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低谐波电流畸变下断续电流模式并网逆变器的模型预测控制
Model-Based Control for Grid-Tied Inverters Operated in Discontinuous Current Mode With Low Harmonic Current Distortion
Jiantao Zhang · Takanori Isobe · Hiroshi Tadano · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年10月
本文研究了低功率并网逆变器在断续电流模式（DCM）下的运行，通过基于模型的预测控制提升开关频率，从而实现高功率密度。针对寄生电容引起的电流畸变问题，提出了一种改进的DCM调制策略，旨在降低谐波畸变并优化系统性能。
解读: 该技术对阳光电源的户用光伏逆变器产品线具有重要参考价值。随着户用市场对高功率密度和小型化要求的提升，DCM模式的应用日益广泛。文章提出的模型预测控制及改进调制策略，能有效解决高频化带来的寄生参数干扰和电流谐波问题，有助于提升阳光电源户用逆变器在轻载下的电能质量。建议研发团队评估该算法在现有DSP平台...
用于电动汽车充电的高频无线电能传输系统屏蔽设计
Shielding Design for High-Frequency Wireless Power Transfer System for EV Charging With Self-Resonant Coils
Ruiyang Qin · Jie Li · Jingjing Sun · Daniel Costinett · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年6月
本文为基于紧凑型自谐振（SR）线圈的6.6 kW电动汽车无线充电系统提供了完整的线圈与屏蔽设计方案。针对接收线圈上方导电车体导致的垂直边缘磁通问题，提出了有效的屏蔽设计。研究利用高频SR线圈，分析了标准屏蔽层引入的寄生电容影响，并优化了系统性能。
解读: 该研究聚焦于无线充电技术的电磁屏蔽与线圈优化，属于电动汽车充电领域的前沿探索。虽然阳光电源目前的充电桩产品线以有线直流快充为主，但随着未来大功率无线充电技术的商业化趋势，该文中的高频磁场屏蔽设计与有限元仿真方法，可为公司在下一代无线充电桩研发中规避车体涡流损耗、提升能量传输效率提供理论支撑。建议研发...
一种抑制光伏系统中无变压器奇数模块级联H桥逆变器漏电流的硬件调制策略
Hardware-Based Modulation Strategy to Suppress the Leakage Current for Transformerless Odd-Module Cascaded H-Bridge Inverter in PV System
Pengcheng Zhao · Xiaoqiong He · Yikai Wang · Chenghao Qiu 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年3月
无变压器级联H桥（CHB）并网逆变器在体积、成本和效率方面具有优势，但缺乏电气隔离会导致系统与大地之间产生漏电流，引发电磁干扰和安全问题。本文建立了含寄生电容的CHB模型，并提出了一种基于硬件的调制策略，旨在有效抑制漏电流，提升系统运行的安全性和电磁兼容性。
解读: 该研究针对无变压器级联H桥拓扑的漏电流抑制问题，对阳光电源的组串式逆变器及大型地面电站解决方案具有重要参考价值。随着光伏系统向高压、高功率密度方向发展，无变压器拓扑的应用日益广泛，漏电流控制是提升产品安全性和电网适应性的关键。建议研发团队关注该硬件调制策略在多电平逆变器中的应用，以优化产品在复杂环境...
一种用于改善宽输入电压范围下轻载效率的混合变频变占空比调制低Q值LLC谐振变换器分析
Analysis of a Hybrid Variable-Frequency-Duty-Cycle-Modulated Low-Q LLC Resonant Converter for Improving the Light-Load Efficiency for a Wide Input Voltage Range
Abhishek Awasthi · Snehal Bagawade · Praveen K. Jain · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年7月
针对宽输入电压和负载范围内低Q值LLC谐振变换器的轻载效率及输出电压调节难题，本文提出了一种混合变频变占空比调制策略。该方法有效解决了整流二极管结电容等寄生参数对软开关性能的负面影响，适用于对功率密度和尺寸要求严苛的微逆变器应用场景。
解读: 该技术对阳光电源的户用光伏逆变器及微型逆变器产品线具有重要参考价值。在户用场景中，宽输入电压范围（如组件配置多样化）和全负载段的高效率是核心竞争力。通过采用混合变频变占空比调制，可显著提升变换器在轻载工况下的效率，解决传统LLC在宽范围调节时的效率瓶颈。建议研发团队评估该调制策略在阳光电源新一代高功...
基于高压氮化铝陶瓷基板集成的氮化镓多芯片半桥功率模块
GaN-Based Multichip Half-Bridge Power Module Integrated on High-Voltage AlN Ceramic Substrate
Carsten Kuring · Mihaela Wolf · Xiaomeng Geng · Oliver Hilt 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年10月
本文提出了一种集成两个600V/170mΩ氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管的半桥功率模块。该设计通过集成栅极驱动级和部分直流母线电容，有效降低了寄生电路参数，并利用高压氮化铝（AlN）陶瓷基板实现了高效的散热方案，旨在提升电力电子系统的效率与功率密度。
解读: 该技术对阳光电源的户用光伏逆变器及小型化储能系统（如PowerStack）具有重要参考价值。随着功率密度要求的提升，GaN器件在小功率段的应用趋势明显。通过采用AlN基板和集成化设计，可显著降低寄生电感，提升开关频率，从而减小被动元件体积。建议研发团队关注该模块的散热集成方案，将其应用于下一代高频、...
用于双级电极旋转驻极体能量采集器的自供电同步电荷提取整流器
Self-Powered Synchronous Electric Charge Extraction Rectifier for Rotational Electret Energy Harvester With Dual-Stage Electrodes
Yiran Liu · Zehan Shi · Adrien Badel · Tomoya Miyoshi 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年10月
本文首次提出了一种用于面内旋转驻极体动能采集器（EH）的自供电同步电荷提取（SECE）电路，并具备冷启动功能。针对驻极体EH源电流小、输出阻抗高的特点，设计了新型双级电极结构以降低漏电流和寄生电容对输出功率的影响，有效提升了能量转换效率。
解读: 该研究聚焦于微小功率的能量采集与高效电能转换，主要涉及低功耗电路设计及自供电管理技术。虽然其应用场景（驻极体能量采集）与阳光电源现有的光伏、储能及充电桩等大功率电力电子产品线存在较大差异，但其核心的“自供电”与“冷启动”技术对于提升阳光电源iSolarCloud智能运维平台中的无线传感器节点、以及储...
考虑任意结电容梯度系数的MOSFET非线性漏源及栅漏电容的E类功率放大器设计
A Class-E Power Amplifier Design Considering MOSFET Nonlinear Drain-to-Source and Nonlinear Gate-to-Drain Capacitances at Any Grading Coefficient
Mohsen Hayati · Sobhan Roshani · Marian K. Kazimierczuk · Hiroo Sekiya · IEEE Transactions on Power Electronics · 2016年11月
本文提出了一种考虑MOSFET非线性栅漏电容和漏源电容的E类功率放大器设计理论。通过引入任意结电容梯度系数，精确描述了MOSFET寄生电容的非线性特征。研究表明，若设计中忽略梯度系数，将导致开关电压波形偏离理想状态，影响变换器效率。
解读: 该研究聚焦于高频开关电路中功率器件寄生参数的精确建模，对阳光电源的户用光伏逆变器及微型逆变器产品具有参考价值。随着逆变器向高功率密度和高开关频率方向发展，精确的非线性电容建模有助于优化软开关（ZVS）设计，降低开关损耗，提升整机效率。建议研发团队在开发下一代基于GaN或SiC的高频变换器时，引入该非...
通过变压器绕组结构和励磁电感设计最小化LCL-T谐振高压电容充电器的电流衰减
Minimizing Current Attenuation in LCL-T Resonant High-Voltage Capacitor Chargers by Transformer Winding Structure and Magnetizing Inductance Design
Hai Zhu · Zhenchuan Liu · Xin Li · Yan Liu 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年4月
高压电容充电器是脉冲功率源的核心，LCL-T谐振变换器常作为恒流源充电器使用。由于寄生电容的影响，LCL-T变换器在固定开关频率下会失去恒流输出特性，导致基波近似分析法失效。本文通过优化变压器绕组结构和励磁电感设计，有效抑制了电流衰减，提升了充电精度。
解读: 该研究针对高压电容充电场景下的LCL-T拓扑优化，对阳光电源的电力电子技术储备具有参考价值。虽然阳光电源目前主营光伏逆变器和储能PCS，但在高压直流变换及特种电源领域，该拓扑的寄生参数抑制技术可提升功率密度和控制精度。建议研发团队关注该文在抑制寄生效应方面的建模方法，这有助于优化公司在充电桩模块或未...
用于超快跟踪变换器的300W隔离电源设计
Design of a 300-W Isolated Power Supply for Ultrafast Tracking Converters
Khiem Nguyen-Duy · Ziwei Ouyang · Lars Press Petersen · Arnold Knott 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2015年6月
本文提出了一种用于中高压应用中超快跟踪变换器及MOS栅极驱动电路的中功率隔离电源设计。该设计的核心优势在于极低的输入输出寄生电容，从而最大程度地增强了其对电压快速变化所致噪声的免疫能力。该变换器采用电压控制电流源拓扑。
解读: 该研究关注高频、高压环境下的驱动隔离电源设计，其低寄生电容特性对阳光电源的高压组串式逆变器及PowerTitan储能系统中的SiC/GaN功率模块驱动至关重要。随着公司产品向更高功率密度和更高开关频率演进，驱动电路的抗干扰能力直接影响系统的可靠性。建议研发团队关注该拓扑在减少共模噪声干扰方面的应用，...
一种用于高dv/dt高频功率器件的创新栅极驱动器及电源架构表征与分析
Characterization and Analysis of an Innovative Gate Driver and Power Supplies Architecture for HF Power Devices With High dv/dt
Van-Sang Nguyen · Lyubomir Kerachev · Pierre Lefranc · Jean-Christophe Crebier · IEEE Transactions on Power Electronics · 2017年8月
本文提出了一种适用于高开关频率及高切换速度功率器件的低侧/高侧栅极驱动器架构。通过优化电路设计，改变功率侧与控制侧之间传输路径的寄生电容，有效实现了电磁干扰（EMI）的抑制。
解读: 随着阳光电源在光伏逆变器（如组串式SG系列）和储能系统（如PowerTitan）中广泛应用SiC等宽禁带半导体器件，高频化和高dv/dt带来的EMI挑战日益严峻。该研究提出的栅极驱动架构及寄生参数优化方法，对于提升功率模块的电磁兼容性、减小滤波器体积及提高系统功率密度具有直接参考价值。建议研发团队将...
碳化硅肖特基二极管开关损耗随dI/dt和温度变化的解析建模
Analytical Modeling of Switching Energy of Silicon Carbide Schottky Diodes as Functions of dI DS/dt and Temperature
Saeed Jahdi · Olayiwola Alatise · Li Ran · Philip Mawby · IEEE Transactions on Power Electronics · 2015年6月
碳化硅（SiC）肖特基二极管在电压源变换器中作为续流二极管时，常因二极管电容、寄生电阻和电路杂散电感产生的RLC谐振而出现振荡。本文开发了一种计算SiC二极管开关损耗的解析模型，该模型将开关损耗表示为开关速率（dI/dt）和温度的函数，为优化电力电子变换器的设计提供了理论依据。
解读: 该研究直接服务于阳光电源的核心功率器件选型与驱动设计。随着公司在组串式光伏逆变器（如SG系列）和储能变流器（如PowerTitan系列）中大规模应用SiC器件以提升功率密度和效率，精准的开关损耗模型对于优化散热设计及提升整机效率至关重要。该模型有助于研发团队在设计阶段更准确地评估SiC二极管在不同工...
软开关、高频及超高频功率变换器中600V GaN功率半导体的Coss损耗
COSS Losses in 600 V GaN Power Semiconductors in Soft-Switched, High- and Very-High-Frequency Power Converters
Grayson Zulauf · Sanghyeon Park · Wei Liang · Kawin North Surakitbovorn 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年12月
本文研究了额定电压超过600V的氮化镓（GaN）功率器件中寄生输出电容（Coss）充放电产生的损耗。在兆赫兹（MHz）开关频率的软开关电路中，该损耗至关重要，因为器件输出电容在每个开关周期内都会进行充放电。
解读: 随着阳光电源在户用光伏逆变器及小型化储能PCS中对高功率密度和高效率的追求，开关频率的提升成为技术演进的关键。GaN器件凭借优异的开关特性，是实现MHz级高频变换的核心。本文对Coss损耗的深入分析，有助于研发团队在设计高频DC-DC变换器（如微型逆变器或小型储能模块）时，更精准地评估软开关效率，优...
利用平面变压器寄生电容和Cockcroft-Walton倍压器作为并联电容的MHz频率PRC-LCLC谐振变换器建模与分析
Modeling and Analysis of MHz-Frequency PRC-LCLC Resonant Converter Utilizing Only Parasitic Capacitance From Planar Transformer and Cockcroft–Walton Voltage Multiplier as Parallel Capacitor
Runze Wang · Saijun Mao · Shan Yin · Jinshu Lin 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年4月
本文针对高功率密度高压发生器，研究了MHz级高频平面变压器与Cockcroft-Walton（CW）整流器集成的PRC-LCLC谐振变换器。通过利用变压器寄生电容及CW倍压器作为谐振元件，实现了电路的小型化与高效率运行，并提出了相应的建模与设计方法。
解读: 该研究聚焦于MHz级高频变换与寄生参数集成技术，对阳光电源的户用光伏逆变器及小型化充电桩产品具有前瞻性参考价值。通过利用变压器寄生电容实现谐振，有助于进一步提升功率密度并降低磁性元件体积。建议研发团队关注该拓扑在高频化DC-DC变换中的应用，特别是在追求极致轻量化和高效率的户用储能或微型逆变器场景中...
考虑寄生电容的三电平半桥DAB变换器开关过电压分析与抑制
Analysis and Suppression of Switch Overvoltage in Three-Level Half-Bridge DAB Converter Considering Parasitic Capacitance
Liuyu Zeng · Yu Zhao · Feng Wang · Zongxin Ye 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年4月
NPC三电平半桥拓扑因能降低功率开关电压应力，被广泛应用于高压DAB变换器中。然而，当内移相时间短于死区时间时，会出现严重的过电压问题，导致内管电压超过额定值。本文分析了该现象的机理，并提出了相应的抑制策略。
解读: 该研究直接关联阳光电源的储能系统（如PowerTitan、PowerStack）及大功率光伏逆变器中的DC-DC变换环节。三电平DAB拓扑是实现高压直流侧高效能量转换的核心，而开关过电压问题直接影响系统的可靠性与功率密度。通过优化死区控制与寄生参数匹配，可有效提升阳光电源PCS产品的耐压裕量与开关频...
串联SiC MOSFET在高频快速开关下的非均匀电压均衡方法
Non-Uniform Voltage Balancing Methods for Series-Connected SiC MOSFETs in High-Frequency Fast Switching
Yixin Shi · Dingmeng Guo · Xiaoning Zhang · Yaogong Wang 等6人 · IET Power Electronics · 2025年5月 · Vol.18
针对传统无源均衡方法在串联碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC-MOSFET）电路中难以实现均匀电压均衡的问题，提出一种基于负载侧的非均匀电阻-电容-二极管（NRCD）均衡方法。该方法考虑驱动电路寄生参数的影响，通过计算各SiC-MOSFET的均衡电容值，实现电路电压均衡的最优匹配，有效提升高频快速开关条件下的电压均衡性能。
解读: 该非均匀电压均衡技术对阳光电源高压大功率产品具有重要应用价值。在ST系列储能变流器和SG系列1500V光伏逆变器中，串联SiC MOSFET是实现高电压等级的关键方案，但传统均压方法难以应对高频快速开关工况。该研究提出的NRCD方法通过优化各器件均衡电容值，可有效改善PowerTitan等大型储能系...
传输线罗氏线圈：带宽超过3GHz的宽禁带器件隔离电流传感器
Transmission Line Rogowski Coil: Isolated Current Sensor With Bandwidth Exceeding 3 GHz for Wide-Bandgap Device
Yulei Wang · Teng Long · Mingrui Zou · Peng Sun 等10人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年11月
罗氏线圈（RC）因其电气隔离、大电流测量及易于集成等优点被广泛应用。然而，受限于自感与寄生电容引起的谐振，传统RC带宽仅在几十兆赫兹，难以满足宽禁带半导体器件的高速电流测量需求。本文提出一种传输线结构罗氏线圈，实现了带宽超过3GHz的电流测量能力。
解读: 随着阳光电源在组串式光伏逆变器和PowerTitan储能系统中大规模应用SiC和GaN等宽禁带半导体器件，开关频率显著提升，传统的电流采样技术已成为制约高频性能和功率密度的瓶颈。该研究提出的超高带宽罗氏线圈技术，对于研发部门在宽禁带器件的瞬态特性测试、驱动电路优化及电磁兼容（EMC）设计方面具有极高...
一种具有分裂谐振槽和矩阵变压器的1-kV输入SiC LLC变换器
A 1-kV Input SiC LLC Converter With Split Resonant Tanks and Matrix Transformers
Xiaoyong Ren · Zhi-Wei Xu · Zhiliang Zhang · Haoran Li 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年11月
本文提出了一种采用矩阵平面变压器的1-kV输入SiC LLC变换器，旨在实现高效率与高功率密度。针对1-kV高压输入下SiC MOSFET快速开关（140 ns）产生的11.8 kV/μs高dv/dt，分析了其通过变压器寄生电容产生的位移电流问题，并提出了优化方案。
解读: 该技术对阳光电源的组串式逆变器及储能系统（如PowerTitan、PowerStack）具有重要参考价值。随着光伏系统向1500V直流侧电压演进，高压SiC器件的应用已成为提升功率密度和效率的关键。文中提到的矩阵变压器技术和对高dv/dt下寄生参数的抑制策略，可直接应用于阳光电源大功率DC-DC变换...
基于碳化硅
SiC）逆变器的感应电机低速无传感器控制
Xiaoliang Bian · Xibo Yuan · Wenzhi Zhou · Shuo Chen 等5人 · IET Power Electronics · 2025年9月 · Vol.18
本文针对感应电机在低速运行下的无传感器控制问题，研究了采用碳化硅（SiC）逆变器的系统性能，并分析了其速度估计精度。首先揭示了SiC器件特性与速度估计误差之间的内在机理关系，以降低估计偏差。进一步提出一种三级自适应补偿方法，综合考虑SiC器件高dv/dt引起的电磁干扰及寄生电容等非理想因素，有效提升了低速工况下的速度估计精度。
解读: 该SiC逆变器低速无传感器控制技术对阳光电源储能与电驱产品具有重要应用价值。针对SiC器件高dv/dt引起的EMI干扰和寄生电容效应，文中提出的三级自适应补偿方法可直接应用于ST系列储能变流器的电机驱动单元（如液冷系统风机、PCS内部电机）和新能源汽车电机控制器，提升低速工况下的速度估计精度和控制稳...
基于动态dv/dt开关模型的GaN HEMT最小开关损耗三段式有源驱动策略
Minimal Switching Loss Three-Stage Active Gate Driving Strategy Based on Dynamic dv/dt Switching Model for GaN HEMT
Shuo Zhang · Chang Liu · Xinyu Li · Desheng Zhang 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年3月
GaN HEMT的高速开关特性带来了高dv/dt和严重的电磁干扰（EMI）问题，需在开关速度与损耗间权衡。三段式栅极驱动（TSGD）虽能缓解此矛盾，但受限于非线性寄生电容，难以实现最优开关损耗。本文提出了一种基于动态dv/dt模型的优化策略，以实现GaN器件在最小开关损耗下的高效驱动。
解读: GaN等宽禁带半导体是提升阳光电源户用光伏逆变器及小型化储能产品功率密度的关键。该研究提出的三段式有源驱动策略，能够有效平衡GaN器件的高频开关损耗与EMI干扰，对于优化阳光电源户用逆变器（如SG系列）及微型逆变器的效率和电磁兼容性设计具有重要参考价值。建议研发团队关注该动态dv/dt模型在功率模块...
SiC半桥功率模块损耗不平衡的发现——分析与验证
Discovery of Loss Imbalance in SiC Half-Bridge Power Modules – Analysis and Validations
Benjamin Futtrup Kjærsgaard · Gao Liu · Thore Stig Aunsborg · Dipen Narendra Dalal 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年5月
本文揭示了半桥功率模块中高侧与低侧SiC MOSFET开关损耗不一致的现象。研究发现，由于高侧栅极寄生电容的影响，高侧器件的开关损耗比低侧高出40%以上。该发现对中压功率模块的设计与效率优化具有重要参考价值。
解读: 该研究对阳光电源的核心产品线（如组串式光伏逆变器、PowerTitan储能系统及风电变流器）具有重要指导意义。随着公司产品向高功率密度、高效率的SiC方案转型，高侧与低侧损耗不平衡问题直接影响模块的热设计与寿命评估。建议研发团队在设计阶段引入该寄生参数模型，优化驱动电路布局与驱动参数，以平衡热应力，...
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