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功率器件技术 GaN器件 功率模块 宽禁带半导体 ★ 4.0

一种具有超低寄生电感的DPC氮化镓功率模块柔性PCB设计

A Flexible-PCB on DPC GaN Power Module With Ultralow Parasitic Inductance

Hang Kong · Lixin Jia · Laili Wang · Yilong Yao 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年4月

氮化镓(GaN)器件凭借高开关速度和低导通电阻,推动了电力电子变换器向高频高功率密度发展。然而,封装寄生参数限制了其开关性能。本文提出了一种基于直接覆铜陶瓷(DPC)基板和柔性PCB的GaN功率模块封装方案,通过优化电路布局有效降低了寄生电感,从而充分发挥GaN器件的高频优势。

解读: 该技术对阳光电源的高功率密度产品线具有重要价值。随着光伏逆变器和储能PCS向高频化、小型化演进,GaN器件的应用已成为提升功率密度的关键。该封装方案通过降低寄生电感,有助于解决高频开关下的电压尖峰和EMI问题,特别适用于阳光电源的户用光伏逆变器及小型化储能变流器(如PowerStack系列)。建议研...

功率器件技术 SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 ★ 5.0

用于碳化硅MOSFET的基板嵌入式电力电子封装

Substrate Embedded Power Electronics Packaging for Silicon Carbide mosfets

Ameer Janabi · Luke Shillaber · Wucheng Ying · Wei Mu 等9人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年8月

本文提出了一种用于分立芯片的新型电力电子封装方案——标准单元。该方案由阶梯蚀刻活性金属钎焊(AMB)基板和柔性印刷电路板(flex-PCB)组成。该标准单元具有高导热性、完全电气绝缘和低杂散电感等优势,有效提升了SiC MOSFET器件的整体性能。

解读: 该技术对阳光电源的核心产品线具有显著的赋能作用。SiC MOSFET是提升组串式光伏逆变器功率密度和效率的关键,而封装技术直接决定了器件在高频开关下的散热能力与杂散电感表现。采用AMB基板和柔性PCB的嵌入式封装方案,可显著降低寄生参数,减少开关损耗,这对阳光电源的PowerTitan储能系统及新一...