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拓扑与电路 PFC整流 DC-DC变换器 储能变流器PCS ★ 4.0

一种集成交错式PFC与谐振DC/DC电路的单级AC/DC变换器系列

A Family of Single-Stage AC/DC Converters Integrated Interleaved PFC and Resonant DC/DC Circuits

Song Lu · Hongbo Ma · Xiaoqiang Wang · Junhong Yi 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年8月

针对传统单级AC/DC变换器在高压输入下母线电压过高的问题,本文提出了一种集成交错式PFC与谐振DC/DC电路的单级变换器系列。该拓扑通过创新的交错结构,有效降低了母线电压应力,提升了变换效率与功率密度,适用于高压输入场景。

解读: 该研究提出的交错式PFC与谐振DC/DC集成拓扑,对阳光电源的充电桩及户用储能产品线具有重要参考价值。在充电桩应用中,该拓扑能有效降低母线电压应力,从而选用更低耐压等级的功率器件,降低系统成本并提升转换效率。对于户用储能系统,该技术有助于优化单级变换架构,减小系统体积,提升功率密度。建议研发团队关注...

功率器件技术 IGBT 功率模块 可靠性分析 ★ 4.0

一种基于关断电压vCE的压接式IGBT芯片表面压力分布均匀性无损监测方法

A Noninvasive Monitoring Method for Uniformity of Pressure Distribution on the Chip Surface in Single-Chip Press-Pack IGBTs With Turn-Off vCE

Tianchen Li · Feng He · Yiming Zhang · Xuebao Li 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 预计 2026年5月

压接式IGBT(PPI)芯片表面的压力分布均匀性直接影响其可靠性。目前主流的压力膜测试法具有侵入性且局限性大。本文提出了一种基于电气参数的无损监测方法,通过监测关断过程中的集电极-发射极电压(vCE)特征,实现对单芯片PPI压力分布均匀性的实时评估。

解读: 该研究对于阳光电源的高功率密度产品线(如集中式光伏逆变器和大型储能系统PowerTitan系列)具有重要参考价值。压接式IGBT在兆瓦级功率变换器中应用广泛,其压力分布直接决定了模块的散热性能与寿命。通过引入该无损监测技术,阳光电源可在iSolarCloud智能运维平台中集成功率模块健康状态评估功能...

功率器件技术 SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 ★ 4.0

基于低电流基极-集电极电压降的碳化硅双极型晶体管结温测量方法

Junction Temperature Measurement Method for SiC Bipolar Junction Transistor Using Base–Collector Voltage Drop at Low Current

Bangbing Shi · Shiwei Feng · Yamin Zhang · Kun Bai 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年10月

本文提出了一种用于估算碳化硅(SiC)双极型晶体管(BJT)垂直结温的电气测量方法。该方法基于关断过程中低电流下的基极-集电极电压降(VBC(low))进行测量,该电压对温度表现出良好的灵敏度和线性度。

解读: 随着阳光电源在光伏逆变器和储能PCS中对高功率密度和高效率的需求日益增长,SiC器件的应用已成为核心趋势。结温是影响功率器件寿命和可靠性的关键因素。该研究提出的基于VBC(low)的结温在线监测方法,无需额外传感器,可直接集成于阳光电源的iSolarCloud智能运维平台或逆变器驱动控制电路中。这对...

拓扑与电路 SiC器件 三电平 功率模块 ★ 5.0

用于高功率密度不同Si/SiC混合三电平有源NPC逆变器的评估

Evaluation of Different Si/SiC Hybrid Three-Level Active NPC Inverters for High Power Density

Li Zhang · Xiutao Lou · Chushan Li · Feng Wu 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年8月

相比全SiC MOSFET转换器,Si/SiC混合方案是平衡性能与成本的有效途径。本文提出了一种系统性方法,基于续流路径排列,从两种开关单元生成了2-SiC和4-SiC混合三电平有源中点钳位(3L-ANPC)逆变拓扑,旨在实现高功率密度设计。

解读: 该研究直接服务于阳光电源的核心竞争力——高功率密度逆变器设计。3L-ANPC拓扑广泛应用于阳光电源的组串式逆变器及大型集中式逆变器中。通过Si/SiC混合技术,公司可以在保持高性能的同时,显著降低大功率光伏逆变器和储能变流器(PCS)的成本,提升市场竞争力。建议研发团队评估该拓扑在PowerTita...

拓扑与电路 光伏逆变器 储能变流器PCS 功率模块 ★ 5.0

一种适用于平面变压器应用的低漏感部分交错绕组结构设计方法

A Design Method of Partially Interleaved Winding Structure With Low Leakage Inductance for Planar Transformer Application

Xuetong Zhou · Yufei Tian · Yuhua Quan · Xuefei Zhang 等10人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年5月

针对匝比非1:1的平面变压器,全交错绕组结构并非漏感最优。本文提出了一种部分交错绕组设计方法,通过磁动势分析,实现了任意匝比下的漏感最小化,为高功率密度变换器设计提供了理论指导。

解读: 该研究直接服务于阳光电源的高功率密度电力电子产品研发。在组串式光伏逆变器及PowerTitan/PowerStack储能变流器(PCS)中,高频磁性元件的体积与效率是提升功率密度的关键。通过优化平面变压器的漏感,可显著降低开关损耗并改善变换器(如LLC谐振或双向DC-DC)的动态性能。建议研发团队在...

控制与算法 构网型GFM MPPT ★ 5.0

基于模型参考自适应的构网型逆变器快速功率控制策略

Fast Power Control Strategy for Grid-Forming Inverter Based on Model Reference Adaptation

Xinxin Fu · Xing Zhang · Feng Han · Mengze Wu 等5人 · IET Power Electronics · 2025年9月 · Vol.18

本文提出一种针对构网型逆变器的快速功率控制策略:首先,通过具有超前特性的前置滤波器提升有功功率控制带宽;其次,引入模型参考自适应机制,实时调节前置滤波器参数,以抑制电网阻抗变化对带宽扩展性能的影响。所提控制方法在保障系统稳定性的前提下,显著提升了逆变器输出功率的动态响应速度,可有效实现新能源最大功率点的快速跟踪。

解读: 该模型参考自适应快速功率控制技术对阳光电源ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器的构网型GFM控制具有重要应用价值。通过超前滤波器提升功率控制带宽,可显著改善PowerTitan储能系统在电网支撑模式下的动态响应性能,增强频率电压支撑能力。模型参考自适应机制能实时适应电网阻抗变化,提升系统在弱电网环...

功率器件技术 GaN器件 宽禁带半导体 功率模块 ★ 4.0

具备600V/10A开关能力的氮化镓结势垒肖特基二极管的雪崩与浪涌电流鲁棒性验证

Demonstration of Avalanche and Surge Current Robustness in GaN Junction Barrier Schottky Diode With 600-V/10-A Switching Capability

Feng Zhou · Weizong Xu · Fangfang Ren · Dong Zhou 等9人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年11月

本文通过选择性镁离子注入技术,显著提升了氮化镓(GaN)结势垒肖特基(JBS)二极管的雪崩鲁棒性和浪涌电流能力。该器件实现了830V击穿电压、150mΩ导通电阻及0.5V导通电压,为高可靠性电力电子应用提供了优异的静电性能。

解读: GaN器件在提升功率密度和转换效率方面具有显著优势,是阳光电源下一代高频化、小型化逆变器及充电桩产品的关键技术储备。本文提出的JBS二极管通过镁离子注入技术解决了GaN器件在雪崩和浪涌电流方面的可靠性痛点,这对于提升户用光伏逆变器和电动汽车充电桩在极端工况下的鲁棒性至关重要。建议研发团队关注该技术在...

系统并网技术 光伏逆变器 并网逆变器 低电压穿越LVRT ★ 4.0

级联H桥光伏并网逆变器在相间短路故障下的有功功率回流抑制优化策略

An Optimized Active Power Backflow Suppression Strategy for Cascaded H-Bridge PV Grid-Connected Inverter During Inter-Phase Short-Circuit Fault

Tao Zhao · Zixiang Sun · Zhijian Feng · Mingda Wang 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年7月

针对三相隔离级联H桥(CHB)光伏逆变器在非对称电网故障下出现有功功率回流,导致直流母线电压失控及系统脱网的问题,本文提出了一种优化抑制策略。该方法有效解决了单相短路及相间短路故障下的功率回流难题,确保了逆变器在复杂电网故障下的稳定运行与低电压穿越能力。

解读: 该研究针对级联H桥(CHB)拓扑在复杂电网故障下的稳定性问题,对于阳光电源的大型地面光伏电站解决方案具有重要参考价值。阳光电源的集中式及组串式逆变器在面对弱电网或复杂故障工况时,对直流侧电压的稳定性要求极高。该策略可优化逆变器在非对称故障下的控制逻辑,提升产品在极端工况下的低电压穿越(LVRT)性能...

拓扑与电路 储能变流器PCS 光储一体化 双向DC-DC ★ 5.0

一种基于准开关电容电路的光储一体化双输入DC/DC变换器系列

A Family of Quasi-Switched-Capacitor Circuit-Based Dual-Input DC/DC Converters for Photovoltaic Systems Integrated With Battery Energy Storage

Feng Guo · Lixing Fu · Xuan Zhang · Chengcheng Yao 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2016年1月

本文提出了一系列双向双输入DC/DC变换器,用于集成光伏系统与电池储能系统。该拓扑结构以全桥或半桥电流源电路作为原边,并采用准开关电容电路作为副边,旨在提高功率密度并优化光伏与储能之间的能量管理效率。

解读: 该研究提出的双输入DC/DC拓扑高度契合阳光电源的“光储一体化”战略。对于PowerTitan(液冷储能系统)及户用储能系统(如SH系列),采用准开关电容电路有助于提升变换器的功率密度并降低开关损耗,从而进一步优化系统效率。该技术方案可作为阳光电源下一代高集成度储能变流器(PCS)的研发参考,特别是...

拓扑与电路 三电平 光伏逆变器 低电压穿越LVRT ★ 5.0

不平衡电网故障下LVRT运行中NPC三电平光伏逆变器的中点电压分析与抑制

Neutral-Point Voltage Analysis and Suppression for NPC Three-Level Photovoltaic Converter in LVRT Operation Under Imbalanced Grid Faults With Selective Hybrid SVPWM Strategy

Yang Li · Xu Yang · Wenjie Chen · Tao Liu 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年2月

本文深入研究了NPC三电平光伏逆变器在电网不平衡故障及低电压穿越(LVRT)期间的中点电压平衡问题。针对现有算法在复杂工况下控制失效的局限性,提出了一种选择性混合SVPWM策略,有效抑制了不平衡负载下的中点电压波动,提升了系统在极端电网条件下的运行稳定性。

解读: 该研究直接关联阳光电源组串式及集中式光伏逆变器产品线,特别是针对大型地面电站常用的NPC三电平拓扑。在电网故障(如不平衡电压跌落)期间,中点电压偏移是导致逆变器过压保护或输出电流畸变的关键痛点。本文提出的选择性混合SVPWM策略,可优化阳光电源逆变器在弱电网或复杂故障下的LVRT控制算法,提升并网电...

拓扑与电路 多电平 双向DC-DC PWM控制 ★ 3.0

基于主动环流注入和桥臂电压调节的双极型模块化固态变压器运行与控制

Operation and Control of Bipolar-Type Modular Solid State Transformer With Active Circulating Current Injection and Arm Voltage Adjusting Method

Jianqiao Zhou · Jianwen Zhang · Jiacheng Wang · Gang Shi 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年8月

本文提出了一种双极型模块化固态变压器(BM-SST),基于模块化多电平变换器(MMC)架构。该拓扑不仅具备中压交流和直流端口,还可直接提供双极性低压直流(BLVdc)端口,以满足分布式能源及负载的多样化需求。通过主动环流注入和桥臂电压调节策略,有效提升了系统的运行性能与控制灵活性。

解读: 该技术属于电力电子变换领域的前沿拓扑,对阳光电源的储能系统(如PowerTitan系列)及未来中压直流配电网业务具有参考价值。虽然目前阳光电源产品线以组串式逆变器和储能PCS为主,但随着电网向高压直流化发展,MMC架构及固态变压器技术在大型储能电站并网及直流微电网应用中具有潜在的技术储备意义。建议关...

储能系统技术 储能系统 储能变流器PCS GaN器件 ★ 5.0

室温下电注入的GaN基光子晶体表面发射激光器

Room-temperature electrically injected GaN-based photonic-crystal surface-emitting lasers

Tong Xu1Meixin Feng2Xiujian Sun2Rui Xi2Xinchao Li2Shuming Zhang2Qian Sun2Xiaoqi Yu3Kanglin Xiong3Hui Yang4Xianfei Zhang5Zhuangpeng Guo5Peng Chen5 · 半导体学报 · 2025年9月 · Vol.46

光子晶体表面发射激光器(PCSELs)利用二维光子晶体的布拉格衍射实现高功率、低发散角的单模输出,近年来受到广泛关注[1-3]。2023年,京都大学报道了基于GaAs的945 nm PCSEL,在连续波(CW)工作模式下单模输出功率超过50 W,光束发散角窄至0.05°,亮度达到1 GW·cm⁻²·sr⁻¹,可与传统大体积激光器相媲美[4]。

解读: 该GaN基光子晶体表面发射激光器技术对阳光电源的GaN功率器件应用具有重要参考价值。虽然研究聚焦光电子领域,但其电注入结构设计、热管理方案及GaN材料的高温稳定性特性,可为ST系列储能变流器和SG光伏逆变器中的GaN功率模块散热优化提供借鉴。特别是其室温连续工作能力验证了GaN器件在高功率密度应用中...

功率器件技术 宽禁带半导体 功率模块 ★ 3.0

具备纳秒级反向恢复与强浪涌电流能力的1.37 kV/12 A NiO/β-Ga2O3异质结二极管

1.37 kV/12 A NiO/β-Ga2O3 Heterojunction Diode With Nanosecond Reverse Recovery and Rugged Surge-Current Capability

Hehe Gong · Feng Zhou · Weizong Xu · Xinxin Yu 等12人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年11月

本文展示了一种NiO/Ga2O3 p-n异质结二极管(HJD),在实现快速反向恢复特性与强浪涌电流承受能力之间取得了优异平衡。该器件通过双层p-NiO结构设计,在1.37 kV的高压下表现出优异的动态性能与可靠性,为氧化镓功率电子技术的发展提供了重要参考。

解读: 氧化镓(Ga2O3)作为超宽禁带半导体,在未来高压、高效率功率变换领域具有巨大潜力。对于阳光电源而言,该技术目前处于前沿研究阶段,短期内主要影响组串式逆变器及PowerTitan储能变流器(PCS)中功率模块的选型演进。虽然目前SiC和GaN是主流,但Ga2O3在耐压和成本方面具备长期替代优势。建议...

功率器件技术 宽禁带半导体 功率模块 可靠性分析 ★ 4.0

具有98.5%转换效率和百万次过压耐受能力的1.95-kV斜面台面NiO/β-Ga2O3异质结二极管

1.95-kV Beveled-Mesa NiO/β-Ga2O3 Heterojunction Diode With 98.5% Conversion Efficiency and Over Million-Times Overvoltage Ruggedness

Feng Zhou · Hehe Gong · Weizong Xu · Xinxin Yu 等12人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年2月

氧化镓(Ga2O3)功率二极管的发展受限于系统级应用性能评估与可靠性验证的缺失。本文通过将斜面台面NiO/Ga2O3 p-n异质结二极管(HJD)应用于500W功率因数校正(PFC)电路,验证了其在高压环境下的优异性能与可靠性,为该器件的商业化进程提供了关键支撑。

解读: 氧化镓作为超宽禁带半导体,在提升功率密度和耐压水平方面具有巨大潜力。对于阳光电源而言,该技术若实现商业化,可显著优化组串式逆变器及户用储能系统中的PFC级电路效率,进一步缩小功率模块体积。建议研发团队持续关注其在高温、高压下的长期可靠性表现,评估其在未来高压光伏系统及下一代高密度储能变流器(PCS)...

功率器件技术 GaN器件 宽禁带半导体 功率模块 ★ 4.0

基于p-GaN栅极的常关型GaN晶体管在桥臂电路中的开关瞬态分析

Switching Transient Analysis for Normally-off GaN Transistor With p-GaN Gate in a Phase-Leg Circuit

Ruiliang Xie · Xu Yang · Guangzhao Xu · Jin Wei 等11人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年4月

本文研究了商用常关型p-GaN栅极高电子迁移率晶体管(HEMT)的开关特性。分析了栅极区域肖特基结与p-GaN/AlGaN/GaN异质结的电学特性,探讨了p-GaN层在桥臂电路开关瞬态过程中的电位变化及其对器件动态性能的影响,为高频功率变换器的设计提供了理论支撑。

解读: 随着电力电子技术向高频化、高功率密度发展,GaN器件在阳光电源的户用光伏逆变器及小型化充电桩产品中具有巨大的应用潜力。本文对p-GaN栅极GaN器件开关瞬态的深入分析,有助于研发团队优化驱动电路设计,抑制开关过程中的电压振荡与EMI问题,从而提升逆变器效率。建议在下一代高频化户用逆变器及便携式储能产...

拓扑与电路 DC-DC变换器 多电平 功率模块 ★ 4.0

一种基于IGCT和中频隔离的1.5 kV/30 kV/10 MW串联谐振直流变压器及其在光伏直流汇集中的应用

A 1.5 kV/30 kV/10 MW Series Resonant DC Transformer Based on IGCT and Medium Frequency Isolation for Solar-PV DC Collection Application

Yiqing Ma · Biao Zhao · Bin Cui · Jialiang Hu 等10人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年7月

本文提出并实现了一种用于光伏直流汇集系统的1.5 kV/30 kV/10 MW串联谐振直流变压器(IGCT-SRDCT)。该方案利用集成门极换流晶闸管(IGCT)提升输入电流能力,并通过二极管串联缓冲电容及级联结构,将输出电压提升至30 kV,实现了高效的中频隔离与直流电压变换。

解读: 该技术对于阳光电源的大型地面光伏电站及直流汇集方案具有重要参考价值。随着光伏电站向更高电压等级(如1500V及以上)发展,直流汇集技术能显著降低线损并提升系统效率。IGCT作为高压大功率器件,在MW级直流变压器中的应用,可为阳光电源的集中式逆变器及未来直流输电架构提供技术储备。建议研发团队关注其在高...

功率器件技术 GaN器件 宽禁带半导体 功率模块 ★ 4.0

具有纳秒级开关特性和鲁棒过压能力的1.2 kV/25 A增强型P-N结/AlGaN/GaN HEMT

1.2 kV/25 A Normally off P-N Junction/AlGaN/GaN HEMTs With Nanosecond Switching Characteristics and Robust Overvoltage Capability

Feng Zhou · Weizong Xu · Fangfang Ren · Yuanyang Xia 等10人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年1月

本文提出了一种基于P-N结栅极结构的1.2 kV/25 A增强型GaN HEMT。该器件具备18.2 V的栅极击穿电压和1.7 V的正阈值电压,提供了宽广的栅极偏置窗口。实验表明,该器件在10 V栅极驱动电压下表现出优异的纳秒级开关特性和极强的过压耐受能力,为高压功率转换应用提供了新方案。

解读: 该技术对阳光电源的功率电子产品线具有重要意义。1.2 kV/25 A的增强型GaN器件在高频化、小型化方面优势显著,特别适用于户用光伏逆变器及小型化储能变流器(PCS)的功率级设计。其高栅极击穿电压提升了驱动电路的可靠性,有助于降低系统损耗并提高功率密度。建议研发团队关注该器件在高频DC-DC变换器...

功率器件技术 宽禁带半导体 功率模块 ★ 4.0

具有5.18 GW/cm²创纪录巴利加优值

BFOM)的2.41 kV垂直结构P-NiO/n-Ga2O3异质结二极管

Yuangang Wang · Hehe Gong · Yuanjie Lv · Xingchang Fu 等14人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年4月

本文展示了采用复合终端结构(p-NiO结终端扩展JTE和小角度斜角场板BFP)的高性能p-NiO/β-Ga2O3异质结二极管。通过引入p-NiO JTE结构,器件击穿电压从955V提升至1945V,结合BFP技术进一步实现了2.41kV的击穿电压及5.18 GW/cm²的巴利加优值,展现了氧化镓器件在高压功率电子领域的巨大潜力。

解读: 氧化镓(Ga2O3)作为超宽禁带半导体,其理论击穿场强远超SiC和GaN,是未来高压功率器件的重要演进方向。对于阳光电源而言,该技术若实现产业化,将显著提升组串式光伏逆变器和PowerTitan系列储能变流器(PCS)的功率密度与效率,并降低散热系统成本。建议研发团队持续跟踪氧化镓材料的晶圆制备工艺...

储能系统技术 储能系统 ★ 5.0

新型单级集成升压逆变器

A New Single-Stage Integrated Boost Inverter

Yonglu Liu · Chaoyang Zhang · Weiquan Feng · Jianheng Lin · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2024年9月

提出集成逆变器实现电压升压和漏电流抑制。该逆变器仅通过在现有双模逆变器上添加两个二极管获得。有源开关复用通过调节占空比调节电网电流并通过改变开关频率实现电压升压。首先介绍逆变器拓扑演化过程。然后分析逆变器不连续导通模式(DCM)工作原理。为每个模式分别设计控制器,每个控制器包含电流环和电压环。此外推导电压增益等稳态特性。构建300W样机进行实验验证。

解读: 该单级集成升压逆变器技术对阳光电源光伏和储能逆变器拓扑优化有参考价值。双二极管集成升压方案可应用于户用光伏系统,简化拓扑并降低成本。开关复用和DCM运行技术对阳光电源单级逆变器产品的功率密度提升有借鉴意义。漏电流抑制特性对户用储能系统的安全性和EMC性能有优化潜力,可满足更严格的电网接入标准。...

控制与算法 强化学习 微电网 储能变流器PCS ★ 5.0

基于强化学习的主动模型变化死区控制用于含恒功率负载的直流微电网储能系统

Reinforcement Learning Based Active Model Variation Deadbeat Control for Energy Storage System in DC Microgrids With Constant Power Loads

Xibeng Zhang · Pengpeng Li · Yanyu Zhang · Darong Huang 等8人 · IEEE Transactions on Industrial Electronics · 2025年10月 · Vol.73

针对直流微电网中恒功率负载与模型失配引发的电流纹波和电压波动问题,本文提出一种基于强化学习的主动模型变化死区控制(RL-AMVDB),动态优化电流环模型参数。仿真与硬件实验表明,该方法显著降低电流纹波(最高20%)及电压波动,提升动态响应性能。

解读: 该研究直接支撑阳光电源ST系列PCS及PowerTitan储能系统在直流微电网场景下的高鲁棒性控制需求,尤其适用于含大量CPL(如数据中心、充电桩集群)的用户侧/电网侧储能项目。RL-AMVDB可嵌入iSolarCloud智能平台实现自适应参数整定,建议在新一代构网型PCS固件升级中集成该算法,并面...

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