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一种基于谐振电流调节的辅助谐振换相极逆变器中点电压平衡控制策略
A Novel Midpoint Voltage Balance Control Strategy Based on Resonant Current Adjustment for Auxiliary Resonant Commutated Pole Inverter
Zehuan Ding · Chun Gan · Shuanghong Wang · Ronghai Qu 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年11月
针对电机驱动应用中辅助谐振换相极（ARCP）逆变器直流侧电容中点电压波动导致软开关失效及损耗增加的问题，本文提出了一种基于谐振电流调节的新型中点电压平衡控制策略，有效消除了中点电压波动。
解读: 该研究聚焦于ARCP逆变器的软开关技术与中点电压平衡控制，虽然主要针对电机驱动场景，但其核心的软开关控制逻辑与高频功率变换技术对阳光电源的组串式逆变器及储能变流器（PCS）具有参考价值。随着阳光电源产品向更高功率密度和更高效率演进，该策略中关于减少开关损耗和优化直流侧电压平衡的方法，可为下一代高频化...
具有高约翰逊品质因数
>6 THz·V）的64% AlGaN沟道HFET
Jiahao Chen · Parthasarathy Seshadri · Kenneth Stephenson · Md Abdullah Mamun 等6人 · IEEE Electron Device Letters · 2025年4月
在这篇快报中，我们报道了一种采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法生长的、具有 Al₀.₈₇Ga₀.₁₃N 势垒层和 Al₀.₆₄Ga₀.₃₆N 沟道层的异质结场效应晶体管（HFET）。对该结构进行传输线模型（TLM）测量，结果显示其方块电阻约为 2000 Ω/□，线性欧姆接触电阻为 4.54 Ω·mm。栅长约为 200 nm、源漏间距为 4 μm 的 HFET 表现出约 40 mS/mm 的峰值跨导和约 0.6 A/mm 的高峰值漏极电流。观察到其电流增益截止频率（fₜ）为 15.7 GH...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项基于高铝组分AlGaN沟道的异质结场效应晶体管（HFET）技术展现出显著的应用潜力。该器件实现了6.1 THz·V的约翰逊品质因数（JFOM），标志着超宽禁带半导体在高频高压领域的重要突破。 对于光伏逆变器和储能变流器等核心产品，该技术的价值主要体现在三个维度：首先，...