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500 °C 碳化硅(SiC) PWM集成电路
500 °C SiC PWM Integrated Circuit
Saleh Kargarrazi · Hossein Elahipanah · Stefano Saggini · Debbie Senesky 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年3月
本文报道了一种采用4H-SiC双极工艺制造的高温脉宽调制(PWM)集成电路，该电路集成了片上斜坡发生器。测试表明，该电路可在25至500 °C的宽温度范围内稳定工作，PWM工作频率范围为160至210 kHz。
解读: 该研究展示了SiC器件在极端高温环境下的集成控制能力，对阳光电源的核心业务具有重要参考价值。在光伏逆变器和储能变流器（如PowerTitan系列）中，功率模块的散热设计一直是提升功率密度的瓶颈。若能将控制电路与功率器件实现更高程度的耐高温集成，将显著简化散热系统设计，提高系统可靠性。建议研发团队关注...
共源共栅GaN/SiC：一种用于高频应用的新型宽禁带异质功率器件
Cascode GaN/SiC: A Wide-Bandgap Heterogenous Power Device for High-Frequency Applications
Jiale Xu · Lei Gu · Zhechi Ye · Saleh Kargarrazi 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年6月
无线电能传输和等离子发生器等高频应用日益增多。提高开关频率可减少无源元件的储能需求，从而提升功率密度。然而，高频运行对开关器件的性能提出了更高要求。本文探讨了Cascode GaN/SiC异质结构器件，旨在通过结合两种宽禁带材料的优势，解决高频应用中的开关损耗与驱动难题。
解读: 该技术对阳光电源的组串式逆变器及户用储能产品具有重要参考价值。随着光伏逆变器向更高功率密度和更小体积演进，高频化是必然趋势。GaN与SiC的异质集成方案能有效平衡开关速度与驱动可靠性，有助于优化逆变器及PCS（储能变流器）的磁性元件设计，降低整机损耗。建议研发团队关注该器件在小型化户用逆变器及高频D...