝数比的情况下实现了极高的升压增益。同时，该拓扑有效降低了开关管的电压应力，允许使用低导通电阻的低压MOSFET，从而提升了系统整体转换效率。
解读: 该拓扑通过耦合电感与开关电容的结合，有效解决了光伏组串式逆变器在低压输入场景下的高升压需求，有助于提升阳光电源组串式逆变器在复杂光照条件下的转换效率。低电压应力特性允许选用更具成本优势的低压MOSFET，能够进一步优化产品成本结构并减小体积。建议研发团队关注该拓扑在户用及工商业光伏逆变器前级DC-D...
基于动态阈值电压提取的SiC MOSFET在线结温测量
Online Junction Temperature Measurement for SiC MOSFET Based on Dynamic Threshold Voltage Extraction
Xi Jiang · Jun Wang · Hengyu Yu · Jianjun Chen 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年4月
本文提出了一种基于动态阈值电压的SiC MOSFET在线结温监测方法。该方法不依赖于负载电流变化，消除了复杂校准过程，为关键电力电子变换器的可靠运行提供了有效的结温估计方案。
解读: 该技术对阳光电源的核心产品线具有极高价值。随着公司在组串式逆变器、PowerTitan储能系统及电动汽车充电桩中大规模应用SiC MOSFET以提升功率密度和效率，结温的精准在线监测是提升系统可靠性、实现预测性维护的关键。该方法无需负载电流校准，易于集成至iSolarCloud平台或嵌入式控制系统中...
基于谐振CLLC电路时域模型的优化数字同步整流方案
An Optimized Digital Synchronous Rectification Scheme Based on Time-Domain Model of Resonant CLLC Circuit
Bodong Li · Min Chen · Xiaoqing Wang · Ning Chen 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年9月
针对谐振CLLC电路副边不控整流带来的高导通损耗问题，本文提出了一种基于时域模型的优化数字同步整流（SR）方案。通过精确确定副边谐振电流的过零点，利用MOSFET替代二极管，有效降低了导通损耗，提升了变换效率。
解读: CLLC拓扑是阳光电源储能系统（如PowerTitan、PowerStack系列）及双向DC-DC变换器的核心拓扑。该研究提出的高精度同步整流方案，能显著降低系统在充放电过程中的导通损耗，直接提升储能变流器（PCS）的整机效率，对于优化产品能效指标、降低散热成本具有重要意义。建议研发团队在下一代高功...
用于碳化硅MOSFET的基板嵌入式电力电子封装
Substrate Embedded Power Electronics Packaging for Silicon Carbide mosfets
Ameer Janabi · Luke Shillaber · Wucheng Ying · Wei Mu 等9人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年8月
本文提出了一种用于分立芯片的新型电力电子封装方案——标准单元。该方案由阶梯蚀刻活性金属钎焊（AMB）基板和柔性印刷电路板（flex-PCB）组成。该标准单元具有高导热性、完全电气绝缘和低杂散电感等优势，有效提升了SiC MOSFET器件的整体性能。
解读: 该技术对阳光电源的核心产品线具有显著的赋能作用。SiC MOSFET是提升组串式光伏逆变器功率密度和效率的关键，而封装技术直接决定了器件在高频开关下的散热能力与杂散电感表现。采用AMB基板和柔性PCB的嵌入式封装方案，可显著降低寄生参数，减少开关损耗，这对阳光电源的PowerTitan储能系统及新一...
一种用于LLC直流变压器同步整流的新型全无源谐振栅极驱动电路
A Novel All-Passive Resonant Gate for LLC DCX Synchronous Rectification
Wei Zhou · Xu Yang · Xingwei Huang · Panming Li 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年2月
针对数据中心电源中高频、低压、大电流LLC直流变压器（DCX），同步整流MOSFET的驱动损耗成为限制效率的关键。现有谐振栅极驱动（RGD）方案需额外半导体器件及电源，增加了复杂性。本文提出一种全无源谐振栅极驱动电路，在降低驱动损耗的同时简化了电路设计。
解读: 该技术对阳光电源的组串式逆变器及储能PCS产品线具有重要参考价值。随着功率密度要求的不断提升，LLC拓扑在高效DC-DC变换环节的应用日益广泛。该全无源谐振驱动方案通过优化同步整流效率，有助于进一步提升阳光电源高频化产品的整机效率，并降低辅助电源设计复杂度。建议研发团队评估该无源驱动电路在Power...
一种用于相腿配置中具有快速开关瞬态的SiC MOSFET的改进型串扰抑制驱动拓扑
An Improved Crosstalk Suppression Driver Topology for SiC MOSFET With Fast Switching Transient in the Phase-Leg Configuration
Jiaxing Ye · Mingyi Wang · Sihang Cui · Chengming Zhang 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年6月
随着SiC MOSFET在高功率转换器中的广泛应用，其高速开关特性带来的栅源极串扰电压问题日益突出，易导致误导通及桥臂直通故障。本文提出了一种改进的驱动拓扑，旨在有效抑制串扰电压，提升高频开关下功率转换系统的可靠性与稳定性。
解读: 该技术对阳光电源的核心产品线具有极高价值。随着组串式逆变器和PowerTitan系列储能PCS向更高功率密度和更高开关频率演进，SiC MOSFET的应用已成为主流。该驱动拓扑能有效解决高频开关下的串扰问题，直接提升逆变器和PCS的功率密度与转换效率，同时降低因误导通导致的故障风险，显著增强产品的可...
并联SiC MOSFET模块中减少过冲、振荡及dV/dt产生的可选主动电流平衡技术
Reduced Overshoots, Oscillations, and dV/dt Generation in Parallel Connected SiC MOSFET Modules With Optional Active Current Balancing
Mason Parker · Sebastián Neira · Edward L. Horsley · Stephen Finney 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年1月
碳化硅（SiC）MOSFET相比硅基IGBT具有更高的开关速度和更低的损耗。然而，在并联应用中，其开关振荡、漏源电压过冲及高dV/dt问题限制了其在中高功率变换器中的应用。本文研究了通过主动电流平衡技术来抑制这些负面效应，以提升功率模块的可靠性与性能。
解读: 该技术对阳光电源的核心产品线（如组串式光伏逆变器、PowerTitan储能系统）具有极高的应用价值。随着公司产品向更高功率密度和更高效率演进，SiC器件已成为主流选择。并联SiC模块带来的电压过冲和EMI问题是研发中的难点，该文提出的主动电流平衡方案可有效降低开关应力，提升系统可靠性。建议研发团队在...
基于光控驱动的功率MOSFET关断过程dv/dt与di/dt独立控制
Optically Switched-Drive-Based Unified Independent dv/dt and di/dt Control for Turn-Off Transition of Power MOSFETs
Hossein Riazmontazer · Sudip K. Mazumder · IEEE Transactions on Power Electronics · 2015年4月
本文提出了一种用于光触发混合功率器件的驱动控制机制。该装置由主功率MOSFET和一对基于GaAs的光触发功率晶体管（OTPT）组成。通过该切换控制器，可实现对功率器件关断过程中dv/dt和di/dt的独立调制，从而优化开关动态特性。
解读: 该技术通过光控驱动方案实现了对功率器件开关瞬态的精细化控制，对于提升阳光电源组串式逆变器及PowerTitan储能变流器（PCS）的效率与电磁兼容性（EMC）具有重要参考价值。随着碳化硅（SiC）等宽禁带半导体在阳光电源高功率密度产品中的广泛应用，开关过程中的电压电流应力控制是提升系统可靠性的关键。...
碳化硅功率MOSFET模型：一种基于Levenberg-Marquardt算法的精确参数提取方法
Silicon Carbide Power MOSFET Model: An Accurate Parameter Extraction Method Based on the Levenberg–Marquardt Algorithm
Wadia Jouha · Ahmed El Oualkadi · Pascal Dherbecourt · Eric Joubert 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年11月
本文提出了一种基于Levenberg-Marquardt算法的碳化硅（SiC）功率MOSFET模型参数提取方法。通过改进的紧凑模型，研究了SiC MOSFET在不同温度和输入电压下的静态特性。仿真结果与实测数据吻合度极高，验证了该方法的准确性。
解读: SiC器件是阳光电源提升逆变器和储能系统功率密度与效率的核心技术。该研究提出的高精度参数提取方法，能够显著提升SiC MOSFET在仿真环境下的模型保真度，对公司研发组串式光伏逆变器（如SG系列）及大功率储能变流器（如PowerTitan）具有重要意义。通过更精确的静态特性建模，研发团队可优化驱动电...
单相分体电感差分升降压逆变器
Single-Phase Split-Inductor Differential Boost Inverters
Ashraf Ali Khan · Yun Wi Lu · Wilson Eberle · Liwei Wang 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年1月
本文提出了两种单相单级分体电感升降压逆变器（Type-I和Type-II）。Type-I适用于单位功率因数，Type-II适用于任意功率因数。两种拓扑均消除了直通问题，并消除了所有开关管的反向恢复损耗，从而使MOSFET能够实现更高的效率。
解读: 该研究提出的单级升降压拓扑在消除直通风险和反向恢复损耗方面具有显著优势，非常契合阳光电源户用光伏逆变器及微型逆变器产品线对高效率、高功率密度的追求。通过采用该拓扑，可进一步优化MOSFET的开关性能，提升整机转换效率。建议研发团队评估其在小功率单相逆变器中的应用潜力，特别是在追求紧凑型设计和高可靠性...
用于无桥PFC的混合低频开关
Hybrid Low-Frequency Switch for Bridgeless PFC
Qingyun Huang · Alex Q. Huang · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年10月
针对传统无桥PFC电路中低导通电阻Si SJ MOSFET成本高的问题，本文提出了一种混合低频开关方案。该方案通过并联高导通电阻、低成本的Si SJ MOSFET与大电流、低成本的Si二极管，在保证效率的同时显著降低了系统成本。
解读: 该技术主要针对PFC（功率因数校正）环节的成本优化，对阳光电源的户用光伏逆变器及小型储能变流器（PCS）具有重要参考价值。在户用产品中，成本控制是核心竞争力，通过采用这种混合开关方案，可以在不牺牲效率的前提下，有效降低整机物料成本（BOM）。建议研发团队评估该混合开关在单相逆变器及小功率PFC电路中...
一种基于响应面模型和非线性优化的开尔文连接并联SiC MOSFET动态电流平衡方法
A Method to Balance Dynamic Current of Paralleled SiC MOSFETs With Kelvin Connection Based on Response Surface Model and Nonlinear Optimization
Cheng Zhao · Laili Wang · Fan Zhang · Fengtao Yang · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年2月
针对大容量高频应用中带开尔文源极连接的多芯片SiC功率模块，由于布局不对称导致的并联芯片间动态电流不平衡问题，本文提出了一种通过调整键合线和铜走线连接点来缓解电流失配的方法，并结合响应面模型与非线性优化技术进行验证。
解读: 该技术对阳光电源的组串式光伏逆变器及PowerTitan系列大功率储能变流器（PCS）具有重要意义。随着产品向高功率密度和高开关频率演进，SiC器件的应用日益广泛。并联均流是提升功率模块可靠性和利用率的关键，该研究提出的布局优化与建模方法，可直接指导阳光电源研发团队在设计高功率密度功率模块时，通过优...
一种用于输入串联DC/DC变换器的积木式构建方法
A Building Block Method for Input-Series-Connected DC/DC Converters
Jinpei Duan · Donglai Zhang · Lei Wang · Zhicheng Zhou 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年3月
本文提出了一种构建输入串联DC/DC变换器的积木式方法，通过将电压共享模块（VSM）与电压源或电流源模块相结合，解决了高压应用中低压器件的使用限制。VSM由两个MOSFET和一个电感组成，实现了模块间的电压自动均衡。
解读: 该技术对于阳光电源的高压光伏逆变器及大型储能系统（如PowerTitan系列）具有重要参考价值。在面对更高直流输入电压等级的趋势下，利用积木式VSM模块化设计，可以有效降低对单一高压功率器件的依赖，提升系统设计的灵活性与成本竞争力。建议研发团队评估该拓扑在组串式逆变器直流侧升压电路中的应用可行性，特...
基于瞬态漏极电流的沟槽栅SiC MOSFET陷阱表征
Trap Characterization of Trench-Gate SiC MOSFETs Based on Transient Drain Current
Shan Jiang · Meng Zhang · Xianwei Meng · Xiang Zheng 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年5月
SiC/SiO2界面态是限制SiC MOSFET性能与可靠性的关键因素。本文提出一种基于瞬态电流法的贝叶斯反卷积算法，优化了陷阱特征提取过程，显著提升了提取精度，并深入研究了陷阱捕获机制。
解读: SiC MOSFET是阳光电源组串式光伏逆变器、PowerTitan储能系统及电动汽车充电桩实现高功率密度与高效率的核心器件。沟槽栅（Trench-gate）结构虽能降低导通电阻，但其界面陷阱对长期可靠性影响显著。该研究提出的贝叶斯反卷积陷阱表征方法，有助于研发团队在器件选型与模块设计阶段更精准地评...
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