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排序:
功率器件技术 SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 ★ 5.0

一种用于中压SiC半桥驱动的高隔离门极驱动电源

A T-Shaped High Isolation Gate Driver Power Supply for Medium-Voltage SiC Half-Bridges

Fengjuan Zhang · Hao Feng · Li Ran · Jianyu Pan · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年8月

针对中压宽禁带器件,隔离能力与耦合电容之间的制约是实现紧凑、高可靠门极驱动电源(GDPS)的主要障碍。本文提出了一种采用定制T型磁芯和PCB线圈的松耦合变压器,在有限空间内实现了高隔离度与低耦合电容,有效提升了驱动电路的性能。

解读: 该技术对阳光电源的组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能系统具有重要参考价值。随着阳光电源向更高电压等级(如1500V及以上)的SiC应用迈进,高dv/dt带来的共模干扰问题日益突出。该T型磁芯变压器方案能显著降低驱动电路的耦合电容,抑制共模电流,提升SiC功率模块的开关可靠性...

可靠性与测试 功率模块 宽禁带半导体 可靠性分析 ★ 4.0

从传统螺旋式到微型化PCB罗氏线圈在电力电子应用中的综述

A Review of Traditional Helical to Recent Miniaturized Printed Circuit Board Rogowski Coils for Power-Electronic Applications

Yafei Shi · Zhen Xin · Poh Chiang Loh · Frede Blaabjerg · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年11月

随着宽禁带功率器件开关速度的提升,电流测量面临更高带宽与精度的挑战。本文综述了罗氏线圈的发展历程,重点分析了从传统螺旋式到微型化PCB罗氏线圈的技术演进,探讨了其在高带宽、小体积、低成本电流传感应用中的优势,为电力电子系统的控制与保护提供了关键测量方案。

解读: 随着阳光电源在组串式逆变器及PowerTitan储能系统中大规模应用SiC等宽禁带半导体,高频开关带来的电流采样噪声与带宽限制成为技术瓶颈。微型化PCB罗氏线圈技术能够显著提升电流传感器的集成度与抗干扰能力,直接优化逆变器及PCS的控制环路带宽,提升系统瞬态响应速度。建议研发团队关注该技术在紧凑型功...

功率器件技术 宽禁带半导体 SiC器件 功率模块 ★ 4.0

基于PCB线圈和电子特性整形器的扩展宽带罗氏电流传感器

Extended Wide-Bandwidth Rogowski Current Sensor With PCB Coil and Electronic Characteristic Shaper

He Li · Zhen Xin · Xue Li · Jianliang Chen 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年1月

针对宽禁带(WBG)器件高速开关带来的电流测量挑战,本文提出了一种基于PCB线圈的罗氏电流传感器。该传感器具备非侵入式、体积小及超宽带宽的特点,通过优化寄生参数和电子特性整形技术,有效解决了高频电流测量中的带宽限制问题,适用于电力电子系统的精确监测。

解读: 随着阳光电源在组串式光伏逆变器及PowerTitan储能系统中大规模应用SiC等宽禁带功率器件,开关频率的提升对电流采样精度和带宽提出了更高要求。该PCB罗氏线圈技术方案体积小、集成度高,非常适合嵌入到高功率密度的逆变器及PCS功率模块中。建议研发团队关注该技术在高速瞬态电流监测中的应用,以提升iS...