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一种用于中压SiC MOSFET的信号-功率集成传输MHz脉冲变压器隔离栅驱动器
A MHz-Pulse-Transformer Isolated Gate Driver With Signal-Power Integrated Transmission for Medium-Voltage SiC MOSFETs
Zhehui Guo · Hui Li · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年8月
针对中压SiC MOSFET传统栅极驱动器(GD)信号与功率传输分离、电源体积庞大的问题,本文提出了一种紧凑型信号-功率集成栅极驱动器。该方案利用20MHz调制E类谐振反激电路,实现了PWM信号与驱动电源的同步传输,有效减小了驱动电路的占用空间。
解读: 该技术对阳光电源的核心业务具有极高价值。随着公司在中压光伏逆变器及PowerTitan系列大功率储能系统(PCS)中加速应用SiC MOSFET,驱动电路的集成度与可靠性成为提升功率密度的关键。该方案提出的信号-功率集成技术可显著缩小驱动板尺寸,降低寄生参数影响,从而提升高频开关下的系统效率与EMI...
总电离剂量辐照下动态栅极应力诱导的SiC MOSFET栅氧退化研究
Investigation on Gate Oxide Degradation of SiC MOSFETs Induced by Dynamic Gate Stress Under Total Ionizing Dose Irradiation
Jiahao Hu · Xiaochuan Deng · Tao Xu · Haibo Wu 等6人 · IEEE Electron Device Letters · 2025年10月
在这篇快报中,研究了碳化硅(SiC)金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管(MOSFET)在总电离剂量辐照下由动态栅极应力引起的栅极氧化物退化情况,以准确评估……
解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项关于SiC MOSFET栅极氧化层在辐射环境下动态应力退化机制的研究具有重要的战略意义。SiC功率器件已成为我们新一代光伏逆变器和储能变流器的核心部件,其可靠性直接影响产品在极端环境下的表现。 该研究聚焦于总剂量辐射与动态栅极应力的耦合效应,这对我们在特殊应用场景具有...
基于体二极管电压的SiC MOSFET键合线失效监测
Bond Wire Failure Monitoring of SiC MOSFETs Based on the Body Diode Voltage
Xiaolei Wang · Pengju Sun · Yinghui Yang · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2024年11月
键合线失效是碳化硅(SiC)MOSFET最主要的老化形式之一。现有电参数监测方法通常受结温与栅氧退化影响,难以准确识别键合线故障。本文提出一种基于−10 V栅源电压及特定监测电流下体二极管电压的SiC MOSFET键合线失效监测新方法。该方法利用SiC MOSFET第三象限输出特性中温度无关的交点,有效解耦结温和栅氧退化带来的干扰,实现对键合线失效状态的精确监测。通过双脉冲实验平台验证了该方法的有效性与可行性。
解读: 该SiC MOSFET键合线失效监测技术对阳光电源ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器具有重要应用价值。通过体二极管电压监测方法,可有效解耦结温和栅氧退化干扰,实现功率模块健康状态的精准诊断。该技术可直接集成到PowerTitan大型储能系统的智能运维体系中,结合iSolarCloud云平台实现S...
用于脉冲应用的碳化硅堆叠电容变换器
SiC Stacked-Capacitor Converters for Pulse Applications
Xiaoyong Ren · Zhi-Wei Xu · Ke Xu · Zhiliang Zhang 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年5月
脉冲功率变换器在高温及强辐射环境下对高压大电流波形有严苛要求,通常需50%-75%的电压降额。碳化硅(SiC)MOSFET凭借宽禁带特性在提升辐射可靠性方面展现出巨大潜力。本文探讨了传统变换器在极端环境下的局限性,并提出了基于SiC器件的堆叠电容变换器解决方案。
解读: 该研究关注SiC器件在极端环境(高温、辐射)下的可靠性及高压脉冲应用,对阳光电源的功率器件选型及高可靠性设计具有参考价值。虽然阳光电源的核心业务(光伏、储能)主要面向民用及工业环境,但该技术对于提升PowerTitan等大型储能系统在极端气候或特殊工业场景下的功率密度和器件耐受性有借鉴意义。建议研发...
一种实现超低故障耗散能量的SiC MOSFET分流输出功率模块短路保护方法
Improved Short-Circuit Protection Method for SiC MOSFET Split-Output Power Module Achieving Ultra-Low Fault Dissipated Energy
Hongyi Gao · Dong Hai · Yuting Jin · Fujun Zheng 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年2月
由于SiC MOSFET具有超快开关速度和高频特性,串扰、高开通损耗及电磁干扰成为其高效安全应用的制约因素。分流输出结构因其在克服上述问题方面的优势备受关注。本文提出了一种针对该结构的改进型短路保护方法,旨在显著降低故障状态下的能量耗散,提升功率模块在极端工况下的可靠性。
解读: 该技术对阳光电源的核心产品线具有极高的应用价值。随着公司组串式逆变器和PowerTitan系列储能PCS向更高功率密度和更高开关频率演进,SiC器件的应用已成为主流。该研究提出的分流输出结构短路保护方法,能有效解决SiC器件在短路故障下的热应力问题,显著提升功率模块的可靠性。建议研发团队在下一代高频...
一种考虑温度相关反向恢复的SiC MOSFET超宽高温范围分析开关损耗模型
An Analytical Switching Loss Model for SiC MOSFET Considering Temperature-Dependent Reverse Recovery Over an Extremely Wide High-Temperature Range
Mengyu Zhu · Yunqing Pei · Fengtao Yang · Zizhen Cheng 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年6月
准确的开关损耗预测对研究功率模块在极端高温下的失效机制至关重要。现有SiC MOSFET损耗模型温度范围多低于175°C,无法满足高温应用需求。本研究提出了一种适用于超宽温度范围的SiC MOSFET分析开关损耗模型,通过考虑温度相关的反向恢复特性,提升了高温工况下的损耗预测精度。
解读: 该研究对阳光电源的SiC技术应用具有重要价值。随着PowerTitan系列储能系统及组串式逆变器向更高功率密度和极端环境适应性演进,SiC器件的高温运行特性成为提升系统效率与可靠性的关键。该模型可直接应用于阳光电源的功率模块热设计与损耗评估,优化逆变器在高温环境下的热管理策略,降低因高温导致的失效风...
老化对碳化硅MOSFET温度敏感电参数影响的评估
Evaluation of Aging's Effect on Temperature-Sensitive Electrical Parameters in SiC mosfets
Fei Yang · Enes Ugur · Bilal Akin · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年6月
温度敏感电参数(TSEPs)常用于碳化硅(SiC)MOSFET的结温监测与过温保护。然而,器件老化会干扰TSEPs的准确性,导致结温测量误差。本文全面研究了老化对多种TSEPs的影响,并提出了相应的评估方法,旨在提升功率器件在长期运行中的状态监测精度与可靠性。
解读: 随着阳光电源在组串式逆变器、PowerTitan储能系统及风电变流器中大规模应用SiC功率器件,提升系统功率密度与效率的同时,如何确保高频高温下的长期可靠性成为关键。本文研究的TSEPs老化补偿技术,可直接应用于iSolarCloud智能运维平台,实现对核心功率模块的在线健康状态(SOH)评估与故障...
并联SiC MOSFET不平衡开关电流与损耗的定量分析模型
A Quantitative Analytical Model of Paralleled SiC MOSFETs for Calculating Unbalanced Switching Currents and Energy
Jianwei Lv · Cai Chen · Yiyang Yan · Baihan Liu 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年12月
并联SiC MOSFET间的不均匀动态电流会导致开关损耗失衡,影响电路可靠性。本文提出了一种定量评估并联SiC MOSFET开关过程中动态电流不平衡的分析模型,旨在解决现有建模方法在精度与计算复杂度方面的挑战,为电力电子电路的设计与应用提供理论支撑。
解读: 该研究直接服务于阳光电源的高功率密度产品设计。在PowerTitan储能系统及大功率组串式/集中式光伏逆变器中,SiC MOSFET的并联应用是提升效率和减小体积的关键。该定量模型能够帮助研发团队在设计阶段精确评估电流不平衡带来的热应力分布,优化驱动电路布局与参数匹配,从而提升功率模块在极端工况下的...
采用准两电平运行方式减小钳位二极管体积的SiC三电平中点钳位变换器
SiC Three-Level Neutral-Point-Clamped Converter With Clamping Diode Volume Reduction Using Quasi-Two-Level Operation
Xiang Lin · Dong Dong · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年8月
中压SiC MOSFET在固态变压器和多电平变换器领域备受关注。本文提出一种准两电平运行方式,旨在优化三电平中点钳位(NPC)变换器中钳位二极管的体积。通过该方法,可有效简化高压应用中的电压平衡问题,提升功率密度,为高频、高功率密度变换器设计提供新思路。
解读: 该技术对阳光电源的组串式逆变器及大型储能系统(如PowerTitan系列)具有重要参考价值。随着光伏和储能系统向更高电压等级(如1500V及以上)和更高功率密度演进,SiC器件的应用已成为提升效率的关键。准两电平运行方式能有效降低钳位二极管的损耗与体积,有助于进一步缩小逆变器和PCS的体积,提升系统...
一种用于高压SiC MOSFET的自适应电流源栅极驱动器
An Adaptive Current-Source Gate Driver for High-Voltage SiC mosfets
Gard Lyng Rodal · Dimosthenis Peftitsis · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年2月
本文提出了一种具有自适应功能的新型SiC MOSFET电流源栅极驱动器。该驱动器旨在解耦并改善di/dt和dv/dt的可控性,同时相较于传统的图腾柱电压源驱动器,显著降低了开关延迟时间。
解读: 随着阳光电源在组串式光伏逆变器和PowerTitan系列储能系统中大规模应用高压SiC MOSFET,开关损耗与电磁干扰(EMI)的平衡成为提升功率密度的关键。该自适应驱动技术能有效优化SiC器件的开关轨迹,在保证高效率的同时抑制电压尖峰,对提升逆变器及PCS产品的功率密度和可靠性具有重要参考价值。...
用于并联SiC MOSFET动态电流精确测量的增强型di/dt-RC传感结构
Enhanced di/dt-RC Sensing Structure for Accurate Dynamic Current Measurement in Paralleled SiC MOSFETs
Che-Wei Chang · Dong Dong · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年7月
并联SiC MOSFET是提升大功率应用电流能力的经济方案,但动态电流不平衡会导致损耗分布不均及热失效风险。本文提出一种增强型di/dt-RC传感结构,旨在实现对高di/dt动态电流的精确监测,从而为并联器件的电流均衡与保护提供技术支撑。
解读: 该技术对阳光电源的高功率密度产品线(如PowerTitan储能系统、组串式光伏逆变器及风电变流器)具有重要意义。随着公司产品向更高功率等级和SiC技术路线演进,并联SiC MOSFET的应用日益广泛。该传感结构能有效解决并联器件间的动态电流不平衡问题,提升功率模块的可靠性与热管理水平。建议研发团队关...
基于开通延迟的SiC MOSFET实时结温测量及老化补偿方法
Turn-on Delay Based Real-Time Junction Temperature Measurement for SiC MOSFETs With Aging Compensation
Fei Yang · Shi Pu · Chi Xu · Bilal Akin · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年2月
在线结温监测对电力电子变换器的过温保护与状态监测至关重要。针对SiC MOSFET缺乏现场可靠性数据的问题,本文提出利用开通延迟时间作为温度敏感电参数(TSEP),并引入老化补偿机制,实现高精度的实时结温测量,提升功率器件在复杂工况下的运行可靠性。
解读: 该技术对阳光电源的核心产品线具有极高价值。随着公司组串式逆变器和PowerTitan/PowerStack储能系统向高功率密度、高效率方向演进,SiC器件的应用日益广泛。实时结温监测与老化补偿技术不仅能提升逆变器和PCS在极端环境下的过温保护精度,还能通过状态监测实现预测性维护,降低运维成本。建议研...
SiC MOSFET结构变异对温度估计中TSEP性能的影响
Impact of Structural Variation in SiC MOSFETs on TSEP Performances for Temperature Estimation
作者未知 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年5月
在电力电子变换器运行过程中,对碳化硅(SiC)金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管(MOSFET)的温度进行精确监测至关重要。利用温度敏感电参数(TSEPs)实现在线实时温度监测是该领域一种很有前景的技术。然而,以往的研究并未充分考虑器件结构差异如何影响待监测参数的选择以及监测结果的准确性。本文对不同栅极结构的 SiC MOSFET 的温度敏感电参数进行了全面研究。详细分析了温度敏感电参数随器件温度变化的物理机制,并通过双脉冲测试进行了验证。这项对比研究揭示了器件温度对不同栅极结构 SiC ...
解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项关于SiC MOSFET温度监测技术的研究具有重要的实用价值。作为全球领先的光伏逆变器和储能系统供应商,我们的产品正加速向高功率密度、高效率方向发展,而SiC器件已成为新一代功率变换器的核心部件。 该研究聚焦于利用温度敏感电参数(TSEP)实现SiC MOSFET的在...
一种用于串联SiC MOSFET的通用短路检测与保护方案
A Universal Short-Circuit Detection and Protection Scheme for Series-Connected SiC MOSFETs
Ye Zhou · Liang Xian · Xu Wang · Dan Yang · IEEE Transactions on Power Electronics · 预计 2026年5月
在高功率变换器中,通过串联SiC MOSFET以提升电压等级并简化拓扑结构是一种有效方案。然而,除了正常开关过程中的动态电压均衡外,短路检测与保护同样至关重要。由于驱动时序偏差及器件间I-V特性的固有失配,串联器件的短路保护面临巨大挑战。本文提出了一种通用的短路检测与保护方案,旨在解决串联SiC MOSFET在故障工况下的可靠性问题。
解读: 该技术对阳光电源的高压组串式逆变器及大型储能系统(如PowerTitan系列)具有重要参考价值。随着光伏与储能系统向更高直流侧电压(1500V及以上)演进,SiC器件的应用日益广泛。串联技术能有效降低对单管耐压等级的极端要求,但其带来的动态均压与短路保护难题是工程落地的瓶颈。该方案提出的保护机制可提...
基于组合TSEP建模的SiC MOSFET负载无关结温估计
Load-Independent Junction Temperature Estimation via Combined TSEPs Modeling for SiC MOSFETs
Meng Luo · Kun Tan · Xi Tang · Cungang Hu 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年1月
结温精确估计对SiC MOSFET的可靠性与安全运行至关重要。本文提出了一种基于温度敏感电参数(TSEPs)的负载无关结温估计方法,利用组合TSEP建模技术,实现了非侵入式、快速响应的在线热监测,有效提升了功率器件在复杂工况下的可靠性评估精度。
解读: 该技术对阳光电源的核心业务至关重要。随着公司在光伏逆变器(如组串式SG系列)和储能系统(如PowerTitan系列)中大规模应用SiC器件以提升功率密度和效率,结温的精确监测直接决定了系统的可靠性与寿命。该负载无关的TSEP估计方法可集成至iSolarCloud平台或逆变器控制固件中,实现对功率模块...
基于外壳温度波形相似性的SiC MOSFET加速功率循环试验在线老化监测
Case Temperature Waveform Similarity-Based Online Aging Monitoring for SiC MOSFETs of Accelerated Power Cycling Tests for DC-SSPCs
Bin Yu · Xingjian Shi · Ze Zhou · Enyao Xiang 等6人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2024年12月
针对直流固态功率控制器(dc-SSPC)中SiC MOSFET的在线状态监测对提升系统可靠性至关重要。传统电参数监测方法需高精度电路与复杂控制系统,易干扰正常运行。本文提出一种基于绝缘温度传感器测量的非电参量——外壳温度,用于在线监测SiC MOSFET老化状态。通过改进的余弦相似性分析温度波形,定义了meacosk与stdcosk两个老化特征参数,可有效追踪器件整体老化趋势,并灵敏反映键合线与焊料层严重老化,无需依赖电参数。实验验证了该方法的有效性,提升了无损、在线监测的实用性,为故障诊断与预...
解读: 该基于外壳温度波形相似性的SiC MOSFET在线老化监测技术对阳光电源ST系列储能变流器及SG系列光伏逆变器具有重要应用价值。相比传统电参数监测,该方法采用非侵入式温度传感器,无需高精度电路改造,可直接集成至PowerTitan储能系统的功率模块中,实现SiC器件键合线与焊料层老化的早期预警。me...
SiC MOSFET导通电压测量电路中的集成短路保护方法
Integrated Short-Circuit Protection Method in On-State Voltage Measurement Circuit for SiC MOSFETs
Jiahong Liu · Xing Wei · Bo Yao · Yichi Zhang 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 预计 2026年5月
本文提出了一种SiC MOSFET状态监测与短路保护的集成方案。通过改进导通电压测量电路,将状态监测与短路保护功能整合在单一电路中,有效提升了系统的紧凑性,并实现了对SiC器件的高效保护与健康管理。
解读: 该技术对阳光电源的核心产品线至关重要。随着公司组串式逆变器及PowerTitan储能系统向高功率密度、高效率方向演进,SiC MOSFET的应用日益广泛。该集成保护方案能显著提升功率模块的可靠性,缩短短路故障响应时间,降低驱动电路复杂度。建议在下一代高压储能PCS及组串式逆变器研发中引入该集成监测技...
用于改善并联大功率SiC MOSFET模块电流共享性能的有源栅极驱动器
Active Gate Driver for Improving Current Sharing Performance of Paralleled High-Power SiC MOSFET Modules
Yang Wen · Yuan Yang · Yong Gao · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年2月
SiC MOSFET凭借高开关速度和低损耗优势,广泛应用于高功率密度电力电子系统。由于单模块电流容量有限,多模块并联是实现高功率输出的关键,但电流不均流问题是主要挑战。本文提出一种有源栅极驱动技术,旨在优化并联模块间的电流共享性能,提升系统整体可靠性与效率。
解读: 该技术对阳光电源的核心产品线具有极高的应用价值。在PowerTitan系列液冷储能系统及大功率组串式光伏逆变器中,为了达到兆瓦级功率输出,SiC模块并联技术已成为主流。电流不均流会导致局部过热,降低功率器件寿命。通过引入有源栅极驱动(Active Gate Driver),可以动态调节开关过程,有效...
基于结电容的SiC MOSFET栅氧化层退化温度无关监测方法
Temperature-Independent Gate-Oxide Degradation Monitoring of SiC MOSFETs Based on Junction Capacitances
Masoud Farhadi · Fei Yang · Shi Pu · Bhanu Teja Vankayalapati 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年7月
栅氧化层退化是SiC MOSFET的主要可靠性挑战。现有监测方法多受温度影响,难以消除误差。本文提出了一种基于结电容的监测方法,实现了对栅氧化层退化的温度无关监测,有助于预防功率变换器的突发故障。
解读: SiC MOSFET作为阳光电源组串式逆变器、PowerTitan储能变流器及高频充电桩的核心功率器件,其可靠性直接决定了产品的全生命周期运维成本。该研究提出的温度无关监测技术,能够有效解决复杂工况下器件老化评估不准的痛点。建议将此技术集成至iSolarCloud智能运维平台,通过实时监测关键结电容...
一种用于串联SiC MOSFET主动驱动的混合电流和电压源驱动器
A Hybrid Current- and Voltage-Source Driver for Active Driving of Series-Connected SiC MOSFETs
Tobias Nieckula Ubostad · Daniel A. Philipps · Dimosthenis Peftitsis · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年3月
碳化硅(SiC)MOSFET的串联是提升开关管阻断电压的有效途径,但面临瞬态和稳态电压不平衡的挑战。特别是在高开关频率下,高dv/dt要求使得电压均衡控制更为困难。本文提出了一种混合电流和电压源驱动方案,旨在解决串联SiC MOSFET的电压不平衡问题,提升高压电力电子系统的可靠性与效率。
解读: 该技术对阳光电源的高压光伏逆变器及大型储能系统(如PowerTitan系列)具有重要应用价值。随着光伏系统向1500V甚至更高电压等级演进,SiC器件的应用日益广泛。通过该混合驱动技术,可有效解决多管串联时的电压应力不均问题,从而在不牺牲开关频率的前提下提升系统功率密度和效率。建议研发团队关注该驱动...
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