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功率器件技术 SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 ★ 5.0

具有低热阻和寄生电感的PCB嵌入式SiC半桥封装单元的设计与分析

Design and Analysis of PCB Embedded SiC Half-Bridge Packaging Cells With Low Thermal Resistance and Parasitic Inductance

Chao Gu · Wei Chen · Hao Guan · Jing Jiang 等11人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 预计 2026年5月

本文设计并评估了三种PCB嵌入式1200V SiC MOSFET半桥封装单元,采用重布线层(RDL)技术替代传统引线键合工艺。研究重点在于降低寄生参数与热阻,并通过综合评估验证了其在电气性能与热管理方面的优越性。

解读: 该技术对阳光电源的核心产品线具有深远影响。随着光伏逆变器(尤其是组串式)和储能系统(如PowerTitan系列)向高功率密度和高开关频率演进,SiC器件的封装优化至关重要。PCB嵌入式封装技术能显著降低寄生电感,从而减少开关损耗和电压尖峰,提升系统效率。同时,优化的热阻设计有助于提升功率模块的散热能...

功率器件技术 GaN器件 功率模块 宽禁带半导体 ★ 5.0

一种具有超低寄生电感的PCB嵌入式GaN全桥模块

A Highly Integrated PCB Embedded GaN Full-Bridge Module With Ultralow Parasitic Inductance

Zhiyuan Qi · Yunqing Pei · Laili Wang · Qingshou Yang 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年4月

为充分发挥氮化镓(GaN)器件的高频优势,本文提出了一种基于PCB嵌入技术的面朝上集成功率模块,解决了传统分立方案带来的寄生参数挑战。该模块高度集成了GaN裸片全桥、驱动电路及去耦电容,有效降低了寄生电感,提升了高频功率变换性能。

解读: 该技术对阳光电源的组串式光伏逆变器及户用储能系统具有重要价值。随着逆变器向高功率密度和高开关频率发展,传统分立器件方案受限于寄生电感,难以进一步提升效率。PCB嵌入式GaN模块能显著降低开关损耗和电压尖峰,直接提升逆变器效率并减小磁性元件体积。建议研发团队关注该封装技术在户用逆变器及微型逆变器中的应...