超堆叠叉片场效应晶体管在埃节点下的功耗、性能与面积分析

Power, Performance, and Area Analysis of Ultra-Stacked Forksheet-FET for Angstrom Nodes

作者未知 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年7月

本研究首次探究了适用于埃米级节点的具有五个沟道的超堆叠叉片式场效应晶体管（FSFET）在标准单元和芯片层面的功耗、性能和面积（PPA）优势。在相同驱动电流条件下，五堆叠FSFET的沟道宽度比传统的四堆叠FSFET更小，从而实现了进一步的尺寸缩小。在传统的纳米片场效应晶体管（NSFET）中，大量的沟道会增加寄生电阻和电容，进而降低器件性能。然而，FSFET的侧壁、环绕式接触、金属源/漏以及沟道较小的垂直间距可以缓解寄生参数的增加。因此，五堆叠FSFET可以在不降低频率的情况下实现较小的占位面积。我...

解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项超堆叠叉片场效应晶体管（FSFET）技术代表了半导体工艺在埃米级节点的重要突破，对我们的核心产品具有战略意义。 在光伏逆变器和储能变流器领域，功率半导体芯片是决定系统效率、功率密度和可靠性的关键要素。该技术通过五层通道堆叠实现了10.5%-10.7%的芯片面积缩减和7...