找到 18502 条结果
一种用于并联交错三相逆变器的变开关频率灵活多模式控制方案
A Flexible Multimode Control Scheme With Variable Switching Frequency for Parallel Interleaved Three-Phase Inverters
Kaiqing Li · Kan Liu · Wei Hu · Jing Zhou 等9人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年10月
本文提出了一种针对并联交错三相逆变器的变开关频率灵活多模式控制方案。根据负载条件设计了三种工作模式，通过动态调整参与交错控制的逆变器数量，有效优化了不同功率等级下的系统效率与电能质量。
解读: 该技术对阳光电源的组串式逆变器（如SG系列）及大型集中式逆变器解决方案具有重要参考价值。通过引入变开关频率的多模式控制，可以在轻载时降低开关损耗，在重载时通过交错并联技术提升输出波形质量并减小滤波电感体积。建议研发团队将其应用于大功率组串式逆变器的并联运行优化中，以提升全功率段的转换效率，并进一步优...
高功率密度功率模块的均匀高效嵌入式微流体冷却
Uniform and Efficient Embedded Microfluidic Cooling for High-Power-Density Power Modules
Weiyu Tang · Xiangbo Huang · Zhixin Chen · Kuang Sheng 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年10月
随着SiC功率模块功率密度的提升，传统封装在实现均匀高热通量散热方面面临挑战。本文开发了一种嵌入式微流体冷却SiC功率模块，通过集成微通道与纳米银烧结技术，实现了高效且均匀的散热，有效解决了高功率密度下的热管理瓶颈。
解读: 该技术对阳光电源的高功率密度产品线（如PowerTitan液冷储能系统及大功率组串式逆变器）具有重要参考价值。随着SiC器件在逆变器和PCS中的普及，散热已成为提升功率密度的核心瓶颈。嵌入式微流体冷却技术可显著降低结温波动，提升模块可靠性，助力阳光电源实现更紧凑的系统设计。建议研发团队关注该技术在下...
1.2kV平面型与沟槽型SiC MOSFET体二极管重复脉冲电流应力下的退化研究
Investigation on Degradation of 1.2-kV Planar and Trench SiC MOSFETs Under Repetitive Pulse Current Stress of Body Diode
Hengyu Yu · Michael Jin · Jiashu Qian · Monikuntala Bhattacharya 等11人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年10月
本文首次实验研究了1.2kV商用SiC MOSFET（平面栅、增强对称沟槽及非对称沟槽结构）的体二极管可靠性。通过提出的重复脉冲电流测试平台，在保证热限制的前提下实现了高电流测试。研究揭示了不同结构SiC MOSFET在体二极管导通应力下的退化机理，为功率器件选型与可靠性设计提供了重要参考。
解读: SiC MOSFET是阳光电源组串式光伏逆变器、PowerTitan/PowerStack储能变流器及电动汽车充电桩的核心功率器件。随着公司产品向高功率密度、高效率方向演进，SiC器件的应用已成主流。本文针对不同结构SiC MOSFET体二极管在重复脉冲下的退化研究，对公司优化逆变器及PCS的死区时...
SiC MOSFET隔离栅驱动器中的双向信号与功率共传技术
Bidirectional Signal and Power Co-Transmission Techniques in Isolated Gate Driver for SiC MOSFET
Shijie Song · Han Peng · Qiaoling Tong · Run Min 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年10月
传统隔离栅驱动器（IGD）通过光纤和独立电源分别传输信号与功率，存在延迟大、体积大及成本高等问题。本文提出通过单隔离通道实现信号与功率共传的技术，旨在提升IGD的紧凑性，为中高压应用提供更优的驱动解决方案。
解读: 该技术对阳光电源的SiC应用至关重要。随着PowerTitan系列储能系统及组串式光伏逆变器向更高功率密度和更高电压等级（如1500V/2000V系统）演进，SiC MOSFET的驱动电路设计是提升系统效率与功率密度的关键瓶颈。信号与功率共传技术能显著缩小驱动电路PCB面积，降低电磁干扰（EMI）风...
SiC MOSFET非对称开关特性分析
On the Analysis of Asymmetrical Switching of SiC MOSFETs
Yeonju Lee · Hyemin Kang · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年10月
本文深入探讨了碳化硅（SiC）MOSFET的动态特性，特别是开关行为及其非对称性。通过分析开关非对称性的根本原因与物理机制，旨在提升功率变换系统的稳定性，并为实现更精确的开关控制提供理论依据。
解读: SiC MOSFET是阳光电源组串式逆变器、PowerTitan储能系统及风电变流器实现高功率密度与高效率的核心器件。开关非对称性直接影响功率模块的损耗分布、电磁干扰（EMI）及驱动电路设计。深入理解该机制有助于优化阳光电源产品的驱动电路参数，提升高频化设计下的系统可靠性，并降低功率模块在极端工况下...
具有高泛化能力的碳化硅功率模块物理信息智能热模型
Physics-Informed Intelligent Thermal Model for SiC Power Modules With High Generalization
Yizheng Tang · Cao Zhan · Lingyu Zhu · Hao Sun 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年10月
本文提出了一种新型物理信息智能热模型（PIITM），用于碳化硅（SiC）功率模块。该模型融合了组件热传递逻辑，相比传统智能模型具有更好的可解释性与泛化能力。通过残差卷积神经网络提取热特征，实现了对SiC模块热行为的精确建模。
解读: 该技术对阳光电源的核心产品线（如组串式逆变器、PowerTitan储能系统及风电变流器）具有重要应用价值。随着SiC器件在高性能逆变器中的广泛应用，热管理成为提升功率密度和可靠性的关键。PIITM模型通过物理机理与AI的结合，能显著提升热仿真精度，缩短研发周期。建议在iSolarCloud智能运维平...
基于栅极电压预充电时间的多芯片IGBT模块芯片开路故障原位监测方法
In Situ Monitoring Method for Chip Open-Circuit Failure in Multichip IGBT Modules Based on the Precharge Time of Gate Voltage
Pengcheng Xu · Wensheng Song · Haoyang Tan · Jian Chen 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年10月
多芯片IGBT（mIGBT）模块是实现高功率密度的核心器件。针对发射极键合线脱落导致的芯片开路故障，本文提出了一种基于栅极电压预充电时间的原位监测方法。该方法无需额外传感器，能有效提升变流器在工业应用中的鲁棒性与可靠性。
解读: 该技术对阳光电源的核心产品线（组串式/集中式光伏逆变器、PowerTitan/PowerStack储能系统及风电变流器）具有极高的应用价值。大功率变流器广泛采用mIGBT模块，键合线失效是导致模块过早退役的主要原因之一。该监测方法无需增加硬件成本，仅通过栅极驱动电路的信号分析即可实现故障预警，非常适...
具有可变漏感的纳米晶片带状可配置变压器
Configurable Nanocrystalline Flake Ribbon Transformer With Variable Leakage Inductance
Sheng Ren · C. Q. Jiang · Liping Mo · Chen Chen 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年10月
本文提出了一种通过滑动结构调节环形变压器漏感的方法，无需额外绕组或磁芯，结构简单。通过旋转变压器磁芯中的次级绕组滑块，改变漏感，从而优化磁集成双有源桥（DAB）变换器的性能。
解读: 该技术对阳光电源的储能系统（如PowerTitan、PowerStack）及PCS产品线具有重要价值。DAB拓扑是双向DC-DC变换器的核心，漏感调节直接影响软开关范围和效率。通过机械结构实现漏感可调，可有效提升储能变流器在宽电压范围下的运行效率，减少对辅助电感的需求，从而降低系统体积与成本。建议研...
用于DAB变换器瞬态直流偏置完全且解耦消除的自适应双侧移相调制
Adaptive Dual-Side Phase-Shift Modulation for Complete and Decoupled Elimination of Transient DC Bias in DAB Converter
Yuying He · Zhenyi Li · Jingxin Hu · Haojie Xie 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年10月
双有源桥（DAB）变换器在负载瞬态期间存在固有的直流偏置问题。现有方法因时间常数差异难以完全消除该偏置。本文提出一种新型自适应双侧移相调制策略，实现了瞬态直流偏置电流和磁通的完全且解耦消除。
解读: DAB变换器是阳光电源PowerTitan和PowerStack等储能变流器（PCS）的核心拓扑。在电网调峰调频或微网运行中，储能系统频繁经历剧烈的负载突变，瞬态直流偏置会导致变压器饱和及功率器件过流风险。该自适应移相调制技术能显著提升PCS在动态过程中的稳定性与可靠性，减少对变压器磁芯裕量的过度设...
电力电子化电力系统统一且灵活的频域稳定性评估框架
Unified and Flexible Frequency-Domain Stability Assessment Framework for Power-Electronic-Based Power Systems
Feifan Chen · Sei Zhen Khong · Xiongfei Wang · Lennart Harnefors · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年10月
本文提出了一种频域稳定性分析理论，为电力电子化电力系统的分散式稳定性评估提供了统一且高度灵活的框架。通过引入频率相关乘子，该方法实现了现有分散式稳定性条件的无缝集成，有效解决了复杂电力电子系统在多源并网场景下的稳定性分析难题。
解读: 该研究对于阳光电源的组串式逆变器、PowerTitan储能系统及风电变流器等核心业务至关重要。随着高比例可再生能源接入，电网强度降低，该稳定性评估框架能显著提升阳光电源产品在弱电网环境下的并网适应性。建议研发团队将其应用于构网型（GFM）控制策略的优化，通过频域分析提前识别潜在的振荡风险，从而提升i...
光隔离罗氏线圈：一种针对宽禁带器件具有高dv/dt抗扰性的非侵入式电流测量方法
Optically Isolated Rogowski Coil: Non-Invasive Current Measurement With High dv/dt Immunity for WBG Device
Jiakun Gong · Yulei Wang · Yuxi Liang · Mingrui Zou 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年10月
罗氏线圈（RC）因其非侵入性、灵活性和准确性被广泛用于功率器件电流测量。然而，宽禁带（WBG）器件不断提升的阻断电压和开关速度，导致电场干扰加剧，给RC测量系统带来严峻挑战。本文提出了一种新型光隔离罗氏线圈，有效提升了在高dv/dt环境下的测量抗扰度。
解读: 随着阳光电源在组串式逆变器及PowerTitan储能系统中大规模应用SiC等宽禁带功率器件，高频开关带来的高dv/dt干扰已成为电流采样精度和系统稳定性的核心痛点。该技术通过光隔离方案提升罗氏线圈的抗干扰能力，对于优化逆变器及PCS内部的电流闭环控制、提升高频功率模块的测试精度具有重要意义。建议研发...
LLC谐振变换器的峰值电流模式控制
Peak Current-Mode Control for LLC Resonant Converter
Yegui Qiu · Yuliang Zhang · Xiaofeng Sun · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年10月
本文提出了一种针对LLC谐振变换器的直接电流控制方案。通过精确调节谐振槽路的峰值电流，实现了高带宽和快速的动态响应。通过输出阻抗分析和负载阶跃仿真，验证了该方法在提升系统稳定性和动态响应方面的有效性。
解读: LLC谐振变换器是阳光电源户用光伏逆变器及储能PCS（如ST系列）中DC-DC变换级的核心拓扑。该文提出的峰值电流模式控制技术能显著提升变换器的动态响应速度，对于应对光伏输入波动及储能电池侧的快速功率调度具有重要意义。建议研发团队评估该控制策略在户用储能系统中的应用，以优化系统在负载突变时的电压稳定...
从负序角度识别构网型控制代数虚拟阻抗引起的谐振与不稳定性
Identification of Resonance and Instability From Algebraic Virtual Impedance of Grid-Forming Control in the Perspective of Negative Sequence
Jaekeun Lee · Junyeol Maeng · Jae-Jung Jung · Shenghui Cui · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年10月
本文探讨了构网型控制中代数虚拟阻抗（AVI）的基本问题，重点分析了其负序阻抗特性。研究发现，AVI在负序阻抗中表现出容性行为，这会导致显著的谐波问题及系统不稳定性，对弱电网下的并网性能产生影响。
解读: 该研究直接针对阳光电源PowerTitan系列储能PCS及大型地面光伏逆变器在构网型（GFM）模式下的核心控制算法。随着电网弱化，构网型逆变器在负序阻抗下的稳定性至关重要。本文揭示的AVI容性特征为优化阳光电源的虚拟阻抗设计提供了理论支撑，有助于提升PowerTitan在复杂电网环境下的谐波抑制能力...
基于可控开关器件的LCC-LCC/S无线功率传输系统参数辨识与功率-效率优化策略
Parameter Identification and Power-Efficiency Optimization Strategy for LCC-LCC/S WPT System Based on Controllable Switching Devices
Xu Liu · Tianze Zhao · Daliang Jin · Chenyang Xia · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年10月
在无线功率传输（WPT）系统中，不同工况下互感和负载电阻的变化对输出性能稳定性构成挑战。针对线圈偏移与负载变化导致的参数波动，本文提出一种基于可控开关器件的LCC-LCC/S系统参数辨识方法与效率优化策略。通过引入可控开关，系统可在LCC-LCC与LCC-S拓扑间动态切换，实现互感与负载电阻的联合辨识，无需副边测量、频率调制或复杂通信，降低了系统复杂度。基于辨识结果设计动态拓扑切换策略，可优化传输效率或输出功率。实验结果表明，该方法参数辨识平均精度超过95%，且在负载与偏移变化下显著提升系统综合...
解读: 该LCC-LCC/S无线功率传输参数辨识与优化技术对阳光电源新能源汽车充电产品线具有重要应用价值。其可控开关动态拓扑切换方案可直接应用于无线充电桩产品，解决车辆停靠偏移与电池SOC变化导致的互感和负载波动问题。无需副边通信的参数辨识方法可简化车-桩通信架构，降低系统成本。95%以上的辨识精度结合效率...
光伏-储能移动充电站的能量管理策略
Energy Management Strategy for Photovoltaic-Energy Storage Mobile Charging Station
Qingsong Wang · Shaoqi Yang · Feiyu Chen · Ming Cheng 等6人 · IEEE Transactions on Sustainable Energy · 2025年10月
本文提出将光伏-储能充电站与移动充电服务（MCD）相结合，构建光伏-储能移动充电站（PV-ES-MCS），实现低碳环保与运行灵活性的协同。通过分析系统架构，建立综合运行成本与收益模型，结合移动充电调度的能量补给需求与经济性目标，构建考虑多重约束的能量管理优化模型，并采用灰狼优化算法求解。案例结果表明，该策略可实现站内多要素协调调控，降低运行成本6.7%，并保障移动充电调度能量补给效率，MCD电池更换成功率达100%。
解读: 该光伏-储能移动充电站能量管理策略对阳光电源多产品线具有协同应用价值。在储能系统方面，可应用于PowerTitan储能系统的多场景调度优化，结合灰狼算法提升ST系列储能变流器的能量管理效率；在光伏业务中，可优化SG系列逆变器与储能的协调控制，提升MPPT算法在移动充电场景的适应性；在充电桩产品线，该...
基于逆变器资源主导电力系统动态交互分析的统一框架
A Unified Framework for Analysis of Dynamic Interactions in Inverter-Based Resource-Dominant Power Systems
Akshita Sharma · Pankaj D. Achlerkar · Bijaya Ketan Panigrahi · IEEE Transactions on Power Systems · 2025年10月
摘要：以基于逆变器的电源（IBR）为主导的电力系统经历过涵盖不同频率的振荡。IBR 数据不完整，以及详细电磁暂态（EMT）研究对计算量的高要求，限制了系统运行人员对这类动态振荡的分析。本研究提出了一种通用方法，用于深入了解包含各种 IBR 技术、参数和控制策略的电力系统各子组件之间振荡的本质。利用黑箱阻抗模型和线性电路原理，将 IBR 注入电流在频域中分解为与其他 IBR、负载和电网的各种动态交互分量。这些分量的组合代表了系统潜在的振荡模式。实时系统运行需要在线检测并自动解决交互问题，为此，本文...
解读: 该统一框架对阳光电源多产品线具有重要应用价值。在ST储能系统中，可用于分析PowerTitan多机并联时的宽频振荡问题，优化构网型GFM控制参数设计；在SG光伏逆变器领域，阻抗-状态空间等效转换方法可指导1500V系统的多逆变器协同控制，提升弱电网适应性；对于充电桩与车载OBC，该框架能识别电网交互...
金属填料改性对封装嵌入式集成电压调节器中环形电感的影响
Effect of metal filler modification on toroidal inductors for package embedded integrated voltage regulators
Prahalad Murali · Pragna Bhaskar · C. Charlotte Buchanan · Dustin A. Gilbert 等6人 · IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology · 2025年10月
随着人工智能和数据中心应用对电力需求的不断增加，直流 - 直流转换器必须靠近小芯片放置，以实现高效供电。这些转换器电路中使用的电感器有着严格的要求，仅通过修改电感器设计无法满足这些要求。需要在磁性材料方面取得进展，以确保转换器电路达到高效率。本研究探讨了由铁 - 6.5 重量百分比硅和双苯并环丁烯（BCB）组成的金属 - 聚合物复合材料（MPC）系统中金属填料的形状、晶体结构和退火处理对磁导率、饱和特性、小信号损耗（ $r_{acx}$ ）和大信号损耗（ $R_{acx}$ ）的影响。在 5 兆...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项关于封装嵌入式集成稳压器环形电感器的金属填料改性研究具有重要的战略意义。该技术针对AI和数据中心应用中DC-DC转换器的高功率密度需求，通过优化Fe-6.5wt%Si与BCB聚合物复合材料的金属填料特性，实现了15.4-18.67的磁导率和0.016-0.032的低损耗...
基于RTL的单片集成逆变器用于采用β-Ga₂O₃ MOSFET的栅极驱动IC
Monolithically Integrated RTL-Based Inverters for Gate Driver IC Using β-Ga₂O₃ MOSFETs
Ganesh Mainali · Dhanu Chettri · Vishal Khandelwal · Glen Isaac Maciel García 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年10月
栅极驱动器通过提供快速开关所需的驱动电流，实现功率金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管（MOSFET）与数字控制电路的接口连接。本研究展示了一种基于β - Ga₂O₃电阻 - 晶体管逻辑（RTL）反相器的单片集成栅极驱动器集成电路（IC），该集成电路采用增强型多指（MF）MOSFET和基于凹槽外延的电阻器。这款面积为0.785平方毫米的芯片以同相配置集成了两个RTL反相器，在15 V电源供电下，实现了11.9 V/V和12.2 V/V的电压增益，高/低噪声容限分别为3.4 V/1.3 V和3...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项基于β-Ga₂O₃材料的单片集成栅极驱动技术具有重要的战略参考价值。作为光伏逆变器和储能系统的核心部件，栅极驱动电路的性能直接影响系统的开关损耗、效率和可靠性。 该技术的主要价值在于实现了驱动电路与功率器件的单片集成。传统方案中，栅极驱动IC与功率MOSFET分离封装...
基于绝缘体上硅的伪逆变器用于高灵敏度NO₂和NH₃气体检测
Pseudo-Inverter Based on Silicon-on-Insulator for Highly Sensitive NO₂ and NH₃ Gas Detection
Sherzod Khaydarov · Haihua Wang · Wei Zhang · Peng Zhou 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年10月
本研究探讨了基于绝缘体上硅（SOI）衬底的伪反相器（Ψ - 反相器）和伪 MOS（Ψ - MOS）在 NO₂ 和 NH₃ 气体检测中的应用。实验结果表明，具有高内部增益特性的 Ψ - 反相器，在针对两种目标气体的不同沟道厚度条件下，与 Ψ - MOS 器件相比，始终表现出更优异的灵敏度。在 1 ppm 浓度下，Ψ - 反相器对 NO₂ 和 NH₃ 的灵敏度分别达到了 1248% 和 83.9%，分别是 Ψ - MOS 灵敏度的 102.5 倍和 19.7 倍。此外，Ψ - 反相器结构具有直接输出...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项基于SOI基板的伪逆变器气体检测技术具有重要的潜在应用价值。在光伏电站、储能系统及氢能设施的运维管理中，环境气体监测是保障设备安全和人员健康的关键环节。 该技术对NO₂和NH₃的高灵敏度检测能力（1 ppm浓度下分别达到1248%和83.9%的灵敏度）可为我司多个业务...
再生长层厚度和氮浓度对垂直金刚石MOSFET低漏极电压下电流失效影响
Effects of Regrown Layer Thickness and Nitrogen Concentration on Current Rise at Low Drain Voltage in Vertical Diamond MOSFET
Kosuke Ota · Koji Amazutsumi · Runming Zhang · Yuta Nameki 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年10月
由于具有优异的物理特性，金刚石是一种很有前景的功率器件材料，而垂直 p 沟道场效应晶体管（FET）对于实现下一代互补逆变器至关重要。在本研究中，我们利用氢终端金刚石表面诱导的二维空穴气（2DHG）制造了一个（001）垂直金刚石 MOSFET。该器件采用了一种沟槽结构，其在硼掺杂金刚石（p +）衬底中的过刻蚀深度为 1.5 微米。然而，在低电压区域（−4 V ≤ VDS ≤ 0 V）观察到漏极电流上升受到抑制。为了探究其原因，我们对沟槽型横向器件进行了测量，在这类器件中电流不经过再生长层，且在低电...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项金刚石垂直MOSFET技术研究代表了功率半导体器件领域的前沿探索，对我们的光伏逆变器和储能系统具有长远战略意义。 金刚石作为第四代半导体材料，其优异的物理特性——极高的击穿电场强度、热导率和载流子迁移率——使其在高功率密度应用中具有革命性潜力。该研究通过氢终端表面诱导...
第 48 / 926 页