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功率器件技术 SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 ★ 5.0

一种用于安全工作区内外仿真的SiC功率MOSFET温度相关SPICE模型

A Temperature-Dependent SPICE Model of SiC Power MOSFETs for Within and Out-of-SOA Simulations

Michele Riccio · Vincenzo d Alessandro · Gianpaolo Romano · Luca Maresca 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年9月

本文提出了一种SiC功率MOSFET的温度相关SPICE模型。该模型描述了器件的静态和动态行为,并考虑了漏电流和碰撞电离效应。通过特性测试和数据手册提取与工艺相关的MOSFET参数,并采用SPICE标准组件及模拟行为建模模块实现。

解读: 该研究对阳光电源的核心产品线具有极高价值。随着公司组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能系统向高功率密度和高效率演进,SiC器件的应用已成为主流。该温度相关模型能够精确模拟SiC MOSFET在极端工况下的热特性及安全工作区(SOA)表现,有助于优化逆变器及PCS的功率模块设计...

储能系统技术 储能系统 ★ 5.0

不同代际区域供热网络中数据中心余热利用情景的比较分析

Comparative analysis of scenarios of data center waste heat utilization for district heating networks of different generations

D.Romano · I.Chakrabort · S.Holle · Energy Conversion and Management · 2025年6月 · Vol.334

摘要 全球通信基础设施的增长为利用数据中心余热提供了重要机遇。本研究聚焦于分析和比较若干种情景——照常营业情景(BAU)、数据中心余热回收情景(WH),以及在余热回收基础上增加浅层钻孔热能储存以解决热需求与余热产生之间不匹配的情景(WH + BTES)——这些情景在代表不同代际区域供热(DH)网络的多种供热温度条件下进行评估。德国哥廷根北校区作为案例研究对象。我们采用定制的Python模型,结合pygfunction软件包和基于回归的热泵模型,用于评估地热钻孔场的热响应因子(g函数)并开展分析。...

解读: 该研究对阳光电源储能系统具有重要启示。数据中心余热回收结合浅层钻孔热储能(BTES)的场景,与我司PowerTitan储能系统和热管理技术高度契合。可将ST系列PCS的热管理优化与区域供热网络耦合,实现能源梯级利用。研究显示低温供热网络(48°C)边际余热价格达93欧元/MWh,验证了储能系统余热回...