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功率器件技术 GaN器件 宽禁带半导体 可靠性分析 ★ 3.0

低温电力电子中单极性功率半导体的热失控现象

The Thermal Runaway Phenomenon of Unipolar Power Semiconductors in Cryogenic Power Electronics

Julius Zettelmeier · Raffael Schwanninger · Martin März · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年9月

氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)和硅MOSFET在低温环境下导通损耗显著降低,因此在航空航天领域备受关注。然而,低温环境会导致一种此前被忽视的安全关键现象——热失控,本文对此进行了深入探讨。

解读: 该研究探讨了宽禁带半导体(GaN)在极端低温下的热失控机制,这对阳光电源未来探索高海拔、极寒地区(如高寒山区光伏电站或特殊环境储能项目)的电力电子设计具有参考意义。虽然目前阳光电源的主流产品(如PowerTitan、组串式逆变器)多运行于常规环境,但随着公司向航空电源或极端环境能源系统拓展,理解Ga...

拓扑与电路 DAB 双向DC-DC 功率模块 ★ 4.0

可配置固态变压器与能量路由器的路径:模块化有源单元控制导论

A Path to Configurable Solid State Transformers and Energy Routers: Introduction to Modular Active Cell Control

Raffael Schwanninger · Niklas Stöcklein · Nikolai Weitz · Xiaotian Yang 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年4月

本文提出了一种针对模块化多有源桥(MAB)架构的控制策略,通过扩展单移相控制,实现了对单一大功率多绕组变压器上模块化有源单元(MAC)的完全去中心化控制。该方案为固态变压器和能量路由器提供了高度模块化、可配置且可扩展的解决方案。

解读: 该技术对阳光电源的储能系统(如PowerTitan、PowerStack)及大功率PCS产品具有重要参考价值。模块化有源单元(MAC)架构能够显著提升多端口能量转换的灵活性与扩展性,特别是在高压直流接入及多源微电网场景中,去中心化控制可增强系统的容错能力与响应速度。建议研发团队关注该拓扑在下一代高压...