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控制与算法 PWM控制 充电桩 ★ 3.0

针对全频域扰动具有增强鲁棒性的永磁同步电机无传感器驱动静态无差位置估计

Static-Errorless Position Estimation for Sensorless PMSM Drives With Enhanced Robustness Against the Full-Frequency Domain Disturbance

Yanjun Yu · Yanzhen Shao · Feng Chai · Mingkai Cui · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年5月

本文针对基于反电动势(BEMF)模型的永磁同步电机(PMSM)无传感器位置估计方法,提出了静态无差位置估计策略。该方法旨在解决传统方法在全频域扰动下鲁棒性不足、导致位置估计误差的问题,显著提升了电机驱动系统在复杂工况下的控制精度与稳定性。

解读: 该技术主要应用于永磁同步电机(PMSM)的无传感器控制,对阳光电源的电动汽车充电桩业务具有参考价值。在充电桩内部的功率模块或相关辅助电机驱动中,采用无传感器控制可降低硬件成本并提升系统可靠性。此外,该算法对全频域扰动的鲁棒性优化,有助于提升电机在复杂电网环境下的运行稳定性。建议研发团队关注该策略在提...

功率器件技术 SiC器件 功率模块 可靠性分析 ★ 5.0

基于硬件闭环控制的开尔文源极连接SiC MOSFET串扰抑制有源门极驱动器

The Active Gate Driver Based on Hardware Closed-Loop Control for Crosstalk Suppression of SiC MOSFETs With Kelvin-Source Connection

Mingkai Cui · Lei Chen · Yulong Pei · Feng Chai · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年1月

本文针对桥式电路中SiC MOSFET开尔文源极连接带来的串扰问题,提出了一种基于硬件闭环控制的有源门极驱动器(AGD)。通过设计简单的硬件闭环控制器,有效调节驱动信号,从而抑制电压串扰,提升功率变换器的可靠性与应用潜力。

解读: 该技术对阳光电源的核心产品线具有极高的应用价值。随着公司组串式逆变器和PowerTitan/PowerStack储能系统向高功率密度、高开关频率演进,SiC MOSFET的应用已成为主流。开尔文源极连接虽能提升开关性能,但带来的串扰问题是制约系统可靠性的关键瓶颈。该有源门极驱动(AGD)方案通过硬件...