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一种用于高压高频应用的新型常关型SiC-JFET/GaN-HEMT共封装级联器件
A Normally-off Copackaged SiC-JFET/GaN-HEMT Cascode Device for High-Voltage and High-Frequency Applications
Gang Lyu · Yuru Wang · Jin Wei · Zheyang Zheng 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年9月
本文展示了一种1200V/100mΩ的碳化硅（SiC）JFET与氮化镓（GaN）HEMT混合功率开关。该器件采用倒装芯片共封装级联配置，结合了垂直型SiC JFET的高压阻断能力与横向GaN HEMT的低压驱动优势，实现了高压与高频性能的优化。
解读: 该技术对阳光电源的组串式逆变器及PowerTitan储能变流器具有重要参考价值。通过SiC与GaN的级联封装，可在不牺牲耐压等级的前提下显著提升开关频率，从而进一步缩小磁性元件体积，提升整机功率密度。建议研发团队关注该混合封装技术在下一代高频化、小型化光伏逆变器及储能PCS中的应用潜力，特别是在追求...
一种用于LED应用的高压SiC基Boost PFC变换器
A High-Voltage SiC-Based Boost PFC for LED Applications
Antonio Leon-Masich · Hugo Valderrama-Blavi · Josep M. Bosque-Moncusi · Luis Martinez-Salamero · IEEE Transactions on Power Electronics · 2016年2月
本文提出了一种用于LED应用、由电网供电的单级Boost PFC变换器。该变换器采用碳化硅（SiC）功率器件，工作在连续与断续导通模式的边界，以有效降低开关损耗。系统输入为230V交流电网，输出端可实现1200V直流电压，适用于高压LED阵列驱动。
解读: 该文献探讨的SiC基高压Boost PFC拓扑，在提升功率密度和转换效率方面具有显著优势。对于阳光电源而言，虽然该文侧重于LED应用，但其核心技术——基于SiC的PFC控制策略及高压变换技术，可直接迁移至阳光电源的户用光伏逆变器（如SG系列）及充电桩产品线中。建议研发团队关注该拓扑在减小无源元件体积...
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