Yaoqiang Duan · Francesco Iannuzzo · Frede Blaabjerg · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年4月

本文提出了一种功率半导体器件的新型集总电荷模型。针对传统集总电荷模型因线性建模方法导致的精度局限性，文章深入分析了其制约因素，并在此基础上提出了一种改进的建模方法，旨在提升功率器件在复杂工况下的仿真精度与性能预测能力。

解读: 功率半导体器件（如IGBT、SiC MOSFET）是阳光电源光伏逆变器、储能变流器（PCS）及风电变流器的核心组件。该建模方法能显著提升器件在开关过程中的瞬态仿真精度，有助于优化逆变器及PCS的损耗计算与热设计。在PowerTitan等大型储能系统及组串式逆变器的研发中，应用该模型可更精准地评估器件...