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一种用于开尔文源极连接并联SiC MOSFET动态均流的电流平衡驱动器
A Current-Balancing Gate Driver for Dynamic Current Sharing of Paralleled SiC MOSFETs With Kelvin-Source Connection
Che-Wei Chang · Matthias Spieler · Ayman M. EL-Refaie · Renato Amorim Torres 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年1月
并联碳化硅（SiC）MOSFET是提升电流处理能力的经济方案，开尔文源极配置有助于优化开关性能。然而，并联器件间的动态电流不平衡会导致损耗分配不均及结温差异，进而影响系统可靠性。本文提出一种新型电流平衡驱动技术，旨在解决并联SiC器件的动态均流问题。
解读: 该技术对阳光电源的核心业务具有极高价值。随着公司组串式逆变器（如SG系列）和储能系统（如PowerTitan系列）向高功率密度和高效率演进，SiC MOSFET的并联应用已成为主流。动态均流技术能有效降低并联器件的应力差异，显著提升功率模块的长期可靠性，并有助于进一步优化散热设计。建议研发团队关注该...
电流源逆变器永磁电机驱动的脉动高频注入自传感控制分析
Analysis of Pulsating High-Frequency Injection Self-Sensing Control for CSI PM Motor Drives
Renato Amorim Torres · Sangwhee Lee · Hang Dai · Woongkul Lee 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年3月
本文探讨了电流源逆变器（CSI）驱动系统中转子位置自传感控制方法。随着单片宽禁带功率开关技术的发展，CSI拓扑结构日益受到关注。文章重点研究了基于脉动矢量激励的凸极性检测方法（PVE），旨在解决CSI驱动中位置估计的挑战，为高性能电机控制提供理论支撑。
解读: 该研究聚焦于电流源逆变器（CSI）及宽禁带器件的应用，虽然阳光电源目前的主流产品（如组串式逆变器、PowerTitan储能系统）多采用电压源逆变器（VSI）拓扑，但该技术在高性能电机驱动及未来新型电力电子变换器领域具有潜在参考价值。随着宽禁带半导体（SiC/GaN）在阳光电源产品中的普及，文中提到的...